[发明专利]获得外延层工艺条件的方法、外延层的形成方法在审
| 申请号： | 202310835203.1 | 申请日： | 2023-07-07 |
| 公开（公告）号： | CN116949568A | 公开（公告）日： | 2023-10-27 |
| 发明（设计）人： | 丁科允 | 申请（专利权）人： | 江苏天芯微半导体设备有限公司 |
| 主分类号： | C30B25/16 | 分类号： | C30B25/16;C30B25/10;C30B29/06 |
| 代理公司： | 上海元好知识产权代理有限公司 31323 | 代理人： | 朱成之 |
| 地址： | 214111 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明涉及一种获得外延层工艺条件的方法，包含以下步骤：S1、提供一外延设备，包括腔体、设置在腔体上方的上加热组件、设置在腔体下方的下加热组件；S2、提供一晶圆；S3、设定第一工艺温度；S4、设定上加热组件和下加热组件的功率参数；S5、将第一工艺温度调整到第二工艺温度，同时向腔体内通入工艺气体，生长外延层；S6、选取晶圆表面若干点位，测量点位的外延层的厚度，判断各点位的厚度是否满足预设条件，若否，则调整上加热组件和下加热组件的功率参数，重新执行步骤S4至S6；若是，则执行步骤S7；S7、记录最后的功率参数与其对应的第一、第二工艺温度形成外延层的工艺条件。本发明的方法获得的工艺条件可以避免晶圆发生弛豫现象。 | ||
| 搜索关键词： | 获得 外延 工艺 条件 方法 形成 | ||
【主权项】：
暂无信息
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