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[发明专利]发光器件-CN201110050775.6有效
发明人：山崎舜平;坂田淳一郎;池田寿雄;中村康男;斋藤惠子 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2004-10-08 - 公布日： 2011-08-17 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明的目的是提供光的色纯度高而且光输出效率高的发光器件，其中采用溅射法在电致发光层上形成电极而不会损坏包含有机材料的层。本发明提供的发光器件包含：发射红光的第一发光元件；发射绿光的第二发光元件；发射蓝光的第三发光元件；和滤色片，其中滤色片包含选择性透射红光的第一着色层，选择性透射绿光的第二着色层，和选择性透射蓝光的第三着色层，其中第一至第三发光元件中的每一个具有第一电极、在第一电极上形成的电致发光层和在电致发光层上形成的第二电极，其中第一着色层形成于所述第一发光元件的第二电极上，其中第二着色层形成于所述第二发光元件的第二电极上，其中第三着色层形成于所述第三发光元件的第二电极上，其中所述电致发光层包括与第二电极接触的层，而且金属氧化物包含在与第二电极接触的层中，其中所述红光、绿光和蓝光各自从所述第二电极侧输出。
发光器件

[发明专利]照明系统-CN201010586842.1有效
发明人： 坂田淳一郎 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-10-17 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H05B33/26 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种照明系统，其使用提供有多个发光单元的叠置式发光元件并且甚至在使用长时间之后也几乎不引起发射颜色的改变。提供一种照明系统，其包括包含多个发光单元的第一发光元件；第二发光元件；第一控制装置，其控制第一发光元件的光发射；和第二控制装置，其控制第二发光元件的光发射，其中第一发光元件发射第一发射颜色和第二发射颜色的光，第一发射颜色是初始发射颜色，第二发射颜色是在随着时间改变之后的发射颜色，以及第二发光元件发射第二发射颜色的互补色的光。利用上述结构，可以抑制由于随着时间的改变而引起的色移。
照明系统

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN201010263823.5有效
发明人：山崎舜平;坂田淳一郎;津吹将志;秋元健吾;细羽幸;坂仓真之;及川欣聪 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-08-25 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明涉及显示装置及其制造方法。本发明提供一种显示特性优越的显示装置，其中使用根据其电路特征的不同结构的晶体管分别形成同一衬底上的像素电路及驱动电路。在该驱动电路部中，包括栅电极层、源电极层及漏电极层由金属膜构成，且沟道层由氧化物半导体构成的驱动电路用晶体管。此外，在该像素部中，包括栅电极层、源电极层及漏电极层由氧化物导电体构成，且半导体层由氧化物半导体构成的像素用晶体管。该像素用晶体管由具有透光性的材料形成，并制造高开口率的显示装置。
显示装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201010248811.5有效
发明人：山崎舜平;坂田淳一郎;坂仓真之;及川欣聪;冈崎健一;丸山穗高;津吹将志 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-08-06 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其制造方法。本发明的目的之一在于提高半导体装置的可靠性。本发明的一种半导体装置包括在同一衬底上的驱动电路部和显示部(也称为像素部)，驱动电路部和显示部分别包括：半导体层由氧化物半导体构成的薄膜晶体管；第一布线；以及第二布线，其中薄膜晶体管包括源电极层或漏电极层及接触于半导体层的氧化物导电层，驱动电路部的薄膜晶体管以以栅电极层和导电层夹着半导体层的方式构成，并且第一布线和第二布线在设置在栅极绝缘膜中的开口中通过氧化物导电层电连接。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201010248853.9有效
发明人：山崎舜平;坂田淳一郎;细羽幸;西田惠里子 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-08-06 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件及其制造方法。本发明的一个目的是增加半导体器件的孔径比。在一个衬底上提供像素部分和驱动器电路。像素部分中的第一薄膜晶体管(TFT)包括：衬底上的栅极电极层；栅极电极层上的栅极绝缘层；栅极绝缘层上的氧化物半导体层；氧化物半导体层上的源极和漏极电极层；在栅极绝缘层、氧化物半导体层、源极和漏极电极层上的、与氧化物半导体层的一部分接触的保护性绝缘层；以及在保护性绝缘层上的像素电极层。所述像素部分具有光透射性质。此外，驱动器电路中的第二TFT的源极和漏极电极层的材料不同于第一TFT的源极和漏极电极层的材料。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体装置及制造半导体装置的方法-CN201010248886.3有效
发明人：山崎舜平;坂田淳一郎;细羽幸;高桥辰也 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-08-06 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及制造半导体装置的方法。半导体装置包括一个衬底上方的驱动电路和像素，该驱动电路包括第一薄膜晶体管，该像素包括第二薄膜晶体管。第一薄膜晶体管包括第一栅电极层、栅极绝缘层、第一氧化物半导体层、第一氧化物导电层、第二氧化物导电层、与第一氧化物半导体层的一部分接触并且与第一氧化物导电层和第二氧化物导电层的外围和侧表面接触的氧化物绝缘层、第一源电极层以及第一漏电极层。第二薄膜晶体管包括第二栅电极层、第二氧化物半导体层、以及都使用透光材料形成的第二源电极层和第二漏电极层。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201010248865.1有效
发明人：木村肇;坂田淳一郎;丰高耕平 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-08-06 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明的课题是提供提高像素部的开口率，并提高驱动电路部的特性的半导体装置。或者，本发明的课题是提供功耗小的半导体装置。或者，本发明的课题是提供能够控制阈值电压的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置，包括具有绝缘面的衬底、设置在衬底上的像素部、驱动像素部的驱动电路的至少一部分，构成像素部的晶体管及构成驱动电路的晶体管是顶栅底接触型晶体管，在像素部中，电极及半导体层具有透光性，驱动电路中的电极的电阻低于像素部中的晶体管所具有的所有电极的电阻。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]发光装置以及该发光装置的制造方法-CN201010246771.0有效
发明人：山崎舜平;坂仓真之;坂田淳一郎;津吹将志;秋元健吾;细羽幸;及川欣聪 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-08-04 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：本发明的目的之一在于提供一种发光装置以及该发光装置的制造方法，在该发光装置中，在同一衬底上形成有多种电路，并具备分别对应于多种电路的特性的多种薄膜晶体管。作为用于像素的薄膜晶体管，使用具有重叠于源电极层及漏电极层上的氧化物半导体层的反共面型。作为用于驱动电路的薄膜晶体管，使用沟道停止型。在与用于像素的薄膜晶体管电连接的发光元件重叠的位置上且在薄膜晶体管和发光元件之间设置滤色片层。
发光装置以及制造方法

[发明专利]半导体装置-CN201010246753.2有效
发明人：山崎舜平;坂田淳一郎;坂仓真之;及川欣聪;冈崎健一;丸山穗高 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-08-04 - 公布日： 2011-03-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明的课题之一是提高半导体装置的可靠性。本发明的一种方式是一种半导体装置，包括同一个衬底上的驱动电路部、显示部(也称为像素部)，驱动电路部和显示部包括其半导体层使用氧化物半导体构成的薄膜晶体管、第一布线、第二布线，并且，薄膜晶体管包括与半导体层的边缘部相比其边缘部位于内侧的源电极层或漏电极层，并且，在驱动电路部中的薄膜晶体管中，利用栅电极层和导电层夹持半导体层，并且，第一布线和第二布线通过设置在栅极绝缘层中的开口中隔着氧化物导电层电连接。
半导体装置

[发明专利]具有晶体管的显示装置及其制造方法-CN201010222538.9有效
发明人： 坂田淳一郎;佐佐木俊成;细羽幸 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-07-02 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有晶体管的显示装置及其制造方法，本发明的课题在于提供一种使用具有稳定的电特性的晶体管来进行稳定的工作的显示装置。当应用以氧化物半导体层为沟道形成区的晶体管来制造显示装置时，至少在应用于驱动电路的晶体管上进一步配置栅电极。当制造以氧化物半导体层为沟道形成区的晶体管时，对氧化物半导体层进行用来实现脱水化或脱氢化的加热处理，以减少存在于以上下接触的方式设置的栅极绝缘层及保护绝缘层与氧化物半导体层的界面的水分等杂质。
具有晶体管显示装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201010222525.1有效
发明人：山崎舜平;佐佐木俊成;坂田淳一郎;大原宏树 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-07-02 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明的课题之一是制造包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的可靠性高的半导体装置而提供。在包括将包括沟道形成区的半导体层设为氧化物半导体膜的薄膜晶体管的半导体装置的制造方法中，在形成氧化物半导体膜之前减少存在于栅极绝缘层内的水分等的杂质，然后为了提高氧化物半导体膜的纯度，并减少作为杂质的水分等进行加热处理(为了脱水化或脱氢化的加热处理)。然后，在氧气氛下缓冷。除了在栅极绝缘层及氧化物半导体膜中以外，还减少存在于以上下接触于氧化物半导体膜的方式设置的膜和氧化物半导体膜的界面的水分等杂质。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体装置以及半导体装置的制造方法-CN201010194245.4有效
发明人：佐佐木俊成;大原宏树;坂田淳一郎 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2010-05-27 - 公布日： 2010-12-01 - 主分类号： H01L21/34 文献下载
摘要：本发明的目的之一在于提供包括具有稳定的电特性的薄膜晶体管的高可靠性的半导体装置。另外，本发明的目的之一还在于以低成本高效地提供高可靠性的半导体装置。一种包括作为沟道形成区使用氧化物半导体层的薄膜晶体管的半导体装置的制造方法，其中在氮气氛下加热氧化物半导体层来将其低电阻化，以形成低电阻氧化物半导体层。另外，将在低电阻氧化物半导体层中的重叠于栅电极层的区域选择性地高电阻化来形成高电阻氧化物半导体区域。通过溅射法接触于该氧化物半导体层地形成氧化硅，以进行氧化物半导体层的高电阻化。
半导体装置以及制造方法

[发明专利]发光元件和使用该元件的发光装置-CN201010135303.6有效
发明人： 坂田淳一郎;池田寿雄;川上祥子 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2005-12-05 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供一种发光元件，该发光元件包括一对电极和设置在这对电极之间的有机化合物和金属氧化物，该有机化合物具有150℃或更大，优选160℃或更大和300℃或更小的玻璃化转变温度，或者该发光元件包括一对电极和设置在这对电极之间的具有螺环和三苯胺骨架的化合物以及金属氧化物。特征在于，具有螺环和三苯胺骨架的化合物是由通式(1)表示的联苯胺衍生物。在该式中，R1是氢或具有1至4个碳原子的烷基基团。
发光元件使用装置

[发明专利]发光元件、发光器件和电子设备-CN201010150729.9有效
发明人：岩城裕司;濑尾哲史;川上贵洋;池田寿雄;坂田淳一郎 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-04-17 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种发光元件、发光器件和电子设备，其在一对电极之间具有含有芳族烃和金属氧化物的层。对芳族烃的种类没有什么特殊限制；但是，具有1×10-6cm2/Vs或更大的空穴迁移率的芳族烃是优选的。作为这样的芳族烃，例如2-叔丁基-9，10-双(2-萘基)蒽、蒽、9，10-二苯蒽、并四苯、红荧烯、二萘嵌苯、2，5，8，11-四(叔丁基)二萘嵌苯等等。作为金属氧化物，展示出对芳族烃的电子接受属性的金属氧化物是优选的。作为这样的金属氧化物例如给出氧化钼、氧化钒、氧化钌、氧化铼等等。
发光元件器件电子设备

[发明专利]发光元件、发光器件和电子设备-CN201010150737.3有效
发明人：岩城裕司;濑尾哲史;川上贵洋;池田寿雄;坂田淳一郎 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2006-04-17 - 公布日： 2010-10-06 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供了一种发光元件、发光器件和电子设备，其在一对电极之间具有含有芳族烃和金属氧化物的层。对芳族烃的种类没有什么特殊限制；但是，具有1×10-6cm2/Vs或更大的空穴迁移率的芳族烃是优选的。作为这样的芳族烃，例如2-叔丁基-9，10-双(2-萘基)蒽、蒽、9，10-二苯蒽、并四苯、红荧烯、二萘嵌苯、2，5，8，11-四(叔丁基)二萘嵌苯等等。作为金属氧化物，展示出对芳族烃的电子接受属性的金属氧化物是优选的。作为这样的金属氧化物例如给出氧化钼、氧化钒、氧化钌、氧化铼等等。
发光元件器件电子设备