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[实用新型]一种产生驱动信号的集成电路及点火装置-CN202321349496.4有效
发明人：黄双;潘军;张剑乔;胥锐 -专利权人：重庆中科芯亿达电子有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： F24C3/12 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种产生驱动信号的集成电路及点火驱动装置，所述集成电路包括：输入信号模块、逻辑控制模块、第一吸阀驱动模块、第一点火驱动模块、第二吸阀驱动模块和第二点火驱动模块；输入信号模块分别与外部控制信号产生器和逻辑控制模块的输入端相连；所述逻辑控制模块的输出端分别与第一吸阀驱动模块、所述第一点火驱动模块、第二吸阀驱动模块和第二点火驱动模块相连；所述第一吸阀驱动模块还与外部第一阀门单元相连；所述第一点火驱动模块还与外部第一点火单元相连；所述第二吸阀驱动模块还与外部第二阀门单元相连；所述第二点火驱动模块还与外部第二点火单元相连；其解决了现有技术中存在的不能同时满足驱动电路体积小和成本低的问题。
一种产生驱动信号集成电路点火装置

[实用新型]一种电平转换电路-CN202221628167.9有效
发明人：潘军;张剑乔;黄双;胥锐 -专利权人：重庆中科芯亿达电子有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H03K19/0175 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种电平转换电路。所述转换电路包括：第一电平转换单元和第二电平转换单元；通过第一电平转换单元将信号发射装置发出的电平信号转换为信号接收装置能够接收的电平信号，通过第二电平转换单元将信号接收装置发出的电平信号转换为信号发射装置能够接收的电平信号，解决了现有技术中信号发射装置和信号接收装置之间数据传输通讯方式单一，信号接收装置无法反馈数据是否传输成功，导致数据传输不准确的问题，提高了数据传输的准确性，满足了用户需求。
一种电平转换电路

[发明专利]一种桥梁工程桥面修补装置及其使用方法-CN202210011191.6在审
发明人：董朝宁;赵潇劼;李争华;李崇;吴兴正;王瑞云;郑洋;孟永旺;张剑乔;王莹 -专利权人：董朝宁
申请日： 2022-01-06 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： E01D22/00 文献下载
摘要：本发明涉及桥面修补技术领域，具体涉及一种桥梁工程桥面修补装置及其使用方法，包括固定架和两个轨道杆，固定架的两端均固连有移动支撑机构，所述固定架的顶面中间位置固连有料斗，所述料斗的下方设置有平整板，所述平整板的顶面中间位置固定连通有下料框。本发明中，通过通过摊铺组件和驱动组件的设置，通过分板一、分板二和分板三对混凝土的逐级分散，使得混凝土较为均匀的摊铺在下料框下方的陷坑内，使得混凝土更加快速且均匀的摊铺从而增加整体的修补效率，通过平整板的设置，平整板的震动对陷坑内的混凝土进行震动压实，同时对混凝土表面进行平整，实现对陷坑的填充的同时对表面进行找平，增加修补效率，减少后续的人工收尾工作。
一种桥梁工程桥面修补装置及其使用方法

[发明专利]一种高速公路边坡防护系统-CN202011595853.6在审
发明人：吕维前;胡远方;徐肃函;胡博;汪润新;孟建;骆强;陆新焱;曾德贤;华升;李攀;张慧鲜;周聪;侯攀峰;焦伟立;赵战涛;刘柳;郑磊;赵东旭;周国伟;夏智博;高树勋;刘磊;杨光;李哲;李东峰;陈平祥;曹帅鹏;彭荣贵;郭付印;张全喜;李威;蒋佳莹;王静;郭天帅;戴文斌;李峰;胡广华;管玉见;李瑾;申华栋;王聚军;刘晨希;耿高;刘帅伟;张剑乔;姜兴国;马磊 -专利权人：河南中天交通设施研发有限公司;河南安罗高速公路有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： E02D17/20 文献下载
摘要：一种高速公路边坡防护系统，包括：路缘石，所述路缘石包括多个本体，所述路缘石本体的下端面上设置有凹槽，多个所述路缘石之间间隔设置有排水口；护坡，所述护坡包括相互卡扣设置的多个装配单元，所述装配单元包括圆弧拱圈和拱柱，所述圆弧拱圈上表面的下侧边和拱柱上表面的左右两侧边上均设置有挡边；泄水槽，所述泄水槽包括集水槽、引水槽和缓冲槽，其中集水槽的上端与所述排水口连通，所述集水槽底部靠近公路的侧边上往外伸出有导向斜边，所述引水槽开口的两侧均设置有搭边，及防冲槽，所述防冲槽靠近公路一侧的槽壁上表面设置有通槽。总之，整个系统可以将高速公路和边坡上的雨水及时、有序地，防止其对高速公路造成破坏。
一种高速公路防护系统

[发明专利]一种多晶自掺杂平滑顶栅JFET器件及其制造方法-CN202010582154.1在审
发明人：刘建;税国华;林涛;欧红旗;冯志成;阚玲;刘青;朱坤峰;黄磊;王飞;张剑乔;张培健 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司;中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶自掺杂平滑顶栅JFET器件及其制造方法；器件包括P型衬底100、P型埋层101、N型外延层102、P型隔离穿透区103、场氧层104、预氧层105、P型沟道区106、P型重掺杂源漏区107、多晶栅区108、N型栅扩散区109、TEOS金属前介质层110、源漏极第一层金属111和栅极第一层金属112。制造方法步骤为：1)注入第一导电类型埋层。2)生长第二导电类型外延层。3)注入第一导电类型隔离穿透区。4)生长场氧层。5)注入第一导电类型沟道区。6)注入第一导电类型重掺杂源漏区。7)形成多晶栅区。8)刻蚀出第二导电类型栅扩散区。9)淀积TEOS金属前介质层。形成源漏极第一层金属和栅极第一层金属。本发明器件的对输入阻抗的大小以及对阈值电压精确控制的能力都有很大的提升。
一种多晶掺杂平滑 jfet 器件及其制造方法

[发明专利]一种纵向高压功率双极结型晶体管及其制造方法-CN201710261250.4有效
发明人：刘建;刘青;税国华;张剑乔;陈文锁;张培健;易前宁 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2017-04-20 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L29/732 文献下载
摘要：本发明公开了一种纵向高压功率双极结型晶体管及其制造方法；在一种常规的纵向功率双极结型集体管的基础上，在所有基区边缘加上第一层金属，使基极第一层金属边缘全覆盖基区之上，尺寸超出基区结深的一到五倍，而发射极金属通过通孔以及第二层金属引出。理论分析在器件处于反向耐压工作状态下，所有基区CB结边缘由于金属场板的覆盖，使得耗尽区扩散时边缘曲面结的曲率效应大大降低，BVcbo耐压急剧变大，从而使得相应的BVceo变大，而对于正向增益无任何损失，本发明很好的解决了纵向NPN管中增益和BVceo耐压的折中实现问题。本发明的横向高压功率双极结型晶体管在其余参数影响不大，且增益基本维持不变的情况下，BVcbo提高40％以上、BVceo提高20％以上。
一种纵向高压功率双极结型晶体管及其制造方法

[发明专利]一种高压衬底PNP双极结型晶体管及其制造方法-CN201810149685.4有效
发明人：刘建;刘青;税国华;张剑乔;陈文锁;张培健 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压衬底PNP双极结型晶体管及其制造方法；具体是在一种常规的衬底PNP双极结型晶体管的基础上，在整个集电区边缘加上第一层金属，使集电极第一层金属边缘覆盖于整个集电区之上，尺寸超出集电区结深的一到五倍，而发射极第一层金属边缘同样覆盖于发射区之上，尺寸超出发射区结深的一到五倍，集电极、发射极、基极的电极均由第二层金属引出；理论分析在器件处于反向CE/EB/CB耐压工作状态下，耐压结边缘由于金属场板的覆盖，使得耗尽区扩散时边缘曲面结的曲率效应大大降低，BVcbo/BVceo/BVebo耐压急剧变大，而对于正向增益无任何损失，本发明很好的解决了衬底PNP管中增益和耐压的折中实现问题。
一种高压衬底 pnp 双极结型晶体管及其制造方法

[发明专利]一种纵向高压双极结型晶体管及其制造方法-CN201710261249.1有效
发明人：刘建;刘青;税国华;张剑乔;陈文锁;张培健;易前宁 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2017-04-20 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种纵向高压双极结型晶体管及其制造方法；具体是在一种常规的纵向双极结型集体管的基础上，在紧贴集电极一侧的基区边缘加上第一层金属，使基极第一层金属边缘覆盖于基区之上，尺寸超出基区结深的一到五倍，而发射极金属通过远离集电极一侧引出。理论分析在器件处于反向耐压工作状态下，紧贴集电极一侧的基区CB结边缘由于金属场板的覆盖，使得耗尽区扩散时边缘曲面结的曲率效应大大降低，BVcbo耐压急剧变大，从而使得相应的BVceo变大，而对于正向增益无任何损失，本发明很好的解决了纵向NPN管中增益和BVceo耐压的折中实现问题。本发明的横向高压双极结型晶体管在其余参数影响不大，且增益基本维持不变的情况下，BVcbo提高20％以上、BVceo提高10％以上。
一种纵向高压双极结型晶体管及其制造方法

[实用新型]一种带反钩爪的柔性自锚式预应力锚杆-CN201920229724.1有效
发明人：李帅;杜俊旺;杨青;徐咏梅;丁心香;吕令钊;朱梦龙;张慧鲜;吴兴正;张剑乔;王瑞云;刘帅伟 -专利权人：河南省交通规划设计研究院股份有限公司
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： E21D21/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带反钩爪的柔性自锚式预应力锚杆，包括顶端螺接有套筒的杆体，套筒内设置有活动底座，活动底座下表面固连有弹性元件，活动底座上表面固连有一组反钩爪，反钩爪的爪头延伸至套筒外，反钩爪的钩柄与设置在套筒顶端的承载环通过锯齿状卡槽配合连接。本实用新型结构简单、设计巧妙，充分发挥了预应力锚杆柔性支护的特性，优化了支护－围岩体系的“支护刚度”和“支护强度”配置，通过锚固端与锚固基体孔壁间的机械嵌固力提供预应力，配合锚固端巧妙构造使预应力均匀、同步承担于锚固端装置上，增加了锚杆预应力：不仅能够随洞壁围岩的变形或应力场的变化进行自锚式锚固，而且充分满足了现代支护理论对“支护时机”的要求。
支护钩爪预应力锚杆活动底座自锚式套筒本实用新型锚固端固连围岩锯齿状卡槽锚固端装置弹性元件锚固基体配合连接柔性支护套筒顶端承载环力提供上表面下表面应力场洞壁杆体钩柄孔壁螺接锚杆锚固嵌固爪头变形时机延伸配置优化配合

[发明专利]一种高性能MOSFET及其制造方法-CN201610621150.3有效
发明人：刘青;刘建;税国华;张剑乔;陈文锁 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2016-08-02 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种高性能MOSFET及其制造方法，所述元胞采用方形元胞，其特征在于：包括P型衬底、P型埋层、P型外延层、N型重掺杂区、n型漂移区、P型体沟道区、N型重掺源区、介质层、多晶栅极区、金属前介质层、场板金属、P型重掺杂区、源端金属、漏端金属。所述制备流程为：n+硅片制备，埋层注入推结，生长n‑外延，场氧生长，穿通区扩散，栅氧化层生长，多晶刻蚀，N漂移区注入推结，p型体沟道区注入推结，N+重掺杂源区注入退火，接触孔刻蚀，p+重掺杂区注入退火，金属淀积，刻蚀，合金、钝化、退火。
一种性能 mosfet 及其制造方法

[发明专利]一种带反钩爪的柔性自锚式预应力锚杆-CN201910135683.4在审
发明人：李帅;杜俊旺;杨青;徐咏梅;丁心香;吕令钊;朱梦龙;张慧鲜;吴兴正;张剑乔;王瑞云;刘帅伟 -专利权人：河南省交通规划设计研究院股份有限公司
申请日： 2019-02-25 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： E21D21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种带反钩爪的柔性自锚式预应力锚杆，包括顶端螺接有套筒的杆体，所述套筒内设置有活动底座，所述活动底座下表面固连有弹性元件，活动底座上表面固连有一组反钩爪，所述反钩爪的爪头延伸至套筒外，反钩爪的钩柄与设置在套筒顶端的承载环通过锯齿状卡槽配合连接。本发明结构简单、设计巧妙，充分发挥了预应力锚杆柔性支护的特性，优化了支护－围岩体系的“支护刚度”和“支护强度”配置，通过锚固端与锚固基体孔壁间的机械嵌固力提供预应力，配合锚固端巧妙构造使预应力均匀、同步承担于锚固端装置上，增加了锚杆预应力：不仅能够随洞壁围岩的变形或应力场的变化进行自锚式锚固，而且充分满足了现代支护理论对“支护时机”的要求。
支护钩爪预应力锚杆活动底座自锚式套筒锚固端固连围岩锯齿状卡槽锚固端装置弹性元件锚固基体配合连接柔性支护套筒顶端承载环力提供上表面下表面应力场洞壁杆体钩柄孔壁螺接锚杆锚固嵌固爪头变形时机延伸配置优化配合

[发明专利]MIM电容结构及其制作方法-CN201811502715.1在审
发明人：张培健;朱坤峰;张剑乔;王鹏飞;刘建 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十四研究所
申请日： 2018-12-10 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种MIM电容结构的制作方法，包括：在衬底片上依次淀积好下极板、介质层以及上极板材质；定义出上极板，然后刻蚀形成上极板；去除光刻胶；在形成上极板的衬底片再次定义出下极板，然后刻蚀形成下极板；去除光刻胶；在形成上、下极板的结构上淀积电容外保护氧化层并进行表面平坦化刻蚀，保证器件表面平整，定义出上、下极极板金属层开孔，形成金属互连结构；去除光刻胶，形成最终MIM电容结构。本发明还提供了一种MIM电容结构。
上极板光刻胶下极板刻蚀去除衬底片淀积金属互连结构表面平坦化极板金属器件表面介质层氧化层电容极板开孔制作平整保证

[发明专利]一种基于光伏应用的NEXFET旁路开关-CN201610171548.1有效
发明人：刘建;刘青;税国华;张剑乔 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2016-03-24 - 公布日： 2019-04-12 - 主分类号： H03K17/74 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于光伏应用的NEXFET旁路开关，由N沟道的具有超低导通压降的NEXFET、驱动控制模块和电容组成，NEXFET为核心部分，C+接电容正端，C‑接电容负端，G接NEXFET栅级，D‑接NEXFET阳极，D+接NEXFET阴级，该电路具有旁路开关能力。其基本工作原理类似于肖特基二极管，电容和驱动控制模块用于NEXFET的驱动控制，而功率NEXFET器件作为光伏电池元胞的旁路开关，当光伏电池元胞中出现热点时，电流就会经旁路开关流过而不会阻断，在一切都正常的情况下旁路开关不会起作用的。本发明旁路二极管具有极低的导通压降，反向漏电流更小，功耗更低，温度特性更好，寿命更长和特性更稳定。
一种基于应用 nexfet 旁路开关

[发明专利]一种高压衬底PNP双极结型晶体管及其制造方法-CN201810149761.1在审
发明人：刘建;刘青;税国华;张剑乔;陈文锁;张培健 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2018-02-13 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压衬底PNP双极结型晶体管及其制造方法；具体是在一种常规的衬底PNP双极结型晶体管的基础上，在紧贴基极一侧的集电区边缘加上第一层金属，使集电极第一层金属边缘覆盖于集电区之上，尺寸超出集电区结深的一到五倍，而发射极第一层金属边缘同样覆盖于发射区之上，尺寸超出发射区结深的一到五倍。理论分析在器件处于反向CE/EB/CB耐压工作状态下，耐压结边缘由于金属场板的覆盖，使得耗尽区扩散时边缘曲面结的曲率效应大大降低，BVcbo/BVceo/BVebo耐压急剧变大，而对于正向增益无任何损失，本发明很好的解决了衬底PNP管中增益和耐压的折中实现问题。
衬底耐压双极结型晶体管第一层集电区金属边缘发射区结深覆盖边缘曲面金属场板理论分析曲率效应常规的发射极耗尽区集电极正向紧贴制造金属扩散

[发明专利]一种横向高压双极结型晶体管及其制造方法-CN201710118996.X在审
发明人：刘建;刘青;税国华;张剑乔;易前宁;陈文锁 -专利权人：重庆中科渝芯电子有限公司
申请日： 2017-03-02 - 公布日： 2018-04-20 - 主分类号： H01L29/735 文献下载
摘要：本发明公开了一种横向高压双极结型晶体管及其制造方法；包括P型衬底、N型埋层、P型埋层、N型外延层、P型隔离穿透区、N型穿通区、P型体区、N型重掺区、N型重掺环区、预氧层、场氧层、TEOS金属前介质层、发射区金属、集电极金属和基极金属；本发明是在常规横向双极结型集体管的基础上，在集电区与发射区之间加入了N型环状注入，再通过优化第一层金属的布局，使金属全覆盖于集电区之上，尺寸超出集电区结深的两倍。通过仿真以及实际流片结果得出本发明的横向高压双极结型晶体管在其余参数影响不大的情况下，BVcbo提高40％以上、BVceo提高30％以上、漏电能力提升一个量级。本发明提供的一种横向高压双极结型晶体管。
一种横向高压双极结型晶体管及其制造方法

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