|
|
钻瓜专利网为您找到相关结果 28个，建议您 升级VIP下载更多相关专利
- [发明专利]存储元件和存储装置-CN201380060841.5有效
-
大场和博;清宏彰
-
索尼公司
-
2013-11-06
-
2015-07-29
-
H01L27/105
- 本发明提供了一种能够实现低电流写入时中间电阻保持性能提高的存储元件和存储装置。本发明还提供了一种能够实现随机电报噪声降低的存储元件和存储装置。根据本技术的一个实施方案是按顺序包括第一电极、存储层和第二电极的存储元件，所述存储层设置有：离子源层，所述离子源层含有选自碲(Te)、硫(S)和硒(Se)中的至少一种硫族元素以及选自元素周期表的第4、5和6族的过渡金属元素中的至少一种过渡金属元素；和电阻变化层，所述电阻变化层含有硼(B)和氧(O)。根据本技术的另一个实施方案是按顺序包括第一电极、存储层和第二电极的存储元件，所述存储层设置有：上述的离子源层；和电阻变化层，所述电阻变化层含有选自元素周期表的第4、5和6族的过渡金属元素中的至少一种过渡金属元素和氧(O)。
- 存储元件装置
- [发明专利]存储元件和存储装置-CN201210042751.0有效
-
水口彻也;大场和博;保田周一郎;紫牟田雅之;河内山彰;清宏彰
-
索尼公司
-
2012-02-22
-
2012-09-19
-
H01L27/24
- 本发明涉及一种基于包括离子源层和电阻变化层的存储层中出现的电特性变化来存储信息的存储元件以及包括多个所述存储元件的存储装置。所述存储层包括：电阻变化层，其设置在所述第一电极一侧，且具有单层或多层结构，所述单层结构或多层结构包括如下层，所述单层结构或多层结构所包括的层的最主要组成是作为阴离子成分的碲；以及离子源层，其设置在所述第二电极一侧，且包含金属元素及一种或多种包括碲、硫和硒的硫族元素，且所述金属元素包括铝，所述离子源层中的铝的含量为27.7原子％以上且47.4原子％以下。由此，本发明的存储元件能够以低电流进行良好操作并具有令人满意的保持特性。
- 存储元件装置
- [发明专利]存储元件和存储装置-CN201110005533.5有效
-
保田周一郎;荒谷胜久;大场和博;清宏彰
-
索尼公司
-
2011-01-12
-
2011-09-14
-
H01L45/00
- 本发明公开了存储元件和存储装置。所述存储元件包括依次设置的第一电极、存储层和第二电极。其中，所述存储层包括：高电阻层，所述高电阻层的阴离子成分内含有碲(Te)作为主要成分，并且所述高电阻层形成在所述第一电极侧；以及离子源层，所述离子源层含有至少一种金属元素且含有由碲(Te)、硫(S)和硒(Se)组成的组中的至少一种硫族元素，并且所述离子源层形成在所述第二电极侧。所述存储装置包括多个上述存储元件且包括用于选择性地向所述多个存储元件施加电压脉冲或电流脉冲的脉冲施加部。本发明的存储元件及存储装置能够改善擦除特性和写入保持特性，并且对于多次写入/擦除操作能够减小擦除状态中的电阻值间的差异。
- 存储元件装置
- [发明专利]存储元件和存储装置-CN201010576654.0有效
-
前坂明弘;大场和博;水口彻也;宫田幸児;本田元就;荒谷胜久
-
索尼公司
-
2010-12-07
-
2011-08-17
-
H01L27/10
- 本发明提供了存储元件和存储装置，它们能够减小多个存储元件的在初始状态或擦除状态下的电阻值差异，并且对于多次写入/擦除操作能够保持写入/擦除状态下的电阻值。所述存储元件包括依次设置的第一电极、存储层和第二电极。所述存储层具有：离子源层，它含有碲(Te)、硫(S)、硒(Se)这些硫族元素中的至少一者，并含有选自于铜(Cu)、银(Ag)、锌(Zn)和锆(Zr)的至少一种金属元素；以及两个以上高电阻层，它们的电阻值高于所述离子源层的电阻值，并且具有不同的成分。所述存储装置包括脉冲施加部和多个上述存储元件，所述脉冲施加部选择性地向这些存储元件施加电压或电流的脉冲。本发明的存储元件和存储装置改善了多次写入/擦除操作时的电阻值保持特性。
- 存储元件装置
- [发明专利]存储元件及存储装置-CN200980132943.7有效
-
大场和博;水口彻也;保田周一郎
-
索尼公司
-
2009-08-28
-
2011-07-20
-
H01L27/10
- 本发明涉及一种存储元件和一种存储装置，其中反复操作的频率可以提高，而且在写入和删除的高速操作性能和在高速操作期间电阻值保持性能之间取得了良好的平衡。存储层5包括离子源层3。离子源层3包括Zr(锆)、Cu(铜)和Al(铝)作为金属元素，还包括与金属元素一起的离子导电材料，例如S(硫)、Se(硒)和Te(碲)(氧族元素)。离子源层3中Al的量在30原子％至50原子％的范围内。Zr的量优选在7.5原子％至25原子％的范围内，更优选地，离子源层中Zr相对于氧族元素总量的组成比(＝Zr的原子百分比/所有氧族元素的总原子百分比)在0.2至0.74的范围内。
- 存储元件装置
- [发明专利]存储元件和存储装置-CN200880101256.4有效
-
大场和博;水口徹也;保田周一郎
-
索尼公司
-
2008-07-31
-
2010-06-30
-
H01L27/10
- 本发明提供一种电阻变化型存储装置，该装置能够提高在存储状态和擦除状态下的电阻值的保持能力。包括高电阻层(2)和离子源层(3)的存储层(5)被设置在下部电极(1)和上部电极(4)之间。离子源层(3)包括作为添加元素的Al(铝)，以及诸如S(硫)、Se(硒)和Te(碲)(硫族化物元素)的离子导电材料和诸如Zr(锆)的待离子化的金属元素。由于离子源层(3)中包括铝，在擦除操作中在阳极上形成了包括Al(Al氧化物)的高电阻层。因此，改善了高电阻状态下的保持特性，同时提高了操作速度。
- 存储元件装置
- [发明专利]部件安装装置及其部件主文档-CN200610006733.1无效
-
大场和博
-
山形卡西欧株式会社
-
2006-01-27
-
2006-09-06
-
G05B19/402
- 部件安装装置及其部件主文档，用于迅速地自动执行正确的示教。部件主文档(71)具有部件码、部件名称、识别环境、照明条件、识别算法、部件信息等项目数据。在部件名称项目中存储有部件名。在识别环境项目中，存储了用部件识别用相机(38)从下方拍摄吸附于喷嘴(48)上的部件(47)并执行图象识别的BOTTOM、用基板识别用相机(49)拍摄部件带(46)的凹处的部件(47)并执行图象识别的FEEDER、以及用基板识别用相机(49)拍摄安装在基板(32)上的部件(47)并执行图象识别的PCB共3种识别环境。在照明条件项目中存储了照明器具名称及其照度设置值。在识别算法项目中存储了识别算法名称。在示教中，基于对应的识别算法执行图象识别而自动执行示教。
- 部件安装装置及其主文
- [发明专利]自动门控制器-CN97110011.X无效
-
神吉久幸;田口直树;道本真二;大场和博
-
株式会社纳博克
-
1997-02-28
-
2002-09-11
-
G05B19/23
- 本发明涉及一种自动门控制器，用于控制电动机操作而将门打开和将门闭合，它包括一个位置控制单元，在每一门操作中探测所述门的一个位置并产生一个表示所述门的位置的位置表示信号；一个用于使所述电动机产生驱动力和控制力的电动机驱动单元；以及一个控制单元，给所述电动机驱动单元提供一个根据所述位置表示信号形成的控制信号；其中所述控制单元包括输出部件，所述输出部件产生所述控制信号，用于这样控制由所述门位置表示信号所表示的位置的所述门速度以使得它等于该位置的目标速度；所述电动机驱动单元使所述电动机根据所述控制信号交替产生驱动力和制动力。本发明的自动门控制器能够以安全和舒适的方式控制任何类型的门。
- 自动门控制器
|
