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[发明专利]一种橡皮囊柔性成型装置-CN202111325576.1有效
发明人：王瑞;冯卫;孙志芳;付强红;陈明伟;傅晓伟;王浩;王辰秋;沈玲燕 -专利权人：海宁红狮宝盛科技有限公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： B29D22/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种橡皮囊柔性成型装置，属于机械技术领域。一种橡皮囊柔性成型装置，包括成型机本体，成型机本体包括下压装置和底模装置，底模装置设置在下压装置下方且底模装置能够相对于下压装置水平移动；还包括用于对底模装置送入或者取出零部件的第一取放装置和用于对底模装置放入或者取出橡胶压块的第二取放装置。本发明具有自动对零部件成型的优点。
一种橡皮柔性成型装置

[发明专利]一种提高p-GaN HEMT电流能力及工艺稳定性的方法-CN202310196607.0在审
发明人： 沈玲燕;程新红;郑理 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2023-03-03 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高p‑GaN HEMT电流能力及工艺稳定性的方法。该方法包括：(1)在Si衬底上GaN材料外延，自上而下分别生长AlN成核层、AlGaN缓冲层、GaN沟道层、AlGaN势垒层；(2)在AlGaN势垒层表面生长二维材料层；(3)在二维材料层表面生长p‑GaN层；(4)P‑GaN栅极制备；(5)源漏姆接触制备；(6)金属互连及电极制作。该方法制备的pGaN HEMT器件中AlGaN势垒层中不含表层Mg离子，二维电子气密度与理论上更接近，具有器件电阻小、电流能力大的优点，同时消除了因栅极下方Mg离子扩散深度和浓度不可控性引起的阈值电压不稳定性，使得片间阈值电压不均一性降低。
一种提高 gan hemt 电流能力工艺稳定性方法

[外观设计]茶壶（观复）-CN202230759075.3有效
发明人： 沈玲燕 -专利权人： 沈玲燕
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： 07-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：茶壶（观复）。2.本外观设计产品的用途：用于沏茶，装茶水的容器。3.本外观设计的设计要点：该外观设计的形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
茶壶观复

[发明专利]一种堆叠式增强型GaN HEMT器件及其制备方法-CN202211257095.6在审
发明人： 沈玲燕;程新红;郑理;俞文杰 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2022-10-14 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L27/085 文献下载
摘要：本发明涉及一种堆叠式增强型GaN HEMT器件及其制备方法，所述器件采用背栅SOILDMOS与D‑mode GaN HEMT形成堆叠式Cascode结构，实现增强型。本发明的阈值电压由背栅SOILDMOS决定，可以通过调节硅离子注入和BOX层厚度实现增强型，同时相比于传统系统级封装(SystemInaPackage，SIP)的cascade增强型GaN器件，本发明提出的堆叠式结构实现了SOC(SystemOnaChip)，减小了寄生参数，节约了芯片面积，降低了器件成本，更有利于器件的高频、小型化应用。
一种堆叠增强 gan hemt 器件及其制备方法

[实用新型]一种用于橡皮囊压块的取放装置-CN202122748545.9有效
发明人：傅晓伟;沈玲燕;殷跃飞;张宇杰;方超;邓秋龙;周梦凯;王浩 -专利权人：海宁红狮宝盛科技有限公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： B21D22/10 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种用于橡皮囊压块的取放装置，属于机械技术领域。一种用于橡皮囊压块的取放装置，包括升降架；驱动装置，驱动装置与升降架连接，用于带动升降架升降；和至少两个转动臂，转动臂转动连接在升降架上，转动臂上设置有用于锁紧转动臂的第一锁紧件，每个转动臂上均滑动连接至少一个移动块，移动块上设置有用于锁紧移动块的第二锁紧件，移动块上连接有吸盘组件。本实用新型具有自动取放橡皮压块的优点。
一种用于橡皮囊压块装置

[实用新型]一种发动机机架-CN202123061179.6有效
发明人：陈永建;杨虎;丁沈超;王吉豪;马栋;潘振宁;沈玲燕;张朋;杨平 -专利权人：海宁红狮宝盛科技有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： B25H1/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种发动机机架，包括底座，所述底座顶端转动设置有支撑支架，所述支撑支架相互靠近的一侧均转动设置有连接块，所述连接块相互靠近的一侧转动设置有反向螺纹丝杆，所述反向螺纹丝杆一端贯穿连接块并连接设置有转动把手，所述支撑支架顶端转动设置有升降台，所述升降台顶端固定设置有支撑板，所述支撑板顶端固定设置有导板，所述导板一侧滑动设置有调节架，所述调节架底端固定设置有滑动架，所述升降台顶端固定设置有导轨，所述滑动架与导轨滑动连接，所述调节架顶端和导板相互靠近的一侧均固定设置有托板，所述导板顶端均固定设置有竖板。本实用新型降低人力资源的消耗，提升工作效率。
一种发动机机架

[发明专利]基于Hopkinson杆的瞬态测温系统-CN202210087893.2在审
发明人：刘永贵;沈玲燕;王树仁;张勃阳;王庭辉 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： G01N3/60 文献下载
摘要：本发明公开了基于Hopkinson杆的瞬态测温系统，包括：聚焦光学系统，位于分离式Hopkinson杆系统式样的正下方，用于对试样变形产生的产生一定波长范围的热辐射信号进行汇聚，HgCdTe红外探测器，位于聚焦光学系统中心的垂直线上，用于对汇聚的热辐射信号转化为电信号后放大，斩波器，位于HgCdTe红外探测器前，用于产生交变信号，形成对HgCdTe红外探测器的激励，记录显示系统，用于采集HgCdTe红外探测器的激励下产生的原始电压信号，从而根据斩波器交变信号产生对温度进行标定时信号，建立直接显示的电压信号同材料实际温度的关系。该方法实现了对动态应力状态下，温度和变形的同时测量。
基于 hopkinson 瞬态测温系统

[发明专利]基于界面钝化层的MOS电容器及其制备方法-CN201710661954.0有效
发明人：程新红;王谦;李静杰;郑理;沈玲燕;张栋梁;顾子悦;钱茹;俞跃辉 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2017-08-04 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明提供一种基于界面钝化层的MOS电容器及其制备方法，制备包括：提供一重掺杂的衬底，并于衬底一表面上形成轻掺杂的外延层；于外延层内形成欧姆接触区；于外延层表面形成界面钝化层，并于界面钝化层表面形成栅结构，于结构表面形成表面钝化层，并于表面钝化层内形成第一窗口及第二窗口；制作栅极金属电极、第一欧姆接触电极及第二欧姆接触电极。通过上述方案，本发明对MOS电容器的界面进行了优化，在栅介质层与外延层之间引入了界面钝化层，可消除MOS器件界面处不利的界面层，降低了界面密度和界面陷阱，制备方法简单，效果显著，提供了一种有效提高栅介质层与碳化硅界面特性的途径，具有广泛的应用前景。
基于界面钝化 mos 电容器及其制备方法

[外观设计]茶壶（修筠）-CN202030190575.0有效
发明人：喻小芳 -专利权人： 沈玲燕
申请日： 2020-04-19 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： 07-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：茶壶（修筠）。2.本外观设计产品的用途：用于沏茶，装茶水的容器。3.本外观设计产品的设计要点：该外观设计产品的形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
茶壶修筠

[发明专利]沟槽型MOSFET功率器件及其制作方法-CN201710711410.0有效
发明人：程新红;王谦;郑理;沈玲燕;张栋梁;顾子悦;钱茹;俞跃辉 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种沟槽型MOSFET功率器件及其制作方法，所述制作方法包括：1）提供一衬底，于所述衬底的表面形成外延层；2）于所述外延层中刻蚀出环形沟槽；3）于所述环形沟槽内侧形成环形阱区，于所述环形阱区中形成源区和重掺杂区；4）依次形成栅介质层和栅极；5）形成钝化层；6）形成环形窗口，于所述环形窗口内形成源极欧姆接触层，于所述衬底底部表面形成漏极欧姆接触层；7）刻蚀出栅极窗口；8）分别制作栅极电极、源极电极和漏极电极。本发明通过把最高电场拉入器件体内，解决现有技术中因为电场强度太大导致器件被过早击穿的问题，从而提高器件可靠性，保证电路及设备安全，同时能帮助提高电能利用率以及实现电子电力装置的小型化。
沟槽 mosfet 功率器件及其制作方法

[发明专利]一种MOS功率器件及其制备方法-CN201710678411.X有效
发明人：程新红;王谦;郑理;沈玲燕;张栋梁;顾子悦;钱茹;俞跃辉 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2017-08-10 - 公布日： 2020-03-24 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种MOS功率器件及其制备方法，方法包括：提供一第一掺杂类型重掺杂的衬底，并于第一表面上形成第一掺杂类型轻掺杂的外延层；于外延层内形成阱区；于阱区内形成环绕JFET区的源区，并于环绕源区的阱区内形成保护区；于定义的JFET区进行所述第一掺杂类型的掺杂，形成JFET掺杂区；于外延层表面形成栅结构，并于所述栅结构表面沉积表面钝化层；形成与栅结构电连接的栅金属电极，于源区表面形成源金属电极，于衬底的第二表面形成漏金属电极。通过上述方案，本发明在常规平面栅MOSFET功率器件的JFET区域进行n型离子注入后，可以显著降低JFET区电阻，进而降低器件导通电阻；采用光刻胶代替常规的二氧化硅作为注入掩膜，大大降低工艺成本以及缩减工艺流程。
一种 mos 功率器件及其制备方法

[发明专利]一种泥石流路面临时防护装置-CN201810126948.X有效
发明人：贺拿;曾梅;孙兴伟;闫芙蓉;崔芳;孙辉;沈玲燕 -专利权人：河南理工大学
申请日： 2018-02-08 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： E02D17/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种智能泥石流路面临时防护装置，包括防护车和若干监测预警装置，防护车设置在路基两侧的移动导轨中，路基与移动导轨之间设有下水道，移动导轨边缘和易发生泥石流的坡体底端铺设有加固板，底盘上设有并列的第一防护网和第二防护网，监测预警装置设置在路基旁的易发生泥石流的坡体上，监测预警装置主要包括第一信号处理器和转动电机，第一信号处理器与第二信号处理器均与控制终端信号连接，本发明能够监测路基旁边斜坡体水分变化，并传输给控制终端，配合易发生泥石流坡体的图像信息，为泥石流防护工作提供大量精确有效数据，为泥石流防灾减灾服务，同时可以在发生泥石流时起到预警效果。
泥石流监测预警装置移动导轨路基处理器坡体临时防护装置控制终端防护车防护网第二信号防灾减灾水分变化图像信息信号连接有效数据预警效果转动电机加固板斜坡体底盘下水道底端并列防护铺设传输智能监测配合服务

[发明专利]SiC器件栅介质层及SiC器件结构的制备方法-CN201710737098.2有效
发明人：程新红;王谦;郑理;沈玲燕;张栋梁;顾子悦;钱茹;俞跃辉 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种SiC器件栅介质层及SiC器件结构的制备方法，栅介质层的制备方法包括：提供一SiC基材，并将SiC基材置于ALD反应腔室中；将ALD反应腔室升温至适于后续所要形成的栅介质层生长的温度；采用ALD工艺于SiC基材表面形成栅介质层。通过上述技术方案，本发明的栅介质层在生长过程中，未消耗SiC外延片中的Si原子从而避免了栅介质薄膜与SiC界面处C族聚集的现象，提高了界面特性；本发明利用ALD技术形成栅介质层，热预算低，简化器件制备工艺过程；本发明的利用ALD技术形成的栅介质层临界击穿强度高，漏电小，具有较高的介电常数，可大幅降低引入栅介质薄膜中的电场强度，避免栅介质击穿。
sic 器件介质结构制备方法

[发明专利]基于AlGaN/p-GaN沟道的增强型纵向功率器件及制作方法-CN201810217899.0在审
发明人： 沈玲燕;程新红;郑理;张栋梁;王谦;顾子悦;俞跃辉 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2018-03-16 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供一种基于AlGaN/p‑GaN沟道的增强型纵向功率器件及制作方法，该器件包括层叠的GaN衬底、GaN漂移区、GaN阱区以及GaN外延层，所述GaN衬底、GaN漂移区、GaN阱区及GaN外延层的晶向为a轴竖直向上；栅沟槽，穿过n型导电的GaN外延层及p型导电的GaN阱区，并延伸至n型导电的GaN漂移区内；AlGaN层，形成于栅沟槽的底部及侧壁，AlGaN层与p型导电的GaN阱区形成AlGaN/p‑GaN异质结沟道；栅介质层；栅极金属层；接触槽，接触槽中填充有金属接触层，金属接触层与GaN阱区形成欧姆接触；上电极以及下电极。本发明可有效提高沟道电子迁移率，减小器件导通电阻，同时提高阈值电压实现增强型的器件结构。
阱区增强型沟道纵向功率器件金属接触层接触槽漂移区栅沟槽衬底漂移栅极金属层导通电阻沟道电子欧姆接触器件结构竖直向上栅介质层阈值电压迁移率下电极异质结电极侧壁减小晶向填充制作穿过延伸

[发明专利]一种基于SOI-量子点异质结的红外探测器制备方法-CN201710602303.4有效
发明人：郑理;程新红;宁志军;徐大伟;沈玲燕;王谦;张栋梁;顾子悦;俞跃辉 -专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所
申请日： 2017-07-21 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种基于SOI‑量子点异质结的红外探测器制备方法，包括：1)提供SOI衬底，包括顶层硅、底层硅以及埋氧层；2)刻蚀顶层硅的边缘区域；3)在顶层硅表面两侧沉积金属接触材料，再经退火形成金属硅化物作为源区接触层和漏区接触层；4)沉积覆盖所述源区接触层和漏区接触层的源区金属电极和漏区金属电极，并在所述底层硅的表面沉积底栅金属电极；5)在所述顶层硅与源区接触层、漏区接触层的接触界面上进行离子注入与激活，形成P⁺区域和N⁺区域；6)在所述顶层硅表面形成量子点。本发明采用SOI作为衬底，并结合量子点制备获得红外探测器，使Si基红外探测系统具有寄生效应小、抗干扰、速度快、功耗低、集成度高、抗单粒子辐照能力强等优点。
量子点漏区红外探测器源区接触顶层硅接触层制备顶层硅表面金属电极底层硅异质结衬底退火底栅金属电极红外探测系统金属硅化物边缘区域表面沉积沉积金属辐照能力寄生效应接触材料接触界面抗单粒子集成度抗干扰埋氧层沉积功耗刻蚀源区离子激活覆盖

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