“高铤槿”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果5个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]采用应力记忆技术制造半导体器件的方法及半导体器件-CN201810358912.4有效
发明人：金锡勋;金相秀;高铤槿;李善佶;赵真英 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-09-07 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明提供一种采用应力记忆技术制造半导体器件的方法及半导体器件。所述方法包括：提供支撑栅电极的衬底；通过执行预非晶化注入(PAI)工艺并且在PAI工艺中或与PAI工艺分离地将C或N注入源/漏区中而将位于栅电极两侧的源/漏区非晶化和掺杂；在衬底上形成引力诱导层以覆盖非晶化的源/漏区；以及随后通过对衬底进行退火而使源/漏区再结晶。然后，可去除应力诱导层。此外，在源/漏区已经非晶化之后可将C或N注入整个源/漏区中，或者仅注入非晶化的源/漏区的上部分。
采用应力记忆技术制造半导体器件方法

[发明专利]半导体器件-CN201410287476.8无效
发明人：徐东灿;高铤槿;郑圣勋;李宽钦;李化成;金傔 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-06-24 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，该半导体器件包括：鳍型有源图案，突出在器件隔离层之上；栅极电极，在器件隔离层上并交叉鳍型有源图案；抬高的源极/漏极，在栅极电极两侧的鳍型有源图案上；以及鳍间隔物，在鳍型有源图案的侧壁上，该鳍间隔物具有低介电常数并在器件隔离层和抬高的源极/漏极之间。
半导体器件

[发明专利]采用应力记忆技术制造半导体器件的方法-CN201210330245.1在审
发明人：金锡勋;金相秀;高铤槿;李善佶;赵真英 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-09-07 - 公布日： 2013-05-08 - 主分类号： H01L21/8232 文献下载
摘要：本发明提供一种采用应力记忆技术制造半导体器件的方法。所述方法包括：提供支撑栅电极的衬底；通过执行预非晶化注入（PAI）工艺并且在PAI工艺中或与PAI工艺分离地将C或N注入源/漏区中而将位于栅电极两侧的源/漏区非晶化和掺杂；在衬底上形成引力诱导层以覆盖非晶化的源/漏区；以及随后通过对衬底进行退火而使源/漏区再结晶。然后，可去除应力诱导层。此外，在源/漏区已经非晶化之后可将C或N注入整个源/漏区中，或者仅注入非晶化的源/漏区的上部分。
采用应力记忆技术制造半导体器件方法

[发明专利]半导体装置和制造该半导体装置的方法-CN201210282278.3无效
发明人：金锡勋;金相秀;高铤槿;李炳赞;李善佶;赵真英 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2012-08-09 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：公开了一种半导体装置和制造该半导体装置的方法。一种制造半导体装置的晶体管的方法，该方法包括：在半导体衬底上形成栅极图案；在栅极图案的侧壁上形成间隔体；对半导体衬底进行湿式蚀刻以在该半导体衬底中形成第一凹陷，其中，第一凹陷与间隔体相邻；以及对第一凹陷进行湿式蚀刻以在半导体衬底中形成第二凹陷。
半导体装置制造方法

[发明专利]硅晶片及其制造方法-CN200410005410.1有效
发明人：文英熙;金建;高铤槿;皮昇浩 -专利权人：海力士半导体有限公司;希特隆股份有限公司
申请日： 2004-02-18 - 公布日： 2005-03-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开一种硅晶片及其制造方法，藉由使用一种两步骤式RTP(快速热处理)工艺来制备晶片，该工艺藉由控制位于该晶片表面区上的微小氧沉积物及OiSF(氧化诱导堆垛层错)，而得以确保该晶片具有一理想半导体器件区域。藉由执行本发明公开的两步骤式快速热处理工艺，就可精确控制缺陷分布，并且可形成一理想器件有源区直达离该晶片表面一定距离。此外，还能够藉由使该晶片一内部区域(即体型区域)中在深度方向上的氧沉积物及体型堆垛层错具有恒定密度，可以最大化内吸除(IG)效率。为了在该体型区域中获得氧沉积物及体型堆垛层错的恒定浓度分布，会在一预定混合气体气氛中对该晶片执行上述两步骤式快速热处理工艺。
晶片及其制造方法

1
共 5 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top