专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种机械制图教具-CN202223149990.4有效
  • 施雯 - 施雯
  • 2022-11-26 - 2023-08-01 - B43L5/02
  • 本申请公开了一种机械制图教具,涉及教学器具的技术领域,改善了现有绘图桌面的倾斜角度不能调节的问题,其包括底座、制图板、抬升机构以及驱动件,制图板一侧与底座铰接,抬升机构包括互相啮合的齿轮与齿条,齿条一端固接于制图板靠近底座的一面,齿轮转动连接在底座上并用于带动齿条进行位移。本申请能够通过齿轮和齿条的配合使制图板抬升至适宜高度从而进行作品展示。
  • 一种机械制图教具
  • [发明专利]一种无动力取样系统-CN202211023576.0有效
  • 陈卫民;夏安;施雯;王亮亮 - 南通市信诚计算机控制系统有限公司
  • 2022-08-25 - 2023-07-25 - G01N1/14
  • 本发明公开了一种无动力取样系统,涉及取样设备技术领域,包括主管道和取样仓,述取样仓的底部设有连接头A,所述取样仓通过连接头A与主管道固定连接,所述取样仓的底部两侧对称固定连接有支腿,所述支腿的顶部固定连接有水平板,所述水平板的中部固定连接有向下延伸的弹簧,所述弹簧的底部固定连接有封堵板。该无动力取样系统,主管道的顶部开设有向上贯通的螺纹槽,连接头A的周向上开设有与螺纹槽相匹配的外螺纹,外螺纹的长度大于螺纹槽,钻孔设备通过在主管道上钻设螺纹槽但参照主管道壁厚而不向下贯通,在连接头A与螺纹槽对接后,通过转动设备夹持取样仓并向下继续钻孔贯穿,使连接头A与主管道相互连通。
  • 一种动力取样系统
  • [发明专利]基于氮化镓基增强型器件的探测器及其制作方法-CN201910732534.6有效
  • 黄森;施雯;王鑫华;魏珂;刘新宇 - 中国科学院微电子研究所
  • 2019-08-08 - 2023-07-21 - G01N27/414
  • 一种基于氮化镓基增强型器件的探测器及其制作方法,该探测器为气体探测器或溶液探测器,当所述探测器用于电解质溶液的检测时,电解质溶液位于栅极开口区域直接与薄势垒层接触,形成一接触界面,电解质溶液影响该接触界面的界面电荷,从而导致二维电子气浓度变化,进一步导致源极和漏极之间的电流变化。当所述探测器用于含氢危险气体的检测时,含氢危险气体中的H浓度影响栅极与薄势垒层接触界面的界面电荷,从而导致二维电子气浓度变化,进一步导致源极和漏极之间的电流变化。与比传统半导体探测器相比,本公开提出的基于GaN基增强型器件的溶液探测器和气体探测器具有更高的探测灵敏度和更低的功耗,器件一次成型制备并且可反复使用。
  • 基于氮化增强器件探测器及其制作方法
  • [实用新型]一种无创呼吸机面罩-CN202320805121.8有效
  • 罗元会;李希帅;牛雪姣;施雯;毛娅婷;韦祖艳;刘瑞英;朱红芬 - 曲靖市第一人民医院
  • 2023-04-12 - 2023-07-14 - A61M16/06
  • 本实用新型公开了一种无创呼吸机面罩,包括面罩,所述面罩下端固定安装有第一进气管,所述第一进气管下端固定安装有第一连接座,所述第一进气管下端设有第二进气管,所述第二进气管上端固定安装有第二连接座,所述第一连接座下端对称固定安装有插块,所述第二连接座上端对称开设有插槽,所述插块活动安装在对应的所述插槽内,本实用新型,通过设置有卡块和卡座,通过卡块和卡座的配合使用,使面罩固定在病人面部,通过硅胶垫可以增加面罩佩戴时的舒适度,本实用新型,具有实用性强和固定牢靠的特点。
  • 一种呼吸面罩
  • [发明专利]一种具有雪崩耐量的GaN器件及制作方法-CN202211047053.X有效
  • 李茂林;施雯;银发友 - 杭州云镓半导体科技有限公司
  • 2022-08-30 - 2023-06-16 - H01L29/778
  • 本发明涉及GaN器件领域。提供了一种具有雪崩耐量的GaN器件及制作方法,通过在漏极的外侧形成一个P‑GaN帽层,从而在GaN器件内部集成一个p‑i‑n结,当器件关断,感性负载使漏极电压升高,漏‑源极上的高压超过p‑i‑n结的击穿电压时,p‑i‑n结就会在主器件被击穿前,优先发生雪崩击穿,继而快速泄放高压能量。漏极上的高压能量通过雪崩击穿泄放后,漏极电压降低,重新回到正常的关态电压。高压能量在主器件被击穿前就在p‑i‑n结回路泄放完毕,避免了主器件发生不可恢复的硬击穿所导致的主器件损坏。并且由于p‑i‑n结的雪崩击穿是可恢复的且非破坏性的,所以p‑i‑n结对主器件的保护作用是可重复的。p‑i‑n结可优先发生雪崩击穿,也避免了GaN器件提供更高的电压裕量,降低了生产成本。
  • 一种具有雪崩gan器件制作方法
  • [外观设计]椅背(XY-01)-CN202330053886.6有效
  • 施雯 - 施雯
  • 2023-02-16 - 2023-05-26 - 06-06
  • 1.本外观设计产品的名称:椅背(XY‑01)。2.本外观设计产品的用途:用于椅子的椅背部件。3.本外观设计产品的设计要点:在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片:立体图1。
  • 椅背xy01

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