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[发明专利]硅基三维集成变频通道-CN202210378929.2在审
发明人：王锐;李伟;唐亮;黄钰智;凌东亚;赵洪亮;何威 -专利权人：中国电子科技集团公司第三十八研究所
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G01S7/03 文献下载
摘要：本发明提供一种硅基三维集成变频通道，涉及微波电子技术领域。本发明的一种硅基三维集成变频通道，包括多路开关滤波器模块和变频收发模块。其中，多路开关滤波器模块包括依次连接的第一单刀多掷开关、滤波器组和第二单刀多掷开关。变频收发模块包括一级变频收发单元和二级变频收发单元。一级变频收发单元与第一单刀多掷开关连接，二级变频收发单元与第二单刀多掷开关连接。本发明采用二级变频结构和多路开关滤波器组结合的方案，更容易实现宽频段频率转换和更好的交调抑制、杂散抑制效果，实现提高变频通道的杂散抑制性能。
三维集成变频通道

[发明专利]基于自组装亚微米ITO/Sc/ITO电流扩展层的GaN基发光二极管及制备方法-CN202011087950.4在审
发明人：许晟瑞;黄钰智;冯兰胜;范晓萌;张雅超;张进成;朱卫东;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种基一种基于自组装亚微米ITO/Sc/ITO电流扩展层结构的GaN基发光二极管及其制备方法，主要解决现有LED电流扩展层对光子的反射损耗与电流扩展不均匀的问题。其自下而上包括：4H‑SiC或蓝宝石衬底、高温AlN成核层、n型GaN层、InxGa1‑xN/GaN多量子阱、AlGaN电子阻挡层、p型层、电流扩展层和电极，其中：电流扩展层采用自组装亚微米图形的ITO/Sc/ITO三层结构，即表层和底层均为铟锡氧化物ITO，中间层为Sc。本发明优化了在电流扩展层中的电流的分布，改善了光输出通路，降低了光在反射中的损耗，提高了发光二极管的光输出效率，可用于制作高效率的GaN基发光设备。
基于组装微米 ito sc 电流扩展 gan 发光二极管制备方法

[发明专利]基于m面LiAlO₂衬底的m面Ⅲ族氮化物的发光二极管-CN201710210415.5有效
发明人：许晟瑞;彭若诗;杜金娟;李培咸;刘大为;张进成;李雨洋;黄俊;牛牧童;黄钰智;孟锡俊;郝跃 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2017-03-31 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： H01L33/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于m面LiAlO₂衬底的m面Ⅲ族氮化物的发光二极管，主要解决现有LED生长步骤多，工艺周期长的问题。其包括：m面LiAlO₂衬底层、GaN缓冲层、发光层和电极，其中GaN缓冲层与发光层之间设有SiN掩膜层，该SiN掩膜层表面设有通过光刻工艺形成的数根条纹，发光层为一层m面Ⅲ族氮化物层，该Ⅲ族氮化物采用GaN或AlN或AlGaN，分别发紫外光、极紫外光和深紫外光。本发明利用SiN掩膜层控制m面Ⅲ族氮化物层内的反型畴密度，利用反型畴的发光特点发光，相比于传统LED器件，本发明的器件结构和制作流程更为简化，工艺周期缩短，可用于照明，显示屏和背光源。
基于 lialo2 衬底氮化物发光二极管