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[发明专利]计算机系统以及使用了递归神经网络的运算方法-CN201810156156.7有效
发明人：奥村忠嗣;田井光春;高桥宏昌;安藤正彦;龟代典史;永田真斗 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2018-02-23 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：一种计算机系统以及使用了递归神经网络的运算方法，计算机系统执行使用了由输入部、储备池部以及输出部构成的递归神经网络的运算处理，输入部包括接收多个时间序列数据的输入节点，储备池部包括伴随时间延迟的至少一个非线性节点，输出部包括计算输出值的输出节点，输入部对所接收的多个时间序列数据的每一个执行采样以及保持处理以及掩蔽处理，从而计算多个输入流，对多个输入流的每一个执行给予时间偏差的时移处理，通过将执行了时移处理的多个输入流的每一个进行叠加来计算输入数据。据此，在将多个时间序列数据作为输入来处理的储备池计算中，实现高精度且高速的处理。
计算机系统以及使用递归神经网络运算方法

[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法-CN200910002805.9有效
发明人：木下胜治;寺尾元康;松冈秀行;屉子佳孝;木村嘉伸;岛明生;田井光春;高浦则克 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2009-01-24 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性存储器件的制造方法。在相变存储器中，用于选择元件的二极管的电特性非常重要。但是，在采用了多晶硅的二极管中，膜中存在结晶粒界，因此泄漏特性的偏差较大，存在难以防止误读出这样的问题。为了达成上述目的，本发明在进行非晶硅的结晶化和活性化的激光热处理中，控制硅的温度分布，从而控制结晶粒界。通过利用本发明，能够减小二极管电特性的偏差，从而可以提高相变存储器的成品率。
非易失性存储器及其制造方法

[发明专利]非易失性半导体存储器件-CN200810174029.6无效
发明人：木下胜治;寺尾元康;松冈秀行;屉子佳孝;木村嘉伸;岛明生;田井光春;高浦则克 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2008-11-12 - 公布日： 2009-05-20 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明提供一种非易失性半导体存储器件。在相变存储器等中，存在如下问题：用薄膜形成记录材料和选择元件双方时，因重写工作等的热而使与记录材料层相邻的层的原子扩散到记录材料层，重写特性发生变化。为了解决上述问题，本发明在非易失性记录材料层(224)与选择元件(220、221)之间具有膜厚为5nm～200nm的半导体层(222)。由此，可得到大容量且重写条件稳定的非易失性存储器。
非易失性半导体存储器件

[发明专利]光传感器元件和使用它的光传感器装置、图像显示装置-CN200810005559.8无效
发明人： 田井光春;木下将嘉 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2008-02-15 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明提供一种在同一绝缘性衬底上使用LTPS平面工艺形成高敏感度的光传感器元件和传感器驱动电路等开关元件，并内置了传感器驱动电路的低成本的区域传感器(光传感器装置)或内置了该光传感器元件的图像显示装置。作为光传感器元件的结构，用与构成电路的开关元件的有源层的多晶硅膜相同的膜制作传感器元件的一个电极，且进行光电变换的受光部为非晶硅或本征层的多晶硅膜。另外，采用在传感器元件的两个电极之间夹着受光部的非晶硅和绝缘层的结构。
传感器元件使用装置图像显示装置

[发明专利]高灵敏度光传感元件和使用该元件的光传感装置-CN200710159739.7有效
发明人： 田井光春;宮泽敏夫 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2007-12-21 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01L31/08 文献下载
摘要：本发明提供一种利用平面工艺在绝缘膜基板上同时形成高灵敏度、低噪声的光传感元件和多晶硅TFT的内置光传感器的图像显示装置。在用多晶硅膜形成了光传感元件的第一电极(11)和第二电极(12)之后，在其上层用非晶形硅膜形成光传感元件的受光层(13)。这时，同时形成多晶硅TFT。
灵敏度传感元件使用装置

[发明专利]具有调光功能的图像显示装置-CN200710160408.5有效
发明人： 田井光春;景山宽 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2007-12-19 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： G02F1/133 文献下载
摘要：提供一种图像显示装置，安装了确保安装成本、基于安装的机械可靠性、产品合格率的亮度传感器。在构成像素的绝缘基板SUB1上，利用与构成该像素的薄膜晶体管(TFT)相同的半导体膜形成由TFT构成的对检测波段不同的光进行检测的多个光传感器PSE、和根据光传感器PSE的输出而生成控制像素的亮度的信号的信号处理电路PSP。光传感器PSE由半导体膜的膜厚、或光的透射范围不同的滤光片检测波段不同的光的能量。在信号处理电路PSP中处理各传感器的输出以检测环境的亮度。将检测信号反馈到像素的亮度的控制。
具有调光功能图像显示装置

[发明专利]高灵敏度光传感元件和使用该元件的光传感装置-CN200710198851.1有效
发明人： 田井光春;佐藤秀夫;波多野睦子;木下将嘉 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2007-12-14 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： H01L31/112 文献下载
摘要：本发明提供一种高灵敏度的光传感元件和传感器驱动电路，其利用平面工艺仅用多晶材料在绝缘膜基板上形成。用多晶硅膜制作光传感元件和传感器驱动电路这两者，作为光传感元件，利用具有在绝缘性基板(10)上形成的第一电极(11)、受光区域(14)、第二电极和在受光区域(14)上形成的第三电极(13)的TFT而形成光电晶体管，在第三电极(13)下方的两侧的区域(15和16)或一侧的区域(15或16)中设置接近本征层的杂质层(活性杂质浓度在10¹⁷cm^－3以下)。
灵敏度传感元件使用装置

[发明专利]半导体薄膜的制造方法及图像显示装置-CN200410098554.6有效
发明人：波多野睦子;本乡干雄;矢崎秋夫;田井光春;野田刚史;高崎幸男 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2004-12-09 - 公布日： 2005-08-03 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体薄膜的制造方法及图像显示装置，该制造方法是在基板上形成的半导体薄膜的任意区域，通过使激光或上述基板扫描进行激光照射，来形成结晶化了的大致带状晶体，使得晶粒在上述扫描方向上生长，以在与扫描方向大致相同的方向上测量出的上述激光的光束尺寸W(μm)的值x为X轴，以扫描速度Vs(m/s)的值y为Y轴，在这样的XY坐标上，在条件1：上述光束尺寸W大于激光光束的波长，条件2：上述扫描速度Vs小于晶体生长速度的上限，条件3：x×(1/y)＜25μs全都成立的区域内进行上述结晶化处理。能得到降低了在结晶化的过程中产生的膜的粗糙度和晶体缺陷的高质量且均质的半导体薄膜。
半导体薄膜制造方法图像显示装置

[发明专利]薄膜半导体器件-CN03136734.8有效
发明人：山口伸也;波多野睦子;田井光春;朴成基;芝健夫 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2003-05-15 - 公布日： 2003-11-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明将通过提供使低温多晶硅实现大粒径化且使表面平坦化以充分地确保栅耐压的技术来实现高迁移率的半导体装置和图像显示装置作为课题。本发明的薄膜半导体器件中，通过对固体激光等的连续的振荡光在时间和空间方面进行调制以实现对于硅薄膜的结晶结构和生长速度来说接近于最佳的结晶生长，通过形成大粒径、在粒界部中呈现没有凸起的平坦性且其面取向被控制的结晶粒并使用这些结晶粒形成沟道，实现高迁移率的半导体装置和图像显示装置。
薄膜半导体器件

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