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[发明专利]一种用于深低温环境的轨到轨输入CMOS模数转换器电路-CN202110254437.8有效
发明人： 寇煦丰;陈人和;王泽伟 -专利权人：上海科技大学
申请日： 2021-03-09 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H03M1/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种适用于深低温环境的CMOS模数转换器，包括参考电压分压电路生成参考电压信号；低温轨到轨动态比较器比较外部输入信号与参考电压信号，生成温度计编码形式的比较结果；气泡错误消除阵列消除动态比较器的误差并生成独热码信号；二进制编码电路将独热码编码为二进制信号；输出增强电路驱动外部负载。本发明在动态比较器中采用二级式互补型预放大器，实现全温区(4.2K到常温)的轨到轨电压输入。
一种用于低温环境轨到轨输入 cmos 转换器电路

[发明专利]一种基于III-V族窄禁带半导体异质结构的自旋信号探测器-CN202110521376.7有效
发明人： 寇煦丰;孙璐;薛丰铧;刘晓阳 -专利权人：上海科技大学
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H10N50/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于窄禁带III‑V/II‑VI化合物半导体的自旋‑电荷转换器件，其特征在于，由下至上依次包括衬底晶圆、缓冲层、自旋轨道耦合层、铁磁金属层、介电层以及顶电极层。与传统的基于重金属材料的自旋‑电荷转换器件相比，本发明的基于III‑V族半导体材料的结构不仅能够与现有的半导体CMOS工艺相匹配，同时相比于传统重金属材料更高的自旋轨道耦合强度可以提升器件的自旋‑电荷转换效率，此外，通过施加背栅电压可以实现对自旋轨道耦合强度的调控，进而进一步提升器件的效率，增幅超过50％以上。
一种基于 iii 族窄禁带半导体结构自旋信号探测器

[发明专利]一种基于III-V族窄禁带半导体的磁随机存储器-CN202010962769.7有效
发明人： 寇煦丰;孙璐;张勇;薛丰铧 -专利权人：上海科技大学
申请日： 2020-09-14 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H10N50/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于III‑V族窄禁带半导体的磁随机存储器，其特征在于，由下至上依次包括衬底晶圆、介电层、自旋轨道力矩作用层及MTJ结构层，介电层采用碲化镉CdTe或者碲化锌ZnTe材料；自旋轨道力矩作用层采用高迁移率的III‑V族窄禁带半导体锑化铟InSb或砷化铟InAs。本发明的基于III‑V族半导体材料的结构不仅能够现有的半导体CMOS工艺相匹配，还可以提供比传统重金属SOT材料更高的自旋轨道耦合强度，从而有效地降低器件写入电流的功耗问题。此外，通过施加背栅电压可以实现对自旋轨道耦合强度的调控，进而进一步改善器件的功耗。并且通过电场控制，能够增加改型器件阵列的可编程与存算一体化能力。
一种基于 iii 族窄禁带半导体随机存储器

[发明专利]一种基于拓扑绝缘体/二维铁磁异质结的可调人工神经网络元器件-CN202211010680.6在审
发明人： 寇煦丰;黄浦阳;刘馨琪 -专利权人：上海科技大学
申请日： 2022-08-23 - 公布日： 2022-12-13 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于拓扑绝缘体/二维铁磁异质结的可调人工神经网络元器件。本发明的可调人工神经网络元器件，由下至上依次包括衬底晶圆、二维铁磁层、拓扑绝缘体层和金属层；其中，所述的二维铁磁层采用碲化铬CrTe2或者铁锗碲Fe3GeTe2材料；所述的拓扑绝缘体层采用碲化铋Bi2Te3或者硒化铋Bi2Se3材料；所述的元器件通过拓扑绝缘体层产生的自旋轨道力矩对二维铁磁磁矩的调控，对应的多态磁畴翻转曲线可以实现突触的功能；同时二维铁磁材料的内禀磁性赋能数据训练中可调的激活函数，进而提升神经网络的训练效率和准确度。与传统的RRAM相比，本发明的元器件实现了激活函数可调功能，且具有更高的线性度和热稳定性。
一种基于拓扑绝缘体二维铁磁异质结可调人工神经网络元器件

[发明专利]使用机器学习构建非标准复杂材料色散模型的方法-CN202210252477.3在审
发明人：孙璐;寇煦丰 -专利权人：上海科技大学
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G16C60/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种使用机器学习构建非标准复杂材料色散模型的方法，对未知待测样品使用实验测量，获得的数据利用机器学习方法中的主成分分析算法进行压缩、初步筛选，再运用K均值聚类算法进行共性识别，最终获得未知待测样品的组成元素作为EMA模型基元，利用EMA模型获得未知待测样品材料参数。无需人为研究复杂材料的组分和光学性质，即可模拟集成电路中复杂材料的色散性能参数。该方法可以自动分析出组成复杂材料的“基元”，直接作为EMA模型的组成元素进行模型的拟合。解决新材料组分比较复杂且材料组分不清无法用现有模型拟合的问题。
使用机器学习构建非标准复杂材料色散模型方法

[发明专利]一种利用磁光效应实现铁磁磁畴形貌构建的方法-CN202010056813.8有效
发明人： 寇煦丰;薛丰铧;孙璐;张石磊 -专利权人：上海科技大学
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2022-06-21 - 主分类号： G01R33/032 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用磁光效应实现铁磁磁畴形貌构建的方法，属于物理测量技术领域。本发明使用一台带有采集数字图像功能的磁光克尔显微镜，测量过程包括：数据采集，即控制作为入射光的光源入射方向，分别采集样品表面横向和纵向的磁光克尔成像图；数据分析，对采集到的图像通过归一化、相减等处理，使其只保留横向和纵向的磁畴信号；再通过软件处理对横向和纵向的磁畴信号进行叠加，实现磁畴重构并绘制磁矩矢量分布图。
一种利用磁光效应实现铁磁磁畴形貌构建方法

[发明专利]半导体材料及其制备方法和应用-CN202110357192.1在审
发明人： 寇煦丰;汤辰佳;李家明;杜鹏;方铉 -专利权人：上海科技大学
申请日： 2021-04-01 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体材料及其制备方法和应用。半导体材料，包括依次层叠设置的硅衬底、缓冲层和外延层；所述缓冲层包括一层或多层IIA‑VIA族元素层，每层所述IIA‑VIA族元素层均包括IIA族和VIA族元素；所述外延层包括IIIA族和VA族元素。半导体材料的制备方法，包括：将所述硅衬底加热进行预处理，然后依次在所述硅衬底上生长所述缓冲层和所述外延层。所述半导体材料的应用，用于激光器和探测器。本申请提供的半导体材料，以同时解决晶格失配和热膨胀系数差异问题。
半导体材料及其制备方法应用

[发明专利]一种开关系统及动态随机存储器-CN201711354297.1有效
发明人：王本艳;黄添益;陈邦明;景蔚亮;寇煦丰 -专利权人：上海新储集成电路有限公司
申请日： 2017-12-15 - 公布日： 2020-12-01 - 主分类号： G11C7/04 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种开关系统，应用于一极低温环境下；开关系统包括：全耗尽型的SOI器件，包括源极、栅极、漏极以及衬底；温度反馈电路，包括一温度采样端和一电压输出端；电压输出端连接衬底；温度反馈电路通过温度采样端采集外部环境的温度信号，并根据采集到的温度信号生成用于调节衬底中电压的一调节电压；温度反馈电路通过一电压输出端与SOI器件的衬底连接，用于输出调节电压至衬底中；SOI器件在调节电压的调节下进行工作；能够避免低温环境造成的器件中载流子冻结的情况产生，进而避免翘曲效应的产生，提高器件性能。
一种开关系统动态随机存储器

[发明专利]一种快速降温装置及方法-CN201811526813.9在审
发明人：景蔚亮;陈邦明;寇煦丰 -专利权人：上海新储集成电路有限公司
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： H01L23/467 文献下载
摘要：本发明公开一种快速降温装置及方法，应用于半导体制造领域，其中，快速降温装置电连接一控制器，快速降温装置用以对半导体元器件进行快速降温处理；快速降温装置包括：空气泵；空气干燥器，至少一个空气干燥器构成空气干燥器组，每一空气干燥器内至少设置一干燥芯，每一干燥芯均与空气泵连通；装载箱，装载箱用以装载半导体元器件；冷凝剂容器，冷凝剂容器设置于装载箱内，冷凝剂容器至少包括一个冷凝剂喷嘴；烘干器，烘干器位于空气干燥器的下方，至少容纳一个干燥芯。有益效果：能够达到预期降温效果，使得冷凝剂的用量降低，节省使用成本，能够使得电路板和/或芯片需要降温的地方达到快速降温的效果，使得系统性能得以提升。
快速降温装置空气干燥器冷凝剂干燥芯半导体元器件快速降温烘干器空气泵装载箱装载半导体制造领域电路板降温效果容器设置系统性能控制器喷嘴电连接连通容纳芯片应用

[发明专利]一种三维存储器的存储单元结构-CN201810195274.9在审
发明人：王本艳;陈邦明;景蔚亮;寇煦丰 -专利权人：上海新储集成电路有限公司
申请日： 2018-03-09 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L27/22 文献下载
摘要：本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种三维存储器的存储单元结构，包括：第一金属连线层，制备有字线；二极管制备层，形成于第一金属连线层的上表面；二极管制备层中具有与字线连接的选通二极管；磁隧道结形成层，形成于二极管制备层的上表面；磁隧道结形成层中制备有分别连接字线和选通二极管的磁隧道结；第二金属连线层，形成于磁隧道结形成层的上表面；第二金属连线层中制备有位线，位线与磁隧道结连接；其中，选通二极管的导通方向朝向字线；能够形成单位面积大的选通二极管，保证了选通二极管的驱动电流，保证了存储单元的存储功能的优良。
二极管制备磁隧道结选通金属连线层上表面字线存储单元结构三维存储器位线半导体技术领域存储单元存储功能连接字线驱动电流导通保证

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