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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]显示驱动器的数据线驱动装置-CN201010002975.X无效
发明人：中村一雄 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2010-01-15 - 公布日： 2010-07-21 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：一种显示驱动器的数据线驱动装置，使用与各种分辨率的显示面板对应的多通道移位寄存器，分别设置数据线，实现低耗电化。在上述数据线驱动装置中，分别设置有数据线(DL1、DL2)，并设置有：第1显示锁存部，根据第1移位寄存器的移位脉冲锁存数据线(DL1)的数据；第2显示锁存部，根据第2移位寄存器的移位脉冲锁存数据线(DL2)的数据；第3移位寄存器(21)，将由第1移位寄存器移位的移位脉冲传输到第2移位寄存器；以及选择器电路，切换从第1移位寄存器到第3移位寄存器的连接路径、和从第3移位寄存器到第2移位寄存器的连接路径，其中，使用第3移位寄存器控制数据线的驱动开始和驱动停止。
显示驱动器数据线驱动装置

[发明专利]半导体器件-CN201010002026.1无效
发明人：白木诚一 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2010-01-07 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括：导电部，所述导电部形成在半导体芯片上；以及凸块电极，所述凸块电极直接或间接形成在导电部上。导电部包括狭缝部，所述狭缝部具有的厚度比导电部的其它部分更薄。凸块电极在狭缝部上方具有与狭缝部相对应的凹陷部。
半导体器件

[发明专利]视频处理装置-CN201010001517.4无效
发明人：齐藤友幸 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2010-01-04 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： H04N9/64 文献下载
摘要：本发明涉及一种视频处理装置。最终校正值获取单元为每一帧执行用于减小帧之间的伽玛校正值中的差的减小处理并且由此获取帧的最终校正值。最终校正值获取单元确定观察帧被分类为第一类型、第二类型和第三类型中的哪一类型，并且根据观察帧的被确定的类型而控制观察帧的减小处理的程度，第一类型帧是从改变量计算器中获取的具有等于或小于预定阈值的改变量的帧；第二类型帧是具有比阈值大的改变量并且在观察帧即刻之前的预定时段内存在具有比阈值大的改变量的至少一个帧的帧；第三类型帧是除了第一类型帧和第二类型帧以外的帧。
视频处理装置

[发明专利]半导体集成电路-CN200910253762.1无效
发明人：园原英雄 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-12-17 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体集成电路。根据本发明的示例性实施例的半导体集成电路包括被提供在半导体芯片中的I/O缓冲器、单层焊盘、以及多层焊盘。单层焊盘形成在I/O缓冲器的上方。多层焊盘与单层焊盘分离地形成在I/O缓冲器的上方。单层焊盘是专用于焊接的焊盘，并且多层焊盘是对其执行探针探测和焊接的焊盘。
半导体集成电路

[发明专利]延迟调整装置、半导体器件以及延迟调整方法-CN200910222839.9无效
发明人：大西聪 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-11-19 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本发明涉及延迟调整装置、半导体器件以及延迟调整方法。提供的延迟调整装置有助于减少调整飞行时间的电路的尺寸。延迟调整装置被连接至存储器，并且利用从存储器输出的数据信号和数据选通信号调整获取数据的时序。延迟调整装置包括数据获取单元，该数据获取单元接收数据信号和数据选通信号，并且根据数据选通信号输出数据信号的数据值；和控制单元，该控制单元将读取命令发布给存储器，计算飞行时间，并且基于飞行时间控制数据选通信号的有效时段。
延迟调整装置半导体器件以及方法

[发明专利]用于面板显示装置的背光亮度控制-CN200910260502.7有效
发明人：能势崇;降旗弘史 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-12-16 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G09G3/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于面板显示装置的背光亮度控制。显示装置被提供有显示面板；背光，该背光照亮显示面板；以及背光亮度控制器，该背光亮度控制器控制背光的亮度，使得背光的亮度在每个帧时段的中间是可变的。
用于面板显示装置背光亮度控制

[发明专利]激光器二极管及其制造方法-CN200910225790.2无效
发明人：五十岚俊昭 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-12-07 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01S5/06 文献下载
摘要：本发明涉及激光器二极管及其制造方法。该激光器二极管具有在沿着光波导的区域中设置的多个结构，所述多个结构中的每个结构具有散射、吸收或反射杂散光的功能，其中，在通过在所述光波导的纵向方向上将沿着所述光波导的区域等分成三个或更多的部分所获得的每个分割区域中，形成所述结构中的至少一个。
激光器二极管及其制造方法

[发明专利]制造半导体器件的方法、曝光设备和记录介质-CN200910225849.8无效
发明人：腰高利明 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-11-30 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明涉及制造半导体器件的方法、曝光设备和记录介质。制造半导体器件的方法包括第一吸附步骤、释放步骤、第二吸附步骤和曝光步骤。在第一吸附步骤中，晶片台的晶片卡盘吸附半导体晶片，以调节半导体晶片的温度。在释放步骤中，从晶片卡盘释放半导体晶片。在第二吸附步骤中，用于曝光的晶片台的晶片卡盘吸附半导体晶片。在曝光步骤中，曝光半导体晶片。
制造半导体器件方法曝光设备记录介质

[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法-CN200910226418.3无效
发明人：黑泽直人 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-11-20 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件和制造半导体器件的方法。该制造半导体器件的方法能降低半导体器件的材料成本和制造成本，该方法包括：形成硅金属陶瓷膜；形成保护硅金属陶瓷膜的保护膜；通过等离子体蚀刻保护膜来制造接触孔。在该方法中，用于检测等离子体蚀刻终点的蚀刻检测层被形成为与保护膜接触；保护膜和蚀刻检测层中的至少一个包含保护膜和蚀刻检测层这两者不共有的元素；以及在制造接触孔时，基于这两者不共有元素的等离子体发射来检测保护膜的等离子体蚀刻终点。
半导体器件制造方法

[发明专利]自动对焦装置、自动对焦方法、以及图像拾取装置-CN200910253000.1无效
发明人：杉山实辉雄 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-12-08 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G02B7/36 文献下载
摘要：本发明涉及自动对焦装置、自动对焦方法、以及图像拾取装置。根据本发明的示例性实施例的自动对焦装置被提供有评估单元、切换单元、以及更改单元。评估单元基于从对象中获得的图像数据评估在拍摄屏幕中指定的第一评估区域中的成像状态，并且确定对象是否已经移动，其中，通过镜头组形成所述对象。如果评估单元确定在第一评估区域中对象已经移动，那么切换单元切换到第二评估区域，其中，第二评估区域大于第一评估区域并且包括多个块。更改单元评估多个块中的每一个的成像状态，并且将第一评估区域更改为多个块中的一个。
自动对焦装置方法以及图像拾取

[发明专利]半导体存储装置及其读取访问方法-CN200910221060.5有效
发明人：日比野健次 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-11-09 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： G11C11/4094 文献下载
摘要：提供一种半导体存储装置及其读取访问方法，在预充电后进行读取，可防止预充电电流集中，且可进行高速读取。具有：多个存储单元阵列；和控制电路，向各存储单元阵列输出第一信号和第二信号，第一信号用于指示预充电开始，第二信号用于指示预充电的结束及向读取访问的转换，第一信号经由延迟电路而布线，以在到达各存储单元阵列时存在时间差，第二信号不经由延迟电路而布线。
半导体存储装置及其读取访问方法

[发明专利]半导体器件及制造半导体器件的方法-CN200910206179.5有效
发明人：本山幸一 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-10-21 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L23/532 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及制造半导体器件的方法。一种半导体器件，包括：绝缘膜；沟槽，其形成在绝缘膜中；阻挡金属膜，其形成在沟槽的侧壁和底表面上，并且由钛(Ti)和钽(Ta)的合金构成；以及铜(Cu)布线，其堆叠在阻挡金属膜上，并且位于沟槽中。阻挡金属膜的钛浓度等于或大于0.1at％并且等于或小于14at％。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体存储器件及半导体存储器件操作方法-CN200910211823.8有效
发明人：下川健寿;古田博伺;名贺俊作;白井隆之 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-11-05 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种能够避免回写电流集中的破坏性读出半导体存储器件及半导体存储器件操作方法，在半导体存储器件中，在每一条位线(21)与每一个灵敏放大器(26)之间设置有开关电路(24)。在回写时，在错开的时间点接通开关电路。在读出时，接通开关电路以将存储单元数据读出到灵敏放大器而同时关断灵敏放大器，并且然后关断开关电路一次。在此之后，接通灵敏放大器以放大读出数据。随后，将开关电路分成组并再次接通，以将由灵敏放大器放大的数据回写到存储单元。开关电路被分成组以使其在回写期间在错开的时间点接通，从而避免回写电流集中在一个时段。
半导体存储器件操作方法

[发明专利]半导体器件-CN200910222830.8有效
发明人：川原润;林喜宏;久米一平 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-11-19 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：半导体衬底；多层布线结构，该多层布线结构被形成在半导体衬底的上方并且其中层压其中的每一个都通过布线和绝缘层形成的多个布线层；以及电容元件，该电容元件具有被掩埋在多层布线结构中的上电极、下电极、以及电容器绝缘层，其中布线层中的至少两个或者更多被提供在被连接至下电极的下电容器布线与被连接至上电极的上电容器布线之间。
半导体器件

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN200910206311.2无效
发明人：齐藤茂 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-10-13 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明提供了一种制造半导体器件的方法。该半导体器件包括具有被形成在半导体衬底上并且通过线电气连接的多个半导体元件的集成电路，该方法包括：形成导电路径以与线被连接到半导体元件相类似的方式连接至半导体元件；在经由导电路径电气连接半导体元件的状态下蚀刻半导体元件；以及形成线以与导电路径被连接至半导体元件相类似的方式连接至半导体元件。
制造半导体器件方法

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