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[发明专利]存储设备和存储单元-CN202080063752.6在审
发明人： 水口彻也;荒谷胜久 -专利权人：索尼半导体解决方案公司
申请日： 2020-08-13 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本公开的实施例的存储设备包括：第一电极；第二电极；存储层，在第一电极和第二电极之间提供并且至少包括铜、铝、锆和碲；以及阻挡层，在存储层和第二电极之间提供并且包括浓度至少高于存储层的锆，该阻挡层在与第二电极的界面处具有低于存储层的铜浓度。
存储设备单元

[发明专利]存储元件和存储装置-CN201210174839.8有效
发明人： 水口彻也;保田周一郎;紫牟田雅之;大场和博;荒谷胜久 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-05-30 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种存储元件和包含该存储元件的存储装置，所述存储元件包括设置在第一电极和第二电极之间的存储层。所述存储层包括离子源层，其包含一种以上金属元素以及碲(Te)、硫(S)和硒(Se)中的一种以上硫族元素；以及电阻变化层，其设置在离子源层和第一电极之间，所述电阻变化层包括含有碲和氮(N)且与离子源层接触的层。本发明的存储元件和存储装置能够提供良好的保持特性和改进的重复操作特性。
存储元件装置

[发明专利]存储元件、其制造方法以及存储装置-CN201210210759.3无效
发明人：大场和博;水口彻也;保田周一郎;紫牟田雅之;荒谷胜久 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-06-20 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种可降低发生膜分离与膜剥落的可能性的存储元件、其制造方法以及存储装置，所述存储元件依次包括第一电极、存储层和第二电极。所述存储层包括：电阻变化层，其包含氧化物，并且所述电阻变化层设置在第一电极侧；以及离子源层，其设置在第二电极侧并且具有两个以上单位离子源层的层叠结构，所述单位离子源层包括第一层和第二层，所述第一层包含硫族元素碲(Te)、硫(S)、硒(Se)中的一种以上以及在存储层中易于移动的易移动元素，并且具有从第一电极向第二电极的易移动元素的浓度分布，并且第二层包含在存储层中难以移动的难移动元素。
存储元件制造方法以及装置

[发明专利]存储元件和存储装置-CN201210042751.0有效
发明人： 水口彻也;大场和博;保田周一郎;紫牟田雅之;河内山彰;清宏彰 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-02-22 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于包括离子源层和电阻变化层的存储层中出现的电特性变化来存储信息的存储元件以及包括多个所述存储元件的存储装置。所述存储层包括：电阻变化层，其设置在所述第一电极一侧，且具有单层或多层结构，所述单层结构或多层结构包括如下层，所述单层结构或多层结构所包括的层的最主要组成是作为阴离子成分的碲；以及离子源层，其设置在所述第二电极一侧，且包含金属元素及一种或多种包括碲、硫和硒的硫族元素，且所述金属元素包括铝，所述离子源层中的铝的含量为27.7原子％以上且47.4原子％以下。由此，本发明的存储元件能够以低电流进行良好操作并具有令人满意的保持特性。
存储元件装置

[发明专利]存储器元件和存储器设备-CN201210041342.9无效
发明人：保田周一郎;水口彻也;紫牟田雅之;荒谷胜久;大场和博 -专利权人：索尼公司
申请日： 2012-02-21 - 公布日： 2012-09-19 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明涉及存储器元件和包括多个所述存储器元件的存储器设备。所述存储器元件依次包括第一电极、存储层和第二电极。所述存储层包括布置于所述第一电极一侧的电阻变化层及布置于所述第二电极一侧的离子源层，所述离子源层具有2.8mΩcm以上且低于1Ωcm的电阻率。由此，本发明提供了能够在以低电压或电流进行操作期间具有提高的重复特性的存储器元件和存储器设备。
存储器元件设备

[发明专利]存储元件、存储装置以及存储装置操作方法-CN201110035461.9有效
发明人：大场和博;保田周一郎;水口彻也;荒谷胜久;紫牟田雅之;河内山彰;小笠原茧美 -专利权人：索尼公司
申请日： 2011-02-01 - 公布日： 2011-09-21 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明公开了存储元件、存储装置以及存储装置操作方法。所述存储元件包括依次设置的第一电极、存储层和第二电极。其中，所述存储层包括离子源层和可变电阻层。所述离子源层含有铝(Al)，且含有选自由碲(Te)、硫(S)和硒(Se)组成的组中的至少一种硫族元素。所述可变电阻层设置在所述离子源层与所述第一电极之间，并且含有氧化铝，还含有具有比所述氧化铝的电阻低的电阻的过渡金属氧化物和过渡金属氧氮化物的至少一者。根据本发明的存储元件、存储装置以及存储装置操作方法，由于可变电阻层含有氧化铝且含有电阻比所述氧化铝的电阻低的过渡金属氧化物和过渡金属氧氮化物的至少一者，因而能够改善存储元件和存储装置的重复耐久性。
存储元件装置以及操作方法

[发明专利]存储元件和存储装置-CN201010576654.0有效
发明人：前坂明弘;大场和博;水口彻也;宫田幸児;本田元就;荒谷胜久 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-12-07 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明提供了存储元件和存储装置，它们能够减小多个存储元件的在初始状态或擦除状态下的电阻值差异，并且对于多次写入/擦除操作能够保持写入/擦除状态下的电阻值。所述存储元件包括依次设置的第一电极、存储层和第二电极。所述存储层具有：离子源层，它含有碲(Te)、硫(S)、硒(Se)这些硫族元素中的至少一者，并含有选自于铜(Cu)、银(Ag)、锌(Zn)和锆(Zr)的至少一种金属元素；以及两个以上高电阻层，它们的电阻值高于所述离子源层的电阻值，并且具有不同的成分。所述存储装置包括脉冲施加部和多个上述存储元件，所述脉冲施加部选择性地向这些存储元件施加电压或电流的脉冲。本发明的存储元件和存储装置改善了多次写入/擦除操作时的电阻值保持特性。
存储元件装置

[发明专利]存储元件及存储装置-CN200980132968.7有效
发明人： 水口彻也;保田周一郎;佐佐木智;山田直美 -专利权人：索尼公司
申请日： 2009-08-28 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种能够同时满足重复操作次数和低压操作性能这两种存在平衡制约关系的要求的存储元件。该存储元件在底部电极3和顶部电极6之间具有高电阻层4和离子源层5。高电阻层4由含Te的氧化物制成。除Te之外的任何其它元素，例如Al、Zr、Ta、Hf、Si、Ge、Ni、Co、Cu和Au也可以加入。在向Te中加入Al同时加入Cu和Zr的情况下，高电阻层4的组成比优选地被调整为如下范围：30≤Te≤100原子％，0≤Al≤70原子％，且0≤Cu+Zr≤36原子％，不考虑氧。离子源层5由至少一种金属元素和至少一种选自Te、S和Se的氧族元素制成。
存储元件装置

[发明专利]存储元件及存储装置-CN200980132943.7有效
发明人：大场和博;水口彻也;保田周一郎 -专利权人：索尼公司
申请日： 2009-08-28 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L27/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储元件和一种存储装置，其中反复操作的频率可以提高，而且在写入和删除的高速操作性能和在高速操作期间电阻值保持性能之间取得了良好的平衡。存储层5包括离子源层3。离子源层3包括Zr(锆)、Cu(铜)和Al(铝)作为金属元素，还包括与金属元素一起的离子导电材料，例如S(硫)、Se(硒)和Te(碲)(氧族元素)。离子源层3中Al的量在30原子％至50原子％的范围内。Zr的量优选在7.5原子％至25原子％的范围内，更优选地，离子源层中Zr相对于氧族元素总量的组成比(＝Zr的原子百分比/所有氧族元素的总原子百分比)在0.2至0.74的范围内。
存储元件装置

[发明专利]半导体存储装置及其制造方法-CN201010241644.1无效
发明人：香川惠永;水口彻也;藤原一郎;河内山彰;佐佐木智;山田直美 -专利权人：索尼公司
申请日： 2010-07-29 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：这里所公开的是半导体存储装置，其包括：第一电极，形成在基板上；离子源层，形成在第一电极的上层上；以及第二电极，形成离子源层的上层上。阻变式存储单元设置成阵列，其每一个阻变式存储单元中，第一电极的表面或离子源层的表面被氧化，以在第一电极和离子源界面之间的界面中形成阻变式存储层。
半导体存储装置及其制造方法

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