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[发明专利]一种蓝光闪锌矿CdSe/CdS核冠结构纳米片的制备方法-CN201910342137.8有效
发明人： 曹万强;张阮;张超键 -专利权人：湖北大学
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种蓝光闪锌矿CdSe/CdS核冠结构纳米片的制备方法。其步骤为将醋酸镉二水合物和化学纯硒粉溶解在溶剂十八烯中，在惰性气体保护140‑160℃条件下反应1h，制备得到蓝光纤锌矿CdSe纳米片溶液；用醋酸镉二水合物、ODE、硫粉分步制备包冠前驱体CdS溶液；将蓝光纤锌矿CdSe纳米片溶液升温至150℃～170℃，再加注包冠前驱体CdS溶液，搅拌反应，经纯化得到蓝光闪锌矿CdSe/CdS核冠结构纳米片。本发明的优点是：制备温度低，核心的尺寸小，纳米片平整、边缘不易弯曲、分散性好，包冠后纳米片的发射峰半峰宽更窄，发光颜色单一性更好、稳定性更高。该合成方法简单，可以大规模生产。
一种闪锌矿 cdse cds 结构纳米制备方法

[发明专利]一种钙钛矿型纳米晶的制备方法-CN201611034988.9有效
发明人：王恺;孙小卫;刘皓宸;刘培朝;曹万强;郝俊杰;周子明 -专利权人：南方科技大学;湖北大学
申请日： 2016-11-09 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C09K11/66 文献下载
摘要：本发明涉及一种钙钛矿型纳米晶的制备方法，所述钙钛矿型纳米晶为CsPbXaYb，其中X选自Cl、Br或I中的任意一种，Y选自Cl、Br或I中的任意一种，X与Y不同，a≥0，b≥0，a+b＝3；所述方法包括将铯盐、长链烯烃以及油酸混合，在惰性气体保护下，加热反应，得到油酸铯溶液；将PbO、卤化铵以及长链烯烃混合，然后注入油胺和油酸，加热，在惰性气体保护下注入油酸铯溶液，反应，冷却，得到CsPbXaYb钙钛矿型纳米晶。所述方法合成钙钛矿纳米晶时可调控卤素的种类及比例，控制钙钛矿纳米晶性能，方法简单，且合成的钙钛矿纳米晶光电转化性能良好，同时合成原料采用低毒的PbO，绿色环保。
一种钙钛矿型纳米制备方法

[发明专利]一种超疏水钙钛矿纳米晶体发光复合材料的合成方法-CN202111091150.4在审
发明人：郑克玉;周君;吕杨飞;陈威;方凡;潘瑞坤;曹万强 -专利权人：湖北大学
申请日： 2021-09-17 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： C09K11/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种超疏水钙钛矿纳米晶体发光复合材料的合成方法，其步骤为：制备油酸铯；制备钙钛矿纳米晶胶体溶液；超疏水钙钛矿纳米晶体发光复合材料的合成；离心沉淀的复合物并固化干燥。所述钙钛矿纳米晶体为CsPbX3(X＝Cl或Br或I)，包覆材料为PMHS。制得的复合材料中被包覆的量子点具有高度分散性，温和的处理条件使得量子点优异的发光性能得以保留，光致发光量子产率高达91％，制得的复合荧光粉具有的固有疏水性和优异的抵抗极性溶剂能力使得量子点被很好地保护，并且可以抑制阴离子交换，有利于LED等器件的制备和使用。本过程使用的超疏水构建方法简单易实施，所需设备简易，原料便宜，环保不含氟，适合大规模生产。
一种疏水钙钛矿纳米晶体发光复合材料合成方法

[发明专利]一种蓝光CdSe纳米片的晶型调控方法-CN201910185221.3有效
发明人： 曹万强;张阮;张超键;梅明;郑康 -专利权人：湖北大学
申请日： 2019-03-12 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： C01B19/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种蓝光CdSe纳米片的晶型调控方法。它是在传统蓝光CdSe纳米片合成的基础上降低反应温度、延长反应时间。其中CdSe纳米片是通过将醋酸镉二水合物、硒粉、油酸加入到十八烯(ODE)在惰性气体氛围下脱气制得。本发明的优点是：通过精确地调控反应的温度和反应的时间，可以将合成的纳米片从面心立方闪锌矿结构向六方纤锌矿结构之间互相转换，从而更好地调控纳米片的晶体结构、发射峰和尺寸大小。此外，已有的纤锌矿合成技术中硒源是Se‑ODE，而本发明将硒源由Se‑ODE改成Se粉，Se‑ODE合成时间约为6h，改成Se粉后反应时间只有3min‑1h，同时未反应完的Se粉可以直接沉淀，使得离心提纯更加容易。
一种 cdse 纳米调控方法

[发明专利]一种工作在顺电相高储能反铁电复合陶瓷材料及其制备方法-CN201910814186.7有效
发明人： 曹万强 -专利权人：湖北大学
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： C04B35/472 文献下载
摘要：本发明公开了一种工作在顺电相高储能反铁电复合陶瓷材料及其制备方法，其成分：由反铁电介质A0.88[(Pb0.94La0.04)(Sn0.4Zr0.6)0.8Ti0.2O3]，线性介质B(0.08～0.10)[SrTiO3/CaTiO3]和绝缘介质C(0.02～0.04)[MgO/WO3]三部分组成。分别用固溶法制备A、B、C粉体，再按配比混合制备本发明材料，经压片、烧结、磨平、涂覆银浆后，形成本发明的复合高储能反铁电陶瓷材料。本发明的材料居里温度在摄氏‑10～‑30℃，顺电相工作温度10～50℃，电场强度可达180kV/cm，储能密度为4.4～5.4J/cm3，储能效率大于90％。可实现室温环境下高储能的应用。本发明制备工艺简单、性能稳定、温度稳定性好，能量利用率高，适合工业推广。
一种工作顺电相高储能反铁电复合陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种SnS量子点/石墨烯忆阻器的制备方法-CN201811233179.X有效
发明人：张蕾;付晓;李露颖;陈甘霖;曹万强 -专利权人：湖北大学
申请日： 2018-10-23 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： C01G19/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种SnS量子点/石墨烯忆阻器的制备方法和应用，属于无机半导体纳米材料及器件技术领域。本发明通过将SnS粉末溶于水溶液中，用液相剥离的方法，制备得到SnS量子点，量子点的尺寸范围为1～5nm，平均尺寸为2.75nm，然后通过湿法转移的方式将CVD生长的单层石墨烯转移至清洁的SiO2/Si衬底上；用紫外光刻或氧气等离子体刻蚀石墨烯刻蚀形成两个电极，再将SnS量子点沉积在石墨烯电极上，可以形成欧姆接触电极，获得的器件具有忆阻器效应。本发明的方法具有制备工艺简单、操作方便、速度快以及绿色环保的优点，制备过程中不使用和产生毒性的有机溶剂，适合大规模生产，适用于存储器等纳米电子器件、太阳能电池等领域，具有广阔的应用前景。
一种 sns 量子石墨烯忆阻器制备方法

[发明专利]一种二元配体修饰钙钛矿CsPbX3量子点的制备方法-CN201810997580.4有效
发明人： 曹万强;陈甘霖;方凡;张蕾;刘培朝;潘一路;王仁龙;梅明;李阳;张阮 -专利权人：湖北大学
申请日： 2018-08-29 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种二元配体修饰钙钛矿CsPbX3量子点的制备方法，本发明的特点是：将铯、铅、溴以离子的形式溶解在溶剂内，加入适量的二元羧酸类和二元胺类作为稳定剂；采用室温重结晶法形成带有二元配体修饰的CsPbX3钙钛矿量子点。该发明的优点是，采用二元配体修饰的量子点使量子点之间形成类似聚合的结构形式，将量子点彼此之间连接起来，能减少量子点成膜后彼此之间的距离，相比一元配体还可以将量子点之间的距离较少一半，增加了载流子的迁移率。可提高钙钛矿量子点在器件中载流子的传输速率，同时，获得的钙钛矿量子点溶液具有较高的粘度，使之更适合应用于喷墨打印的墨水制备。
一种元配修饰钙钛矿 cspbx3 量子制备方法

[发明专利]一种钙钛矿CsPbX3-CN201710472597.3有效
发明人： 曹万强;方凡;刘培朝;李阳;王仁龙;梅明;张慧婕;曾媛媛 -专利权人：湖北大学
申请日： 2017-06-21 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： C09K11/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种钙钛矿CsPbX3量子线的合成方法(其中X＝Cl、Br、I)，其步骤为：用铯盐、油酸、十八烯制备铯的前驱体；用铅盐和卤素盐、油酸、油胺和5ml的十八烯制备铅和卤素的前驱体；将铯、铅、卤素的前驱体分散到非极性溶剂中，再加入非极性溶剂的量的5％到30％极性溶剂，经搅拌即可得到CsPbX3量子线。它是利用极性溶剂所带有的基团取向性与配体的不同，合成钙钛矿CsPbX3量子线。本发明得到的CsPbX3钙钛矿量子线；其波长覆盖380nm‐700nm，发射半峰宽为18‐40nm。该发明优点是：反应温度低，原料便宜，合成速度快，操作简单，适合大规模批量生产。
一种钙钛矿 cspbx base sub

[发明专利]一种快速简单制备室温CsPbX3-CN201710997057.7有效
发明人： 曹万强;王仁龙;方凡;刘培朝;张慧婕;李阳;梅明;曾媛媛 -专利权人：湖北大学
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： C09K11/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速简单制备室温CsPbX3钙钛矿量子点的方法。本发明的步骤为：a)、将氢氧化铯和铅源以及卤铵源按照摩尔比为1:1:3的量溶解在无水乙醇溶剂中，并按照等摩尔数的阴阳离子加入油酸油胺作为表面活性剂，油胺油酸稍微过量，轻微搅拌使其完全溶解得到前驱体；b)、将前驱体溶液转移到甲苯等有机溶剂中，搅拌使其反应完全，即可室温下得到CsPbX3钙钛矿量子点。本发明的优点是：采用无水乙醇作为极性溶剂，同时采用更易于溶解的氢氧化铯、油酸铅、四辛基卤化铵来替代CsX、PbX2，替换掉了传统的毒性更大的DMF等溶剂，使CsPbX3钙钛矿量子点合成的稳定性更好，室温下操作，成本更低，操作更加便捷，更绿色环保，适合大规模批量生产。
一种快速简单制备室温 cspbx base sub

[实用新型]一种铁电陶瓷集束电子发射器-CN201921474525.3有效
发明人： 曹万强 -专利权人：湖北大学
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2020-04-21 - 主分类号： H01J29/48 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种铁电陶瓷集束电子发射器，所述集束电子发射器包括真空玻璃管、电子发射端、栅极、聚焦电子磁场、阳极、调控磁场；电子发射端铺覆在所述真空玻璃管的底部；栅极对应所述电子发射端设置，并与所述电子发射端间隔开，栅极用于吸引电子发射端发射出的电子；阳极对应栅极设置，并与栅极间隔开，聚焦电子磁场产生的磁场用于控制高能电子的运动轨迹；调控磁场设置在真空玻璃管的管口，用于控制高能电子的出射方向。通过本申请所述铁电陶瓷集束电子发射器可将漫射的电子束在高电场作用下收集、加速和聚焦，控制高能电子的出射方向。
一种陶瓷集束电子发射器

[发明专利]宽工作温区高介电性能的无铅电子陶瓷材料及制备方法-CN201710547143.8有效
发明人：陈勇;张灿灿;邹建雄;王玮;曹万强;潘瑞琨;李璋 -专利权人：湖北大学
申请日： 2017-07-06 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种宽工作温区高介电性能的无铅电子陶瓷材料，化学通式为Na_0.5Bi_4.5Ti_4‑_xMg_yO_15‑2x+y，其中x＝0～0.08，y＝0.04～0.08。另外本发明还提供了该宽工作温区高介电性能的无铅电子陶瓷材料的制备方法。本发明对现有的钙钛矿结构的无铅压电陶瓷进行改性，通过Mg替代Ti或在Ti位掺Mg合成单相新型材料，相对于现有未掺Mg的无铅压电陶瓷材料而言，本发明的宽工作温区高介电性能的无铅电子陶瓷材料具有高介电常数和较低的最小介电损耗，同时通过改变掺Mg的量可得到具有不同性能陶瓷片，从而可应用于不同性能要求的器件中，应用范围广。
电子陶瓷材料高介电性能宽工作温区无铅无铅压电陶瓷钙钛矿结构高介电常数应用范围广化学通式介电损耗新型材料性能要求陶瓷片改性制备合成替代应用

[发明专利]一种铁电陶瓷集束电子发射器-CN201910839679.6在审
发明人： 曹万强 -专利权人：湖北大学
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01J29/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种铁电陶瓷集束电子发射器，所述集束电子发射器包括真空玻璃管、电子发射端、栅极、聚焦电子磁场、阳极、调控磁场；电子发射端铺覆在所述真空玻璃管的底部；栅极对应所述电子发射端设置，并与所述电子发射端间隔开，栅极用于吸引电子发射端发射出的电子；阳极对应栅极设置，并与栅极间隔开，聚焦电子磁场产生的磁场用于控制高能电子的运动轨迹；调控磁场设置在真空玻璃管的管口，用于控制高能电子的出射方向。通过本申请所述铁电陶瓷集束电子发射器可将漫射的电子束在高电场作用下收集、加速和聚焦，控制高能电子的出射方向。
电子发射端磁场电子发射器真空玻璃管高能电子集束阳极聚焦电子铁电陶瓷出射电子束磁场产生运动轨迹栅极间隔高电场调控管口漫射铺覆聚焦发射申请吸引

[发明专利]一种蓝光全无机CsPbBr_xCl_3-x钙钛矿纳米片的形貌调控方法-CN201910572037.4在审
发明人：潘瑞琨;郭志航;潘一路;赵祺;龚甜;乐耀昌;曹万强;程佳吉;张蕾 -专利权人：湖北大学
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： C09K11/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种蓝光全无机CsPbBr_xCl_3‑x钙钛矿纳米片的形貌调控方法。其制备方法是：先制备油酸铯前驱体；再制备铅源前驱体，最后将铯源前驱体注入到铅源前驱体溶液中得到蓝光全无机CsPbBr_xCl_3‑x钙钛矿纳米片。当铯源的注入量为0.8±0.1mL时，合成的钙钛矿绝大部分为竖直方向的纳米片；注入量为0.2～0.7mL时，为纳米晶；注入量为0.9～2mL时，竖直的纳米片减少，水平的纳米片数量增多。本发明的优点是：通过改变铯源的注入量，可以调控纳米片的形貌。和目前报道的形貌调控技术中不同的配体、改变油酸和油胺的比例、控制合成温度等方法相比，本发明的形貌调控方法操作简单，可以直接通过改变铯源的注入量达到对钙钛矿纳米片形貌调控的目的。
纳米片钙钛矿注入量形貌调控铯源前驱体蓝光制备油酸铅源竖直形貌纳米片形貌前驱体溶液控制合成数量增多纳米晶调控配体油胺合成

[发明专利]一种高产率红色荧光碳量子点材料的合成方法-CN201910571830.2在审
发明人：潘瑞琨;郭志航;潘一路;赵祺;龚甜;乐耀昌;曹万强;程佳吉 -专利权人：湖北大学
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： C09K11/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种高产率红色荧光碳量子点材料的合成方法。其合成方法是：先分别称量碳源和氮源，加入到极性溶剂N,N‑二甲基甲酰胺中，搅拌至完全溶解得到前驱体溶液；再将前驱体溶液转移至聚四氟乙烯内衬水热反应釜中，在温度180℃下，保温6小时碳化处理，冷却后得到悬浊液反应产物；再在悬浊液中加入碱溶液处理后搅拌、离心、洗涤、干燥得到红色荧光碳量子点材料。本发明合成的碳量子点材料能在波长在300～600nm的激发光下发射红光，本发明的合成工艺及分离提纯过程简单、荧光量子产率高、重复性强、原料便宜、适合大规模批量生产。同时本发明制备的红色荧光碳量子点在制备白光二极管(WLED)以及生物检测等方面具有广阔的应用前景。
量子点材料红色荧光合成前驱体溶液高产率悬浊液制备聚四氟乙烯内衬二甲基甲酰胺荧光量子产率白光二极管碱溶液处理水热反应釜分离提纯合成工艺极性溶剂生物检测碳化处理完全溶解激发光量子点波长称量氮源红光洗涤保温冷却发射应用生产

[发明专利]一种锰离子掺杂的橙黄色发光碳量子点的合成方法-CN201910401523.X在审
发明人：潘瑞琨;郭志航;潘一路;赵祺;龚甜;乐耀昌;曹万强;程佳吉;张蕾 -专利权人：湖北大学
申请日： 2019-05-15 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： C09K11/65 文献下载
摘要：本发明公开了一种锰离子掺杂的橙黄色发光碳量子点的合成方法。其制备方法是：先将锰源和碳源按照摩尔比例1:20～1:5称量，溶解在极性溶剂N,N‑二甲基甲酰胺中，然后加入氮源，搅拌至完全溶解得到前驱体溶液；再将前驱体溶液转移至聚四氟乙烯水热反应釜中，在温度160℃～200℃，时间4h～12h，保温碳化处理得到悬浊液；再加入无水乙醇后离心、洗涤、干燥得到橙黄色发光锰离子掺杂碳量子点。本发明制备工艺简单、荧光量子产率较高，重复性强，原料便宜，锰离子掺杂量少，适合大规模批量生产。同时制备的锰离子掺杂的碳量子点在510～570nm激发光下发射波长在590nm左右的橙黄光，在制备橙黄光LED方面具有广阔的应用前景。
锰离子量子点掺杂的橙黄色制备发光前驱体溶液橙黄光合成二甲基甲酰胺发明制备工艺荧光量子产率聚四氟乙烯水热反应釜发射波长极性溶剂碳化处理完全溶解无水乙醇掺杂量激发光悬浊液称量氮源锰源洗涤保温掺杂溶解应用生产

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