[发明专利]基于湿法剥离垂直结构发光二极管的制作方法有效
申请号: | 201210181322.1 | 申请日: | 2012-06-04 |
公开(公告)号: | CN102709411A | 公开(公告)日: | 2012-10-03 |
发明(设计)人: | 吴奎;魏同波;蓝鼎;闫建昌;刘喆;王军喜;张逸韵;李晋闽 | 申请(专利权)人: | 中国科学院半导体研究所 |
主分类号: | H01L33/00 | 分类号: | H01L33/00 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 汤保平 |
地址: | 100083 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种基于湿法剥离垂直结构发光二极管的制作方法,包括:在衬底上依次制作二氧化硅掩蔽层和紧密排列的自组装PS球;刻蚀、加热、蒸镀金属层;去除自组装PS球表面的金属层,形成网孔状金属层;加热使自组装PS球气化形成纳米网孔状金属层;刻蚀网孔状金属层形成二氧化硅纳米网孔阵列;用酸液腐蚀掉纳米网孔状金属层;在二氧化硅纳米网孔阵列上依次外延u-GaN层、n-GaN层、多量子阱结构、电子阻挡层和p-GaN层;将衬底磨抛减薄;在p-GaN层上依次制作金属反射镜、金属支撑衬底;在衬底激光划出沟槽;涂一层光刻胶保护层;超声去掉二氧化硅纳米网孔阵列形成空气桥;放于高温浓硫酸和磷酸混合溶液中或KOH溶液中腐蚀,使衬底与u-GaN层剥离,形成垂直结构LED管芯,形成光子晶体表面。 | ||
搜索关键词: | 基于 湿法 剥离 垂直 结构 发光二极管 制作方法 | ||
【主权项】:
一种基于湿法剥离垂直结构发光二极管的制作方法,包括以下步骤:步骤1:取一衬底,在衬底上淀积一层二氧化硅掩蔽层,形成基底层;步骤2:采用自组装技术,在二氧化硅掩蔽层上排列一单层紧密排列的自组装PS球;步骤3:将表面具有自组装PS球的基底层置于80℃空气气氛中,使自组装PS球与二氧化硅掩蔽层牢固结合;步骤4:采用刻蚀法,对自组装PS球进行刻蚀,使其变小,刻蚀气体为氧气;步骤5:第一次加热,使自组装PS球在二氧化硅掩蔽层有稍微塌陷,把点接触变成面接触;步骤6:在自组装PS球表面及间隙蒸镀金属层;步骤7:采用甲苯超声法,去除自组装PS球表面的金属层,保留自组装PS球间隙中的纳米网孔状金属层;步骤8:第二次加热使自组装PS球气化,在二氧化硅掩蔽层上纳米网孔状金属层;步骤9:刻蚀网孔状金属层的金属掩膜下的二氧化硅掩蔽层,形成二氧化硅纳米网孔阵列;步骤10:用酸液腐蚀掉纳米网孔状金属层;步骤11:在二氧化硅纳米网孔阵列上依次外延u‑GaN层、n‑GaN层、多量子阱结构、电子阻挡层和p‑GaN层;步骤12:将衬底磨抛减薄;步骤13:在p‑GaN层上蒸镀金属反射镜;步骤14:在金属反射镜上电镀或键合金属支撑衬底;步骤15:在衬底激光划出沟槽;步骤16:在金属支撑衬底表面及边缘上涂一层光刻胶保护层;步骤17:放于HF中,超声去掉二氧化硅纳米网孔阵列形成空气桥;步骤18:放于高温浓硫酸和磷酸混合溶液中或KOH溶液中腐蚀,使衬底与u‑GaN层剥离,形成垂直结构LED管芯,形成光子晶体表面。
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