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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]存储器-CN202111173669.7在审
发明人：叶腾豪;吕函庭;宋政霖;林永丰 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：本公开提供一种存储器装置，存储器装置包含3D数据存储器及3D参考存储器。参考存储器用于产生用于感测数据存储器中的数据的参考信号。转换电路将来自参考存储器中的存储器单元的群组的信号转换成参考信号。参考信号施加至感测放大器以感测储存于数据存储器中的被选定存储器单元中的数据。
存储器

[发明专利]存储器-CN202111173526.6在审
发明人：叶腾豪;吕函庭;宋政霖;林永丰 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-10-08 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：本公开提供一种存储器装置，存储器装置包含3D数据存储器及3D参考存储器。参考存储器用于产生用于感测数据存储器中的数据的参考信号。转换电路将来自参考存储器中的存储器单元的群组的信号转换成参考信号。参考信号施加至感测放大器以感测储存于数据存储器中的被选定存储器单元中的数据。
存储器

[发明专利]半导体装置及其操作方法-CN202111190784.5在审
发明人：吕函庭;宋政霖;陈威臣 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本公开提供一种半导体装置，包括一第一垂直叠层、一第一垂直通道线、一第一数据储存结构以及一第一栅极介电结构。第一垂直叠层包括一第一导线以及一第二导线。第一垂直通道线垂直通过第一导线与第二导线，第一垂直通道线为P型通道。第一数据储存结构设置于第一导线与第一垂直通道线之间。第一栅极介电结构设置于第二导线与第一垂直通道线之间。
半导体装置及其操作方法

[发明专利]脉冲神经网络电路及其运作方法-CN202010424168.0在审
发明人： 宋政霖;叶腾豪 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： G06N3/063 文献下载
摘要：本发明公开了一种脉冲神经网络电路及其运作方法。脉冲神经网络电路包括一位线输入突触阵列及一神经元电路。位线输入突触阵列包括多个页面缓冲器、多个位线晶体管、多个位线、多个存储单元、一字线、多个源极线及多个源极线晶体管。页面缓冲器用以提供多个数据信号。各个位线晶体管电性连接于这些页面缓冲器的其中之一。各个位线接收这些数据信号的其中之一。这些源极线晶体管连接在一起。神经元电路用以输出一反馈脉冲。
脉冲神经网络电路及其运作方法

[发明专利]多栅极晶体管及应用其的存储器装置-CN202010472715.2在审
发明人： 宋政霖;杜姵莹;吕函庭 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了多栅极晶体管及应用其的存储器装置，该多栅极晶体管包括：一掺杂漏极区；一掺杂源极区；一栅极群组，包括一第一栅极与一第二栅极；一通道，该掺杂漏极区与该掺杂源极区位于该通道的两侧；以及一中间层，形成于该通道与该栅极群组之间。其中，对该栅极群组的该第一栅极与该第二栅极分别施加一第一栅极电压与一第二栅极电压后，该通道被感应出至少一P子通道与至少一N子通道，且该多栅极晶体管等效于具有一正负正负(PNPN)结构。
栅极晶体管应用存储器装置

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