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[发明专利]半导体存储装置-CN200910163487.4有效
发明人：高桥弘行 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-08-21 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： G11C11/401 文献下载
摘要：传统上很难使电路更快地进行操作。本发明是半导体存储装置，其包括基准电压电路，提供基准电压；以及第一和第二存储器电路，当第一和第二存储器电路中的一个被选择时执行读取/写入操作，其中第一和第二存储器电路均包括多个存储器单元；多个位线对；预充电电路，将基准电压电路连接至多条位线；读出放大器电路，当进行选择时该读出放大器电路放大多个位线对；以及下拉电路，将多个位线对中的任何一个降低到低于基准电压，在第一和第二存储器电路被选择或者未被选择期间的读取/写入操作时段，第二存储器电路的下拉电路降低位线对并且在预充电时段期间第一和第二存储器电路的预充电电路将多个位线对分别连接至基准电压电路。
半导体存储装置

[发明专利]制造具有凸块的电子组件的方法-CN200910163486.X无效
发明人：小川健太 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-08-21 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明提供一种制造具有凸块的电子组件的方法。一种电子组件制造方法包括：将凸块形成材料安装在第一布线基板(100)上，熔化凸块形成材料以在布线基板(100)上形成凸块(200)的步骤；将模具按压到凸块(200)上以形成具有前端部(202)的凹部(220)的步骤；将焊料膏(420)印刷到第二布线基板(400)的电极(410)上的步骤；在焊料膏(420)上对布线基板(100)上的凸块(200)执行位置对准以使前端部(202)与凸块接触的步骤；以及加热在其上安装有布线基板(100)的布线基板(400)的步骤，其中，从与焊料膏(420)接触的凸块前端部(202)向着外围(230)形成凹部(220)。
制造具有电子组件方法

[发明专利]半导体开关控制装置-CN200910163407.5无效
发明人：深海郁夫 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-08-19 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： H03K17/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体开关控制装置。该半导体开关控制装置包括：电流检测单元，该电流检测单元检测在半导体开关中流动的电流；电压检测单元，该电压检测单元检测电压；以及温度检测单元，该温度检测单元检测温度。过渡热阻值提供单元将过渡热阻值Z_th提供给计算单元，该过渡热阻值Z_th基于从接收到过电压信号起经过的时间。温度检测单元检测当产生过电压时的初始温度T_J0。当用I_ds表示检测电流值，并且用V_ds表示检测电压值时，计算单元通过下面的表达式计算半导体开关的温度：(表达式)：半导体开关的温度T_J＝I_ds×V_ds×Z_th+T_J0。
半导体开关控制装置

[发明专利]电熔丝和半导体装置-CN200910166066.7有效
发明人：竹胁利至 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-08-11 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明涉及电熔丝和半导体装置。一种电熔丝，包括：要被切断的互连；以及第一端子和第二端子，其分别提供在要被切断的互连的两端。要被切断的互连，包括：第一定向膜，其包含铜作为主要成分并且被定向在(111)面中；以及第二定向膜，其包含铜作为主要成分并且被定向在(511)面中。在第一定向膜的宽度方向上，第二定向膜被提供在第一定向膜内部，以便分割第一定向膜，所述第一定向膜的宽度方向与从第一端子到第二端子的方向相垂直。因此，变得可以确保切断其构成材料为铜的电熔丝，并且此外，可以在切断电熔丝之后将电熔丝保持在良好的切断状态。
电熔丝半导体装置

[发明专利]半导体器件-CN200910166063.3无效
发明人：高冈洋道;窪田吉孝;津田浩嗣 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-08-11 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底；电熔丝，其包括形成在衬底上的下层布线、提供在下层布线上并连接到下层布线的第一通路、和提供在第一通路上并连接到第一通路的上层布线，在电熔丝的切断状态下，形成构成电熔丝的导电材料的流出部分；以及热扩散部，其包括热扩散布线，该热扩散布线形成在与上层布线和下层布线中之一相同的层中，并且布置在上层布线和下层布线中的所述之一的一侧上，热扩散部电连接到上层布线和下层布线中的所述之一上。
半导体器件

[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法-CN200910166067.1无效
发明人：川口宏 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-08-11 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件和制造半导体器件的方法。该半导体器件包括：高耐压晶体管(128)；栅电极(110)，该栅电极形成在沟道区(170)上；第一导电类型源区(116a)和第一导电类型漏区(116b)，该第一导电类型源区(116a)形成在沟道区(170)的一侧，该第一导电类型漏区(116b)形成在沟道区(170)的另一侧；以及漂移区(172)，该漂移区(172)设置在源区(116a)和漏区(116b)之间并且具有超结结构，在该超结结构中，第一导电类型杂质扩散区和第二导电类型杂质扩散区沿着栅电极(110)的栅宽度方向以恒定宽度的规则间隔交替布置。从平面图看，栅电极具有梳状结构，该梳状结构包括覆盖漂移区(172)的第二导电类型杂质扩散区的梳齿。
半导体器件制造方法

[发明专利]半导体集成电路-CN200910166004.6有效
发明人：下川健寿;古田博伺 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-08-07 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体集成电路。根据本发明的示例性实施例的半导体集成电路包括：多个存储器单元，该多个存储器单元连接至一条字线；多个传感放大器电路，该多个传感放大器电路连接至存储器单元并且被划分为N个组；以及N个数据反转处理电路，该N个数据反转处理电路分别接收从N组传感放大器读出的数据，其中在第一组传感放大器电路终止操作之后，不同于第一组的第二组传感放大器电路进行操作，并且数据反转处理电路中的每一个基于从每一组传感放大器电路读出的数据执行数据反转处理，并且将数据输出至数据反转处理电路中的每一个的输出端子。
半导体集成电路

[发明专利]栅极线驱动电路-CN200910164988.4有效
发明人：周隆之 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-08-05 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：本发明提供了一种栅极线驱动电路。栅极线驱动电路(20)包括：X个电平移位电路(LS_1至LS_X)，被构造为将第一地址信号(L_1至L_X)转换成第二地址信号(H_1至H_X)；以及逻辑电路(21)，被构造为通过将第一驱动电压(VGH)提供给选择栅极线并且将第二驱动电压(VGL)提供给除了选择栅极线之外的N条栅极线(G_1至G_N)中的非选择栅极线，基于第二地址信号(H_1至H_X)来驱动显示单元(10)的N条栅极线(G_1至G_N)的选择栅极线。X是1或者大于1的整数。N等于2的X次幂。第一地址信号(L_1至L_X)包括X个电压，每个是第一电压(VDD)或第二电压(VCC)。第二地址信号(H_1至H_X)包括X个驱动电压，每个是第一驱动电压(VGH)或者第二驱动电压(VGL)。
栅极驱动电路

[发明专利]差分放大器-CN200910164989.9有效
发明人：岛谷淳 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-08-05 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明提供了一种差分放大器。差分放大器的输入级包括差分对，其由N沟道MOS晶体管MN1和N沟道MOS晶体管MN2形成，所述N沟道MOS晶体管MN1具有被连接到INM的栅极，所述N沟道MOS晶体管MN2具有被连接到INP的栅极，都具有相互连接的源极；恒流源，其被连接到MN1和MN2的源极；以及可变电流源，被连接到MN1和MN2的源极。具有中间级和输出级的后级处理电路包括相位补偿电容器，并且通过恒流源使相位补偿电容器充电和放电，输出响应于差分输入变化的输出。当变化达到导致差分对的源极处的寄生电容器要被放电的水平时，可变电流源导通，并且提供用于使寄生电容器放电的电流。
差分放大器

[发明专利]半导体存储器装置-CN200910166010.1有效
发明人：高桥弘行 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-08-07 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： G11C11/40 文献下载
摘要：本发明涉及半导体存储器装置。在示例性方面，提供了这样一种半导体存储器装置，其包括：读出放大器，其驱动连接存储器单元的位线；以及驱动器晶体管，其将电源提供给读出放大器，其中，读出放大器被布置成行，并且构成其中布置第一导电类型的晶体管的第一读出放大器行和其中布置第二导电类型的晶体管的第二读出放大器行，并且驱动器晶体管在第一读出放大器行和第二读出放大器行之间构成至少一个晶体管行，所述至少一个晶体管行包括与第一读出放大器行相对应的第一导电类型的第一驱动器晶体管和与第二读出放大器行相对应的第二导电类型的第二驱动器晶体管。
半导体存储器装置

[发明专利]显示面板驱动器和显示装置-CN200910164140.1有效
发明人：西村浩一 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-08-06 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： G09G3/36 文献下载
摘要：提供了一种显示面板驱动器和显示装置。该显示面板驱动器具有通过使用具有输出特性的良好对称性的放大器输出而改进的驱动特性。根据本发明的显示面板驱动器包括第一输入差分级电路、第一输出级电路、第二输出级电路、以及第一开关电路。第一输入差分级电路根据正电压和负电压中的一个输出两个第一输入级输出信号。第一开关电路选择第一和第二输出级电路中的一个，并且将所选择的电路连接至第一输入差分级电路。被连接至第一输入差分级电路的输出级电路基于来自于第一输入差分级电路的两个第一输入级输出信号来输出单端信号。
显示面板驱动器显示装置

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200910166008.4无效
发明人：北岛弘康 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-08-07 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件能在无任何附加步骤的情况下实现布线等在熔丝下的放置。半导体器件包括在绝缘层中形成的多个第一电容器孔、在第一电容器孔中形成的电容器、由电容器和耦联至该电容器的晶体管构成的DRAM单元、在绝缘层中形成的多个第二电容器孔、以及在第二电容器孔之间形成的熔丝。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN200910166007.X无效
发明人：田中浩治 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-08-07 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件。所述半导体器件包括：元件隔离膜，其形成在一种导电类型的半导体衬底表面上；栅电极，其具有位于元件隔离膜和元件形成区之间的边界处的一对端部；反型导电类型的源极区和漏极区，其被布置成将栅电极正下方的区域夹在其间；以及杂质扩散区，其具有所述一种导电类型，形成在元件形成区中。源极区与元件形成区中的栅电极正下方的区域中的元件隔离膜和元件形成区之间的边界侧上的区域分离。在杂质扩散区中，与边界侧上的区域相邻的部分被布置在源极区和元件隔离膜之间，并且与源极区和边界侧上的区域接触。杂质扩散区不布置在漏极区和元件隔离膜之间。
半导体器件

[发明专利]半导体集成电路-CN200910166005.0无效
发明人：下川健寿;古田博伺 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-08-07 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： G11C11/34 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体集成电路，该半导体集成电路具有K(K是2或者大于2的自然数)个耦合到同一字线的存储器单元，和耦合到存储器单元的多个传感放大器电路。多个传感放大器电路被划分为N(N是2或者大于2的自然数)个组。在N个组中，在第一组传感放大器电路被激活并且在执行预定的读出操作之后，第二组传感放大器电路被激活并且执行预定的读出操作，并且第N组传感放大器电路被顺序地激活以执行预定的读出操作。
半导体集成电路

[发明专利]运算放大器电路和显示面板驱动装置-CN200910164986.5无效
发明人：西村浩一;大塚博通 -专利权人： 恩益禧电子股份有限公司
申请日： 2009-08-05 - 公布日： 2010-02-10 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明提供了一种运算放大器电路和显示面板驱动装置。运算放大器电路包括：输入级，该输入级用于生成与反相和非反相输入端子之间的电势差相对应的内部电流；以及输出级，该输出级用于响应于内部电流驱动输出端子。输出端子包括：浮动电流源，内部电流流过该浮动电流源；PMOS晶体管，该PMOS晶体管用于对应于浮动电流源的第一端子的电势驱动输出端子；以及NMOS晶体管，该NMOS晶体管用于对应于浮动电流源的第二端子的电势驱动输出端子。浮动电流源包括：PMOS晶体管，其源极和漏极分别被连接至第一和第二端子；以及NMOS晶体管，其漏极和源极分别被连接至第一和第二端子。耗尽型晶体管被用作后面的NMOS晶体管。
运算放大器电路显示面板驱动装置