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[发明专利]一种超声波室内三维定位系统及方法-CN202210730209.8在审
发明人：徐方良;李芬;何野;徐波 -专利权人： 江苏英特神斯科技有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G01S11/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种超声波室内三维定位系统及方法。所述的超声波室内三维定位系统包括中央控制模块、发射模块和接收模块，所述中央控制模块包含中央控制单元、声速修正模块和无线通讯模块，所述的发射模块包括发射控制单元、超声发射模块和无线通讯模块，所述的接收模块包括接收处理单元、无线通讯模块和超声接收模块；其中的超声发射模块采用指向性达到180°的PMUT，包括由1个或多个不同频率的低频超声换能器组成的区域定位超声换能器，以及由3个以上不同频率的高频超声换能器组成的位置定位超声换能器，超声接收模块采用宽带麦克风。所述的超声波室内三维定位系统可实现较大范围空间精确三维定位，定位精度达到毫米级。
一种超声波室内三维定位系统方法

[发明专利]一种压电微机械超声换能器阵列及其制造方法-CN202210730214.9在审
发明人：徐方良;李芬;何野;徐波 -专利权人： 江苏英特神斯科技有限公司
申请日： 2022-06-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种压电微机械超声换能器阵列，包括衬底层、支撑层和结构层，其中结构层由上电极、压电层、下电极构成，部分刻蚀后与支撑层形成一组振动薄膜，衬底层部分刻蚀后形成与振动薄膜相对应的一组空腔结构，构成由PMUT振元组成的阵列，所述PMUT振元包括振动薄膜和与其对应的空腔结构；任一所述PMUT振元的空腔结构与至少一个相邻PMUT振元的空腔结构通过沟道进行连接。本发明的带沟道的压电微机械超声换能器阵列，将衬底层上原本独立的空腔结构通过沟道进行连接，以避免或降低在衬底层刻蚀过程中footing效应对结构的影响，改善振元一致性，提升器件性能，适合于高频PMUT阵列的设计和制造。
一种压电微机超声换能器阵列及其制造方法

[发明专利]一种多频自聚焦微机械超声换能器-CN202010042311.X有效
发明人：何野;徐波;徐方良 -专利权人： 江苏英特神斯科技有限公司
申请日： 2020-01-15 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种多频自聚焦微机械超声换能器，包括二种以上频率的振元，相同频率的振元组成一个振元阵列；任一所述的振元阵列由至少一组圆环状排列的振元组成，所述振元阵列的圆环中心相互重合；并且任一所述的振元所处圆环半径由公式(1)确定。本发明的微机械超声换能器采用环形阵列结构，通过设计MUT阵列器件振元以及其在器件上的分布，在单一MUT器件上实现了多频和自聚焦的功能。
一种自聚焦微机超声换能器

[实用新型]一种晶圆单面腐蚀保护夹具-CN202121288226.8有效
发明人：徐波;何野;徐方良 -专利权人： 江苏英特神斯科技有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种晶圆单面腐蚀保护夹具，包括吸附组件以及防腐组件，吸附组件包括真空吸盘、固定开设在真空吸盘一侧外缘面的导气槽、分别贯穿真空吸盘的导气槽过孔以及导气孔，防腐组件包括沿导气槽几何中心位置向外周方向延伸出的一密封卡槽。本实用新型通过真空吸附的方式有效简化操作过程，易于实现自动化操作，且通过多组真空吸盘一次完成多片晶圆的腐蚀，适用于大规模MEMS器件的生产与制造。
一种单面腐蚀保护夹具

[实用新型]一种压电微机械超声换能器封装结构-CN202121288234.2有效
发明人：徐波;何野;徐方良 -专利权人： 江苏英特神斯科技有限公司
申请日： 2021-06-09 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： G10K9/122 文献下载
摘要：本实用新型提供一种压电微机械超声换能器封装结构，包括下电极、压电层、上电极、机械层、衬底层以及过渡层，下电极、压电层以及上电极自下而上由SOI材料依次沉积且设于机械层外缘面；衬底层与下电极以机械层相对称，且固定设于机械层另一外缘面；衬底层通过刻蚀工艺相对于机械层外缘面形成一空腔结构；向空腔结构浇筑胶体材料形成过渡层；过渡层远离与机械层连接处的外缘面粘接有吸声层。本实用新型通过在常规PMUT压电微机械超声换能器正面添加匹配层，在其背面浇筑胶体材料形成过渡层，并通过设置吸声材料的方式，有效提高PMUT压电微机械超声换能器的发射和接收效率，增大其工作带宽与耐压等级，降低背面材料的回波。
一种压电微机超声换能器封装结构

[实用新型]一种带有多个芯片的薄膜压电马达-CN202121211361.2有效
发明人：徐波;何野;胡启俊;许钦印 -专利权人： 江苏英特神斯科技有限公司
申请日： 2021-06-01 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H02N2/12 文献下载
摘要：本实用新型提供一种带有多个芯片的薄膜压电马达，包括转子、薄膜压电材料以及支撑组件，支撑组件外缘面设有薄膜压电材料，薄膜压电材料远离与支撑组件连接处的外缘面设有复数马达结构，每个马达结构内部均配合安装有转子，用于通过外部驱动电压作用以迫使薄膜压电材料驱动转子进行旋转。通过将带有多个马达结构的薄膜压电材料分成单个且带有独立马达结构芯片的方式，以及在单个马达结构芯片连接处设立独立更换间隙的方式，达到本实用新型中薄膜压电材料更换的方便性，同时降低维修的成本，提高本实用新型的性价比。
一种带有芯片薄膜压电马达

[实用新型]一种深反应离子刻蚀用可动结构的牺牲层保护装置-CN202121146980.8有效
发明人：徐波;何野;胡启俊 -专利权人： 江苏英特神斯科技有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种深反应离子刻蚀用可动结构的牺牲层保护装置，涉及深反应离子刻蚀技术领域，为解决现有深反应离子刻蚀用可动结构在取出时会被液体造成流动损坏，导致牺牲层进一步损坏的问题。所述连接柱的外部设置有防护伸缩套，所述防护伸缩套的两侧均设置有拉伸柱，所述连接柱的下端设置有吸盘，所述吸盘的下端设置有反应硅片，所述连接柱的内部设置有拔力柱，所述拔力柱的一端设置有橡胶头，且橡胶头与拔力柱粘性连接。
一种反应离子刻蚀用可动结构牺牲保护装置

[实用新型]一种基于深反应离子刻蚀加工掩膜图形用直角补偿装置-CN202121146987.X有效
发明人：徐波;何野;胡启俊 -专利权人： 江苏英特神斯科技有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于深反应离子刻蚀加工掩膜图形用直角补偿装置，涉及深反应离子刻蚀加工技术领域，为解决现有深反应离子刻蚀加工掩膜图形作业时对光线角度调节效果一般，对此我们需要对其进行加强的问题。所述直角补偿机构本体的外壁安装有直角管体，且直角管体为L型，所述直角管体的内部安装有第二电动转轴，所述第二电动转轴的一端安装有镜架，所述镜架的前端安装有反射镜体，所述直角管体的一端安装有管体入口，所述直角管体的另一端安装有管体出口，所述直角管体上端的内壁安装有第一电动转轴，且第一电动转轴安装有两组，所述第一电动转轴的一端安装有第一电动挡板，所述管体入口的上方安装有光源箱。
一种基于反应离子刻蚀加工图形直角补偿装置

[发明专利]一种基于PMUT的图像声呐接收阵及其制造方法-CN202110659721.3在审
发明人：徐方良;何野;徐波 -专利权人： 江苏英特神斯科技有限公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： G01S15/89 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于PMUT的图像声呐接收阵及其制造方法。所述的图像声呐接收阵包括承压壳体、PMUT模块、PCB转接板和电子仓；所述的PMUT模块在PCB转接板上均匀分布组成阵列，通过引脚焊盘和PCB转接板进行连接，所述的PCB转接板和电子仓通过信号传输接口进行连接，所述的承压壳体覆盖在PMUT模块上，并与PCB转接板粘接；所述PMUT模块包括管壳和封装于管壳中的PMUT芯片，PMUT芯片表面形成空腔，PMUT阵元裸露，空腔内填充耦合剂。本发明可实现图像声呐接收阵阵元高一致性制造以及阵元的全连接。
一种基于 pmut 图像声呐接收及其制造方法

[实用新型]集成压电薄膜芯片和减速器的薄膜压电马达-CN202021081758.X有效
发明人：胡启俊;何野;徐波 -专利权人： 江苏英特神斯科技有限公司
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H02N2/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种集成压电薄膜芯片和减速器的薄膜压电马达，包括压电薄膜芯片，一组转子齿轮，以及中心齿轮和/或内齿圈；所述的压电薄膜芯片上包含一组薄膜压电马达的定子，所述的定子与转子齿轮底部的转子平台形成旋转式压电马达单元；所述转子齿轮，中心齿轮和/或内齿圈的旋转轴相互平行且轴心位置固定，任一转子齿轮与中心齿轮和/或内齿圈相互啮合，转子齿轮的旋转方向相同，所述的薄膜压电马达的力矩由中心齿轮或内齿圈输出。本实用新型将压电薄膜芯片与减速器集成，充分利用压电薄膜芯片的潜能，设计得到大体积、大力矩、高旋转精度的新型薄膜压电马达。
集成压电薄膜芯片减速器马达

[发明专利]一种集成压电薄膜芯片和减速器的薄膜压电马达-CN202010534801.1在审
发明人：胡启俊;何野;徐波 -专利权人： 江苏英特神斯科技有限公司
申请日： 2020-06-12 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H02N2/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成压电薄膜芯片和减速器的薄膜压电马达，包括压电薄膜芯片，一组转子齿轮，以及中心齿轮和/或内齿圈；所述的压电薄膜芯片上包含一组薄膜压电马达的定子，所述的定子与转子齿轮底部的转子平台形成旋转式压电马达单元；所述转子齿轮，中心齿轮和/或内齿圈的旋转轴相互平行且轴心位置固定，任一转子齿轮与中心齿轮和/或内齿圈相互啮合，转子齿轮的旋转方向相同，所述的薄膜压电马达的力矩由中心齿轮或内齿圈输出。本发明将压电薄膜芯片与减速器集成，充分利用压电薄膜芯片的潜能，设计得到大体积、大力矩、高旋转精度的新型薄膜压电马达。
一种集成压电薄膜芯片减速器马达

[发明专利]一种MEMS压阻式压力传感器及其制造方法-CN201410264612.1有效
发明人：何野;董健;蒋恒;龙芝剑 -专利权人： 江苏英特神斯科技有限公司
申请日： 2014-06-13 - 公布日： 2017-12-01 - 主分类号： G01L9/06 文献下载
摘要：一种MEMS压阻式压力传感器及其制造方法。本发明提供了一种基于阳极键合封装的MEMS压阻式压力传感器，所述的传感器具有第一键合玻璃‑硅基‑第二键合玻璃三明治结构；所述硅基通过采用表面微加工技术与体微加工技术制造带有淡硼扩散压阻的膈膜作为压阻式压力传感器结构，并且利用二次阳极键合技术进行圆片级封装，第一次阳极键合采用硅‑玻璃阳极键合，第二次阳极键合利用非晶硅‑玻璃阳极键合技术的封装解决了传统硅‑玻璃阳极键合过程中容易击穿硅表面PN结和产生离子污染等缺点；本发明压力传感器结构新颖、重量轻、体积小、稳定性好、抗污染能力强、可靠性好，在航空航天、军事、汽车、环境监测等领域具有一定的应用前景。
一种 mems 压阻式压力传感器及其制造方法

[发明专利]一种硅基绝缘层上多晶硅介质与玻璃的阳极键合方法及其应用-CN201610307164.8在审
发明人：柳俊文;何野;徐波 -专利权人： 江苏英特神斯科技有限公司
申请日： 2016-05-09 - 公布日： 2017-11-17 - 主分类号： B81C3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅基绝缘层上多晶硅与玻璃的阳极键合方法，所述方法为(1)在硅衬底面上沉积一层绝缘层；(2)以光刻胶作掩膜，对绝缘层进行刻蚀，将硅衬底面与多晶硅将要连通的区域暴露出来形成开槽区；(3)在开设有开槽区的硅衬底面的绝缘层上沉积一层多晶硅，多晶硅在所述的开槽区与硅基导通；(4)所述的多晶硅与玻璃进行阳极键合；当硅‑玻璃键合面区域存在高压敏感结构时，本发明方法使键合电流在阳极键合过程中不通过这些结构，以实现MEMS器件的电学性能保护，同时仍然保证多晶硅‑玻璃的键合强度。
一种绝缘多晶介质玻璃阳极方法及其应用

[发明专利]一种压阻式压力传感器及其制造方法-CN201410264486.X有效
发明人：何野;董健;蒋恒;龙芝剑 -专利权人： 江苏英特神斯科技有限公司
申请日： 2014-06-13 - 公布日： 2017-09-15 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：一种压阻式压力传感器及其制造方法。本发明提供了一种基于阳极键合封装的MEMS压阻式压力传感器，所述的传感器具有第一键合玻璃‑硅基‑第二键合玻璃三明治结构；所述硅基通过采用表面微加工技术与体微加工技术制造带有淡硼扩散压阻的膈膜作为压阻式压力传感器结构，并且利用二次阳极键合技术进行圆片级封装，第一次阳极键合采用硅‑玻璃阳极键合，第二次阳极键合利用非晶硅‑玻璃阳极键合技术的封装解决了传统硅‑玻璃阳极键合过程中容易击穿硅表面PN结和产生离子污染等缺点；本发明压力传感器结构新颖、重量轻、体积小、稳定性好、抗污染能力强、可靠性好，在航空航天、军事、汽车、环境监测等领域具有一定的应用前景。
一种压阻式压力传感器及其制造方法

[发明专利]基于硅硅直接键合的压力传感器及其制造方法-CN200910031012.X有效
发明人：沈广平;何野;徐波 -专利权人： 江苏英特神斯科技有限公司
申请日： 2009-04-22 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： G01L1/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于硅硅直接键合的压力传感器，包括一个具有浅槽(8)的硅衬底(1)，硅衬底(1)上为单晶硅应力薄膜(2)，硅衬底(1)与应力薄膜(2)间为二氧化硅层(3)；在应力薄膜(2)上为四个P型单晶硅压阻(4)，应力薄膜(2)与压阻(4)间为绝缘介质二氧化硅层(7)；压阻(4)之间利用浓硼掺杂硅(9)和金引线(6)形成惠斯通电桥。本发明的压力传感器采用硅硅直接键合技术形成应力薄膜和密封腔，其压阻采用二氧化硅作为绝缘层，工作温度可高达300℃；结构牢固，性能优良，可以满足汽车、航空航天等领域对高温压力传感器的需求。本发明还涉及所述压力传感器的制造方法。
基于直接压力传感器及其制造方法

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