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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]集成电路器件-CN201610884035.5有效
  • 卓容奭;朴起宽;李泰宗;具本荣;朴起演;崔成贤 - 三星电子株式会社
  • 2016-10-10 - 2021-11-02 - H01L27/088
  • 本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括：鳍型有源区域，从基板突出并具有在第一水平面处的上表面；纳米片，平行于鳍型有源区域的上表面延伸并包括沟道区域，纳米片位于与鳍型有源区域的上表面间隔开的第二水平面处；栅极，设置在鳍型有源区域上并围绕纳米片的至少一部分，栅极在交叉鳍型有源区域的方向上延伸；栅极介电层，设置在纳米片和栅极之间；源极和漏极区域，形成在鳍型有源区域上并连接到纳米片的一端；第一绝缘间隔物，在纳米片上，第一绝缘间隔物覆盖栅极的侧壁；以及第二绝缘间隔物，设置在栅极与源极和漏极区域之间且在鳍型有源区域的上表面和纳米片之间的空间中，第二绝缘间隔物具有多层结构。
  • 集成电路器件
  • [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201610950591.8有效
  • 金奇奂;朴起宽;刘庭均;申东石;金辰昱 - 三星电子株式会社
  • 2016-10-26 - 2021-11-02 - H01L27/02
  • 一种半导体装置包括从基板向上突出的第一和第二有源图案、交叉第一和第二有源图案且在第一方向上延伸的栅电极、在第一有源图案上且在栅电极的至少一侧的第一源极/漏极区域、以及在第二有源图案上且在栅电极的至少一侧的第二源极/漏极区域。第一和第二源极/漏极区域具有彼此不同的导电类型，并且第二源极/漏极区域具有与所述第二有源图案的顶表面接触的底表面，并且第二源极/漏极区域的底表面的高度低于第一源极/漏极区域的与第一有源图案的顶表面接触的底表面。第一有源图案具有小于第二有源图案的第二宽度的第一宽度。
  • 半导体装置及其制造方法
  • [发明专利]包括应力诱导层的集成电路(IC)器件-CN201610366218.8有效
  • 成石铉;刘庭均;朴起宽 - 三星电子株式会社
  • 2016-05-27 - 2021-10-22 - H01L27/088
  • 提供了集成电路器件。器件可以包括从衬底突出的第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域，并且第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域可以在其间限定凹陷。器件还可以包括在凹陷下部部分中的隔离层。隔离层可以包括沿着第一鳍形沟道区域的侧部延伸的第一应力衬里、沿着第二鳍形沟道区域的侧部延伸的第二应力衬里以及在第一应力衬里与第一鳍形沟道区域的侧部之间并且在第二应力衬里与第二鳍形沟道区域的侧部之间的绝缘衬里。器件可以进一步包括第一鳍形沟道区域和第二鳍形沟道区域的上部部分的表面上的栅极绝缘层以及在栅极绝缘层上的栅极电极层。
  • 包括应力诱导集成电路ic器件
  • [发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710017972.5有效
  • 金辅淳;金炫知;李正允;朴起宽;朴商德;吴怜默;李庸硕 - 三星电子株式会社
  • 2017-01-11 - 2021-09-10 - H01L29/06
  • 提供了一种能够通过变化地调整具有环栅结构的晶体管的阈值电压来提高装置性能的半导体装置及其制造方法。所述半导体装置包括：基底，包括第一区域和第二区域；第一布线图案，设置在基底的第一区域上并且与基底分隔开；第二布线图案，设置在基底的第二区域上并且与基底分隔开；第一栅极绝缘膜，围绕第一布线图案的周边；第二栅极绝缘膜，围绕第二布线图案的周边；第一栅电极，设置在第一栅极绝缘膜上，与第一布线图案交叉，并且包括在其内的第一金属氧化物膜；第二栅电极，设置在第二栅极绝缘膜上并且与第二布线图案交叉；第一栅极间隔件，位于第一栅电极的侧壁上；第二栅极间隔件，位于第二栅电极的侧壁上。
  • 半导体装置及其制造方法
  • [发明专利]半导体装置-CN201710064371.X有效
  • 金柱然;朴起宽 - 三星电子株式会社
  • 2017-02-04 - 2021-08-24 - H01L29/06
  • 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一有源区域和第二有源区域以及在第一有源区域与第二有源区域之间并且接触第一有源区域和第二有源区域的场绝缘膜；栅电极结构，横越第一有源区域和第二有源区域以及场绝缘膜，其中，栅电极结构包括第一部分、第二部分和第三部分，第一部分横跨第一有源区域和场绝缘膜设置，第二部分横跨第二有源区域和场绝缘膜设置，第三部分接触第一部分和第二部分。栅电极结构包括具有插入膜和在插入膜上的填充膜的栅电极，插入膜横越第一有源区域和第二有源区域以及场绝缘膜。在第三部分中的栅电极的厚度不同于在第一部分和第二部分中的栅电极的厚度。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201610943366.1有效
  • 李庸硕;李正允;朴起宽;慎居明;金炫知;朴商德 - 三星电子株式会社
  • 2016-11-01 - 2021-08-17 - H01L27/092
  • 公开一种半导体装置，所述半导体装置包括：具有侧壁的有源图案，由设置在基底上的器件隔离图案限定，并具有从器件隔离图案的顶表面突出的上部；衬里绝缘层，位于有源图案的侧壁上；栅极结构，位于有源图案上；以及源/漏区，位于栅极结构的两侧处。衬里绝缘层包括第一衬里绝缘层和具有比第一衬里绝缘层的顶表面高的顶表面的第二衬里绝缘层。每一个源/漏区包括由第二衬里绝缘层限定并覆盖第一衬里绝缘层的顶表面的第一部分和从第二衬里绝缘层向上突出的第二部分。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201610948671.X有效
  • 金成洙;朴起宽;金松伊;柳庚玟;闵宣基 - 三星电子株式会社
  • 2016-10-26 - 2021-07-13 - H01L29/78
  • 提供一种半导体装置，所述半导体装置包括：第一鳍型图案，包括彼此相对的第一侧表面和第二侧表面；第一深度的第一沟槽，与第一侧表面相邻；第二深度的第二沟槽，与第二侧表面相邻，第二深度与第一深度不同；第一场绝缘膜，部分地填充第一沟槽；以及第二场绝缘膜，部分地填充第二沟槽。第一鳍型图案具有下部和宽度比下部的宽度窄的上部，并具有位于上部与下部之间的边界上的第一台阶部。第一场绝缘膜包括与下部接触的第一下场绝缘膜和与上部接触的第一上场绝缘膜。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体装置-CN201610847647.7有效
  • 金奇奂;刘庭均;朴起宽;申东石;金辰昱 - 三星电子株式会社
  • 2016-09-23 - 2021-06-01 - H01L29/78
  • 提供一种半导体装置。所述半导体装置包括：基底，包括第一区和第二区；第一鳍型图案和第二鳍型图案，形成在第一区中，远离基底突出，并在第一方向上延伸；第一源极/漏极，位于第一鳍型图案上，第一源极/漏极在与第一方向相交的第二方向上的剖面呈第一凸起多边形的形状；第二源极/漏极，位于第二鳍型图案上，第二源极/漏极在第二方向上的剖面呈与第一凸起多边形的形状相同的第二凸起多边形的形状；第三鳍型图案和第四鳍型图案，形成在第二区中，远离基底突出；第三源极/漏极，位于第三鳍型图案上；以及第四源极/漏极，位于第四鳍型图案上，第四源极/漏极在第四方向上的剖面是与第三凸起多边形的形状不同的第四凸起多边形的形状。
  • 半导体装置
  • [发明专利]半导体器件-CN201610545881.4有效
  • 刘庭均;金基一;朴起宽;成石铉;严命允 - 三星电子株式会社
  • 2016-07-12 - 2021-05-18 - H01L29/78
  • 提供了一种半导体器件，所述半导体器件包括具有第一沟槽的基底、位于基底上由第一沟槽限定的第一鳍图案、位于基底上的栅电极以及位于基底上的场绝缘层。第一鳍图案包括在下部上的上部。第一鳍图案包括彼此相对的第一侧壁和第二侧壁。第一侧壁沿第一鳍图案的下部为凹的。第二侧壁沿第一鳍图案的下部为倾斜的。场绝缘层围绕第一鳍图案的下部。栅电极围绕第一鳍图案的上部。
  • 半导体器件
  • [发明专利]集成电路器件-CN201710063574.7有效
  • 卓容奭;李泰宗;金泫升;具本荣;朴起演;朴起宽;朴美善 - 三星电子株式会社
  • 2017-02-03 - 2020-10-23 - H01L27/092
  • 本公开涉及集成电路器件。一种集成电路器件包括：在衬底的有源区上的栅线；在栅线两侧于有源区中的一对源/漏区域；在所述对源/漏区域当中的至少一个源/漏区域上的接触插塞；以及在栅线和接触插塞之间的多层结构绝缘间隔物。多层结构绝缘间隔物可以包括：氧化物层；第一含碳绝缘层，其覆盖氧化物层的邻近于栅线的第一表面；以及第二含碳绝缘层，其覆盖氧化物层的邻近于接触插塞的第二表面，第二表面与氧化物层的第一表面相反。
  • 集成电路器件
  • [发明专利]制造集成电路器件的方法-CN202010589566.8在审
  • 郑镛国;朴起宽 - 三星电子株式会社
  • 2017-06-19 - 2020-10-16 - H01L21/8238
  • 本公开提供了制造集成电路器件的方法。一种制造集成电路器件的方法包括：在基板的第一区域中形成第一鳍型有源区以及在所述基板的第二区域中形成第二鳍型有源区；在所述基板上形成间隔物层，所述间隔物层覆盖所述第一鳍型有源区和所述第二鳍型有源区；以及蚀刻所述间隔物层、所述第一鳍型有源区和所述第二鳍型有源区以同时形成所述第一鳍型有源区上的第一凹陷、所述第二鳍型有源区上的第二凹陷以及第一鳍绝缘间隔物，所述第一鳍绝缘间隔物是所述间隔物层的第一剩余部分，该第一剩余部分覆盖所述第一凹陷下面的所述第一鳍型有源区的侧壁。
  • 制造集成电路器件方法
  • [发明专利]半导体器件-CN201611093812.0有效
  • 金奇奂;朴起宽;刘庭均;申东石;崔炫烈 - 三星电子株式会社
  • 2016-12-01 - 2020-10-13 - H01L29/08
  • 本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括：包含第一区域和第二区域的基板；在第一区域中的第一和第二栅电极，在基板上彼此平行地形成并且彼此间隔开第一距离；在第二区域中的第三和第四栅电极，在基板上彼此平行地形成并且彼此间隔开大于第一距离的第二距离；在第一区域中形成在基板上在第一和第二栅电极之间的第一凹槽；在第二区域中形成在基板上在第三和第四栅电极之间的第二凹槽；填充第一凹槽的第一外延源极/漏极；以及填充第二凹槽的第二外延源极/漏极，其中第一外延源极/漏极的上表面的最高部分高于第二外延源极/漏极的上表面的最高部分。
  • 半导体器件
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