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[发明专利]半导体衬底的化学溶液处理装置-CN02154501.4无效
发明人：渡边薰;石川典夫;青木秀充;森清人 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司;关东化学株式会社
申请日： 2002-12-04 - 公布日： 2003-08-06 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过化学溶液溶解和除去粘附于半导体衬底的钌基金属的化学溶液处理装置，其具有化学溶液处理单元，和具有排气管道的储存单元，所述的储存单元用于储存化学溶液，以便使源自所述的化学溶液处理中溶解和去除的钌基金属的气体成分挥发而脱离化学溶液，其中，与衬底接触之后的化学溶液在化学溶液处理单元中的停留时间比化学溶液在储存单元中的停留时间短。
半导体衬底化学溶液处理装置

[发明专利]倒装片型半导体器件及其制造方法-CN03102944.2无效
发明人：本多广一 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2003-01-24 - 公布日： 2003-08-06 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：一种倒装片型半导体器件及其制造方法。在由金属或者合金板制成的基衬底的前后两面上形成各多层薄膜布线。将该基衬底切为前表面侧和背面侧。然后，选择性地除去基衬底，以便露出内部电极焊盘，其上安装倒装片型半导体芯片。
倒装半导体器件及其制造方法

[发明专利]膜厚度测量设备与膜厚度测量方法-CN03101481.X无效
发明人：山田惠三;板垣洋辅;牛木健雄 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2003-01-17 - 公布日： 2003-07-30 - 主分类号： G01B15/02 文献下载
摘要：一种测量薄膜厚度的设备，它使第一能量和第二能量的电子束轰击形成在硅衬底上的待测量薄膜，并测量在第一能量的电子束轰击衬底时，在衬底内流动的电流的第一衬底电流值和在第二能量的电子束轰击衬底时，在衬底内流动的电流的第二衬底电流值。该薄膜测量设备获得表示膜厚度与作为变量的基准函数之间关系的基准数据，该基准函数具有在第一能量的电子束轰击标准采样时的衬底电流和第二能量的电子束轰击标准采样时的衬底电流，该薄膜测量设备还考虑基准数据，根据第一和第二衬底电流值计算在测薄膜的厚度。
厚度测量设备测量方法

[发明专利]微型计算机-CN98102307.X无效
发明人：鹭胜一 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 1998-05-29 - 公布日： 2003-07-23 - 主分类号： G06F12/06 文献下载
摘要：根据本发明的微型计算机，在正常操作和重写控制期间，备有不同的地址空间。因此，当修改重写控制程序时，在没有实际修改用户代码/数据的情况下，可以避免新用户代码/数据的产生。换句话说，微型计算机在正常操作期间的用户ROM与在重写控制期间的重写控制ROM之间进行转换，并且用户代码/数据和重写控制程序被安排在不同的地址空间中。
微型计算机

[发明专利]具备时钟信号相位切换的图象传感器中信号电荷的传输方法-CN98122336.2无效
发明人：河合真一 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 1998-10-15 - 公布日： 2003-07-23 - 主分类号： H04N3/15 文献下载
摘要：一个图象传感器包括按行方向排列的若干光电转换器单元。每一个转换单元用于产生信号电荷。K个传输电极(K是大于1的正整数)，被提供来用于在行方向中的光电转换单元的每一个。2K条信号线，接到该传输电极，以便邻接两个该光电转换单元，并且用于把驱动时钟信号分别地提供到用于两个相邻的光电转换单元传输电极。结果是使得该信号电荷根据驱动时钟信号而被传输。
具备时钟信号相位切换图象传感器电荷传输方法

[发明专利]设计系统大规模集成电路的方法-CN02158389.7无效
发明人：中岛博行 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2002-12-30 - 公布日： 2003-07-16 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明披露了一种用于设计系统LSI的方法，该方法包括步骤：将系统LSI的算法描述划分为软件组和硬件组，利用行为综合对硬件组进行综合以创建RTL描述和模拟描述，根据RTL描述检验系统LSI的电路规模，以及根据模拟描述和软件描述模拟系统LSI。
设计系统大规模集成电路方法

[发明专利]采用微掺杂漏极结构的半导体器件及其制备方法-CN98119321.8无效
发明人：小室敏雄 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 1998-09-11 - 公布日： 2003-07-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在第一导电类型半导体上形成栅极。接着，在漏极结构布置区内半导体衬底表面有选择地掺入第二导电类型第一杂质来形成第一扩散层。接着，在源极结构布置区内的半导体衬底表面有选择地掺入扩散系数小于第一杂质的第二导电类型第二杂质来形成第二扩散层。然后，在栅极一侧表面形成一个侧壁。接着，用栅极和侧壁作为掩模，将浓度高于第一和第二杂质的第二导电类型第三杂质掺入半导体衬底表面。
采用掺杂结构半导体器件及其制备方法

[发明专利]各向异性干腐蚀方法-CN99100230.X无效
发明人：原岛启一 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 1999-01-19 - 公布日： 2003-07-02 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：在相对于氧化硅膜、多晶硅膜和硅膜有选择地各向异性地干腐蚀氮化硅膜的方法中，衬底温度被设置在10℃或更低，并且包含氟、碳和氢的复合气体与一氧化碳(CO)相混合的气体被用做反应气体。借助于这种方法，有可能相对于氧化硅膜、多晶硅膜和硅膜的任意一种有选择地各向异性地干腐蚀氮化硅膜。
各向异性腐蚀方法

[发明专利]图形处理器和图形处理方法-CN98103400.4无效
发明人：水谷宪一 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 1998-06-26 - 公布日： 2003-07-02 - 主分类号： G06T1/20 文献下载
摘要：一种图形处理器，包括：一个定时信号发生器(12)，用来根据时钟信号、帧同步信号和行同步信号输出用于进行定时控制的信号；一个绘制处理器(11)，用来输出目标画面的图形数据；一个选择部分(16)，用来在定时信号发生器(12)的控制下输出显示缓冲器地址信号；一个显示缓冲器(13)，它输入从绘制处理器(11)输出的图形数据，并在定时信号发生器(12)的控制下输出显示数据信号；一个屏蔽部分(17)，如果需要，用来屏蔽从显示缓冲器(13)输出的显示数据信号；和一个状态寄存器(15)用来根据显示缓冲器地址信号控制屏蔽部分(17)。
图形处理器处理方法

[发明专利]半导体存储器件-CN01808436.2有效
发明人：高桥弘行;园田正俊 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2001-04-12 - 公布日： 2003-06-25 - 主分类号： G11C11/407 文献下载
摘要：一种半导体存储器件，即使芯片的内部或外部产生的噪声搭载在地址中，也不进行误操作。随着读出放大器的激活(时刻t7、t13)及数据输出操作(时刻t14)，除了在内部产生电源噪声以外，还在任意的定时产生来自外部的系统噪声。将从外部输入的地址Address在锁存控制信号LC的上升沿(时刻t10)取入到内部，所以使输入灵敏度控制信号IC在地址时滞期间(时刻t1～t4)后有效(时刻t6～t12)并降低对地址的灵敏度，除去地址中搭载的噪声。此外，在数据输出操作后使锁存控制信号LC下降(时刻t17)。由此，通过解除锁存状态，防止搭载了噪声的地址错误生成地址变化检测信号ATD。
半导体存储器件

[发明专利]多重布线板-CN02152999.X无效
发明人：平井太郎;樋野滋一;池上五郎;德本幸孝 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2002-11-29 - 公布日： 2003-06-04 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：一种带有电子元件的多重母板，其围绕在母板两个表面的外围具有框形加固导电膜。在该导电膜中，形成了多个小的开口，以使在两个表面上的开口的位置互相错开。
多重布线

[发明专利]高读出速度的多值只读存储装置-CN98107741.2无效
发明人：平野正则 -专利权人：日本电气株式会社;恩益禧电子股份有限公司
申请日： 1998-02-27 - 公布日： 2003-06-04 - 主分类号： G11C17/00 文献下载
摘要：在一个多值只读存储装置中，每一个用于存储对应N(N＝3，4…)个门限电平(VTO、VT1…)的N个信息状态的多个存储单元(C00、C10、…)被接到多条字线(WL0、WL1…)，并且用于存储所说的N个信息状态的多个基准存储器单元(RC0′、RC1′…)被接到基准字线(WLR′)一个字线选择电路(2′-1，2′-2)选择字线之一并选择基准字线，以便使得在选择的字线和在所说的基准字线的电压逐渐地增加。一个锁存定时产生电路(54′)，根据基准存储器单元输出的信号(SA0′、SA1′…)产生锁存定时信号(LT0、LT1…)，以及一个锁存电路(50′、51′)，根据所说的锁存定时信号锁存所说的存储器单元的输出信号(SA0、SA1…)一个编码器电路(55′)，根据该锁存电路输出的信号(L0、L1…)产生输出的数据(D0、D1…)。
读出速度只读存储装置

[发明专利]介质分隔式半导体器件-CN98122333.8无效
发明人：小林研也 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 1998-11-12 - 公布日： 2003-06-04 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：将第一和第二P-型半导体衬底通过在其间夹上一绝缘膜胶合起来，构成SOI衬底。在P型SOI层中两衬底的表面形成沟道分隔区，供选择各元件用，从而通过用氧化膜埋设沟道将元件形成区封闭起来。在此由介电区分隔的元件形成区中形成具有P+型漏极扩散层和P-型漏极扩散层的MOS晶体管。向由沟道分隔区所封闭的元件形成区外的P+扩散层连接的电极和漏极扩散层上加同样的电位。这样做的结果是，无需在SOI衬底背面形成电极就可以避免耐压变差。
介质分隔半导体器件

[发明专利]半导体器件制造工艺-CN98100376.1无效
发明人：占部耕児 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 1998-01-23 - 公布日： 2003-05-21 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：一种具有钛膜的半导体器件的制造工艺包括以下步骤通过化学汽相淀积法在衬底上形成钛膜，以及在钛膜形成步骤后，用含有卤素的气体除去形成钛膜的反应室内淀积的钛。
半导体器件制造工艺

[发明专利]制备有金属硅化物膜的半导体器件的方法-CN98109731.6无效
发明人：田桑哲也 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 1998-05-08 - 公布日： 2003-05-14 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：为了防止形成在接触孔或通孔中以及掩埋接触孔或通孔的绝缘膜上的厚金属氮化物膜的破裂或剥落，提供容易去除绝缘膜上的不需要金属膜、而同时留下形成在接触孔中的金属硅化物膜的方法。该方法包括以下步骤用CVD在形成于绝缘膜中的孔中及绝缘膜上淀积钛膜，通过孔底部钛膜与半导体衬底反应形成金属硅化物膜，然后用含卤素的腐蚀气体选择去除金属硅化物膜以外的其它不需要的金属膜。
制备金属硅化物膜半导体器件方法

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