[发明专利]具有反射欧姆接触电极的紫外发光二极管的基片无效
| 申请号： | 201210162775.X | 申请日： | 2012-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN102709429A | 公开（公告）日： | 2012-10-03 |
| 发明（设计）人： | 董鹏;闫建昌;王军喜;孙莉莉;曾建平;丛培沛;李晋闽 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36;H01L33/40 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 汤保平 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种具有反射欧姆接触电极的紫外发光二极管的基片，包括：一衬底；一AlN模板层，其生长在衬底上；一N型AlGaN层，其生长在AlN模板层上；一多量子阱的有源区，其生长在N型AlGaN层上；一电子阻挡层，其生长在多量子阱的有源区上；一P型过渡层，其生长在电子阻挡层上；一P型接触层，其生长在P型过渡层上；一反射欧姆接触电极，其制作在P型接触层上；采用所述基片制备的紫外发光二极管的发光波长范围在200nm-365nm之间。具有较高的紫外反射率，从而提高了紫外发光二极管的光提取效率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 反射 欧姆 接触 电极 紫外 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种具有反射欧姆接触电极的紫外发光二极管的基片，包括：一衬底；一AlN模板层，其生长在衬底上；一N型AlGaN层，其生长在AlN模板层上；一多量子阱的有源区，其生长在N型AlGaN层上；一电子阻挡层，其生长在多量子阱的有源区上；一P型过渡层，其生长在电子阻挡层上；一P型接触层，其生长在P型过渡层上；一反射欧姆接触电极，其制作在P型接触层上；采用所述基片制备的紫外发光二极管的发光波长范围在200nm‑365nm之间。
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