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[发明专利]图像显示设备-CN201010121286.0无效
发明人：秋元肇;景山宽;芝健夫 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2004-02-13 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明披露了一种能显示高质量图像，并且有利于降低制造成本的图像显示设备。该图像显示设备具有用于控制发光状态或非发光状态的发光状态控制器，和当选择像素的发光状态时将恒压通过信号线输送给各像素的恒压源。
图像显示设备

[发明专利]布线基板的制造方法以及该布线基板-CN200810166779.9无效
发明人：中里典生;藤枝信男;石桥雅义;加藤美登里;新井唯;芝健夫 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2008-10-27 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种布线基板的制造方法以及该布线基板，该方法使具有用涂敷材料的优质的细线图案和图案间的优质的狭窄间隙的布线基板、电子电路的制造成为可能。因为可以通过印刷技术的开展来实现，故可以实现有机薄膜电子器件和电子电路的低价格化。具有场效应晶体管的布线基板的特征在于，具有并列地配置的多个沟槽，与这些多个沟槽的一端连通的共用沟槽，设在上述多个沟槽的底部的金属层，与该金属层连接而设置于上述共用沟槽的底部的电极层，设在上述共用沟槽上的电极层成为源电极或漏电极。
布线制造方法以及

[发明专利]感光性SAM膜的曝光方法及半导体器件的制造方法-CN200810005560.0有效
发明人：新井唯;芝健夫;安藤正彦 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2008-02-15 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种感光性SAM膜的曝光方法及半导体装置的制造方法。由于使用印刷法产生位置偏移，所以难以形成间隔绝缘膜使下部电极和上部电极良好对位的电极衬底。使用光掩模进行对位，大幅度降低成本。本发明公开的技术是感光性SAM膜的曝光方法，该方法在衬底上成膜具有感光性、感光前具有疏液性、感光后具有亲液性的自组织化单分子膜(感光性SAM膜)，在使该衬底的所述成膜面浸渍在液体中的状态下或使感光面朝下与液体接触的状态下，对所述衬底进行曝光，其特征在于，曝光光是紫外光、可见光或波长为350nm以上800nm以下的曝光光，所述液体是含有芳香环的有机溶剂、醇类、醚类或酮类有机溶剂中的至少一种。
感光性 sam 曝光方法半导体器件制造

[发明专利]图像显示设备-CN200810092135.X有效
发明人：秋元肇;景山宽;芝健夫 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2004-02-13 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： G09G3/30 文献下载
摘要：本发明披露了一种能显示高质量图像，并且有利于降低制造成本的图像显示设备。该图像显示设备具有用于控制发光状态或非发光状态的发光状态控制器，和当选择像素的发光状态时将恒压通过信号线输送给各像素的恒压源。
图像显示设备

[发明专利]图像显示设备-CN200810005615.8有效
发明人：秋元肇;三上佳朗;衣川清重;西谷茂之;芝健夫 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2002-08-20 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： G09G3/32 文献下载
摘要：本发明提供一种图像显示设备，其对于运动图像具有特别令人满意的显示质量，并且充分抑制像素中的显示质量的不规则性。该图像显示设备包括：发光驱动装置，其根据输入到像素的模拟显示信号驱动发光装置；以及发光控制开关，用于控制在每个像素中的发光驱动装置的一端上的发光装置的发光或不发光。
图像显示设备

[发明专利]薄膜晶体管装置、图像显示装置及其制造方法-CN200710196847.1有效
发明人： 芝健夫;安藤正彦;川崎昌宏;藤森正成 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2007-12-11 - 公布日： 2008-06-18 - 主分类号： H01L27/28 文献下载
摘要：本发明提供一种图像显示装置，包括由多个像素构成的显示部和进行显示部的控制的外围集成电路，在对冲击和弯曲的耐久性高的支承基板上设置显示装置，由有机半导体薄膜晶体管构成像素电路，由低温多晶硅薄膜晶体管构成外围集成电路，除去制造该外围集成电路时的支承基板而设置在显示装置的支承基板，用相同布线连接像素电路和外围集成电路。由此，能够提高超薄超轻图像显示装置的对冲击和弯曲的耐久性，能够弯曲使用和曲面安装，并通过削减制造工序数来降低制造成本，易于大型化。
薄膜晶体管装置图像显示装置及其制造方法

[发明专利]利用了单分子膜的有机晶体管-CN200710163065.8有效
发明人：诹访雄二;桥诘富博;安藤正彦;芝健夫 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2007-09-29 - 公布日： 2008-04-16 - 主分类号： H01L27/28 文献下载
摘要：提供一种低成本地降低在使有机半导体进行p型动作时产生的电极与有机半导体的接触电阻的方法，和低成本地使原本易于作为p型动作的有机半导体进行n型动作的方法。而且，提供能使用这些方法低成本地制造的p型沟道FET、n型沟道FET、以及互补型MOS(CMOS)晶体管。通过将具有在CMOS中的p型沟道FET的部分，原样使用易于作为p型半导体进行的动作的有机半导体，在n型沟道FET的部分使相同的有机半导体作为n型进行动作的效果的单分子膜夹在电极与半导体之间，低成本地在同一衬底上做成p型区域和n型区域。
利用分子有机晶体管

[发明专利]图像显示装置及其制造方法-CN200710141176.9有效
发明人： 芝健夫;波多野睦子;山口伸也;朴成基 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2002-07-10 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： G02F1/1362 文献下载
摘要：一种电路内安装薄膜晶体管方式的图像显示装置，在基板上有显示像素块以及包括显示装置的四个角的外围电路块，在上述显示像素块及电路块的全部表面上或一部分上设有由晶体沿各向异性生长的多晶硅膜的晶粒的长度方向和电流方向一致的薄膜晶体管构成的电路，其方向在块内部沿水平方向或垂直方向对齐，该沿水平方向和垂直方向对齐的块从同一直线上看允许混合配置。
图像显示装置及其制造方法

[发明专利]具有有机薄膜晶体管的半导体器件的制造方法-CN200710105443.7有效
发明人：新井唯;芝健夫;安藤正彦;鸟居和功 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2007-05-30 - 公布日： 2007-12-05 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：由于使用印刷法产生位置偏移，所以无法形成介于绝缘膜使下部电极和上部电极良好对位的电极衬底。如果使用光掩模进行对位，则大幅度提高成本。在本发明中，由于自匹配地进行下部电极和上部电极的对位，所以，即使使用印刷法也不发生位置偏移。因此，能使用印刷法廉价地制造使用了有机半导体的挠性衬底等半导体器件。
具有有机薄膜晶体管半导体器件制造方法

[发明专利]摄像功能一体式显示装置-CN200480042779.8有效
发明人：丰田善章;古川直广;池田尚司;芝健夫;松村三江子 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2004-04-19 - 公布日： 2007-03-28 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明的图像显示装置，对在透明基片上2维配置了由薄膜发光二极管构成的光传感器和由TFT构成的读取功能的面传感器附加显示功能。在具有读取功能的像素上设置有光透射区域，进而，薄膜发光二极管和TFT由近乎透明的材料形成，所以装置本身为透明的。由此，在使用者将面传感器放置于印刷物上的状态下，就能够直接阅览印刷物的内容。进而，通过使用者从装置上指定需要的图像等方法，就能够只在需要的时候读取图像。由此，能够降低装置的功耗。
摄像功能体式显示装置

[发明专利]液晶显示装置-CN200610126219.1无效
发明人：川崎昌宏;芝健夫;今关周治;安藤正彦 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2006-08-28 - 公布日： 2007-03-14 - 主分类号： G02F1/136 文献下载
摘要：本发明提供可以防止取向膜形成时的有机半导体膜的老化，采用高性能的有机薄膜晶体管的廉价的液晶显示装置。在该液晶显示装置中，包括：具有栅电极、栅绝缘膜、源·漏电极、半导体层的薄膜晶体管；以及，具有配线、像素电极的各构件的薄膜晶体管基板；在该基板间夹持液晶层的对向基板的液晶显示装置中，未插入具有控制半导体层与液晶层之间的液晶层分子取向的功能的取向膜。
液晶显示装置

[发明专利]图像显示装置-CN200410005524.6有效
发明人： 芝健夫;寺尾元康;松冈秀行 -专利权人：株式会社日立制作所;株式会社日立显示器
申请日： 2004-02-11 - 公布日： 2005-02-02 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：提供一种图像显示装置，可同时兼顾图像显示装置的功耗的降低、存储器面积的缩小和多位的图像数据的高画质显示。该图像显示装置具有由多个像素构成的显示部和对该显示部进行控制的控制部，其中，设置有由在各像素中将显示数据存储一定时间以上的至少一个开关和利用硫属化物材料的可变电阻存储元件组成的非易失性相变像素存储器，或是由在控制部中保持1帧显示数据的至少一个开关和利用硫属化物材料的可变电阻存储元件组成的非易失性相变帧存储器。
图像显示装置

[发明专利]薄膜半导体器件及其制造方法和图像显示装置-CN03119909.7无效
发明人：朴成基;山口伸也;波多野睦子;芝健夫 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2003-02-28 - 公布日： 2004-01-14 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：薄膜半导体器件是利用熔化的半导体的表面张力的凝结现象，在绝缘性基板的整个面上，或在特定的区域形成孤立的单晶薄膜的岛区域，在该岛区域中形成薄膜晶体管的有源区域。
薄膜半导体器件及其制造方法图像显示装置

[发明专利]半导体薄膜器件及其制造方法和图像显示装置-CN02140592.1有效
发明人：波多野睦子;山口伸也;芝健夫 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2002-07-10 - 公布日： 2003-12-17 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明的课题是在绝缘性基片上控制粒界、粒径和结晶方位。解决方法是使用下述的半导体薄膜器件，其中，在变形点为600度以下的绝缘性的基片上形成的膜厚为200nm以下的半导体薄膜中，具有交替地将缺陷密度比1×1017cm－3小的第1半导体薄膜区和缺陷密度为1×1017cm－3以上的第2半导体薄膜区配置成条状的区域，上述第1半导体薄膜区的宽度比上述第2半导体薄膜区的宽度大。本发明的效果是可得到具有高品质的半导体薄膜的半导体薄膜器件。
半导体薄膜器件及其制造方法图像显示装置

[发明专利]薄膜半导体器件-CN03136734.8有效
发明人：山口伸也;波多野睦子;田井光春;朴成基;芝健夫 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2003-05-15 - 公布日： 2003-11-26 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明将通过提供使低温多晶硅实现大粒径化且使表面平坦化以充分地确保栅耐压的技术来实现高迁移率的半导体装置和图像显示装置作为课题。本发明的薄膜半导体器件中，通过对固体激光等的连续的振荡光在时间和空间方面进行调制以实现对于硅薄膜的结晶结构和生长速度来说接近于最佳的结晶生长，通过形成大粒径、在粒界部中呈现没有凸起的平坦性且其面取向被控制的结晶粒并使用这些结晶粒形成沟道，实现高迁移率的半导体装置和图像显示装置。
薄膜半导体器件

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