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[发明专利]一种基于鉴频鉴相器的新型收发机结构-CN201710918376.4有效
发明人：马建国;周绍华;傅海鹏 -专利权人：天津大学
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H04B1/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于鉴频鉴相器的新型收发机结构，包括相互连接的天线和开关，所述开关连接有发射机部分和接收机部分，所述发射机部分包括与开关依次串联连接的功率放大器、发射端带通滤波器、混频器、低通滤波器和解调器，所述混频器与本地振荡器相连接，所述接收机部分包括与开关依次串联连接的接收端带通滤波器、低噪声放大器、镜像抑制滤波器和鉴频鉴相器，所述鉴频鉴相器与本地振荡器相连接。本发明利用鉴频鉴相器取代了传统接收机部分的混频器，并去除了A/D转换器，有效地降低了射频收发机的功耗、成本与体积，有利于射频收发机的高度集成，适用于用于雷达测距。
一种基于鉴频鉴相器新型收发结构

[发明专利]一种基于检测电流零点的压电悬臂梁电压自动调理电路-CN201811077905.3有效
发明人：马建国;赵升;周绍华 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-09-16 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： H02N2/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于检测电流零点的压电悬臂梁电压自动调理电路，包括并联同步开关电感整流电路和自适应开关控制电路；并联同步开关电感整流电路包括并联同步开关电感电路和桥式整流电路并联，并联同步开关电感电路由电感和开关支路串联构成，开关支路包括两条并联支路，一条支路由第五号二极管和PMOS开关串联而成，另一条支路由第六号二极管和NMOS开关串联而成；自适应开关控制电路包括参考电压电路、D触发器和比较器电路，整流电容的正整流电压端连接参考电压电路，所述参考电压电路为比较器电路提供输入参考电压。本发明减少电荷传输过程中的浪费，从而提高在器件固有频率外的输出功率。
一种基于检测电流零点压电悬臂梁电压自动调理电路

[实用新型]空芯嘴棒端面视觉检测系统-CN201920258114.4有效
发明人：汪岁铭;周绍华 -专利权人：上海晟泓电子科技有限公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： G01B11/24 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种空芯嘴棒端面视觉检测系统，包括：编码器，用于检测待检滤棒是否进入合适的拍照位置；照相单元，用于拍摄滤棒的端面图像；处理单元，用于获取端面图像后进行检测处理，根据预设的检测项目，判断待检滤棒端面是否合格；控制单元，所述控制单元电连接所述编码器、照相单元、处理单元，用于控制所述编码器、照相单元、处理单元。本实用新型所述空芯嘴棒端面视觉检测系统可以高速度对滤棒进行实时在线图像采集，对滤棒的参数进行高效的检测。
滤棒处理单元照相单元编码器视觉检测系统本实用新型检测端面图像空芯嘴棒拍照位置实时在线图像采集电连接预设拍摄

[实用新型]蒸汽加热自动控制系统-CN201920258578.5有效
发明人：汪岁铭;周绍华;宋小南 -专利权人：上海晟泓电子科技有限公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2019-12-17 - 主分类号： A24D3/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种蒸汽加热自动控制系统，包括：调压阀，用于控制蒸汽的压力；汽水分离器，用于控制所述蒸汽的含水量；加热器，用于控制所述蒸汽的温度；所述蒸汽气源、调压阀、汽水分离器和加热器通过管道相连接；还包括控制单元，所述控制单元电连接所述蒸汽气源、调压阀、汽水分离器和加热器，用于控制所述蒸汽气源、调压阀、汽水分离器和加热器。本实用新型所述蒸汽加热自动控制系统可以在不同空管滤棒的过程生产过程中，减少蒸汽的含水量，可以自动设定与调节蒸汽的压力，温度与流量，应用到成型机滤棒烟枪中，以达到空管滤棒中所需要的蒸汽含量。可以实现汽水自动分离、加热、控制压力流量等精准数据方便操作的自动化成产功能，减少人力操作、解决现有装置中蒸汽温度、含水量精度不准确的弊端。
蒸汽加热器汽水分离器调压阀蒸汽气源滤棒自动控制系统本实用新型蒸汽加热空管方便操作控制压力人力操作生产过程现有装置自动分离自动设定成型机电连接汽水烟枪加热自动化应用

[发明专利]一种基于5G技术的新型高铁通信系统-CN201910485865.4在审
发明人：马建国;周绍华 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H04W4/42 文献下载
摘要：本发明公开一种基于5G技术的新型高铁通信系统，其特征在于，包括沿高铁运输线设置的若干个地面基站和整个高铁列车作为一个移动基站的高铁移动基站以及高铁乘客携带的各种移动终端，基于5G技术的新型高铁通信系统采用两层架构方案，移动终端与高铁移动基站直接链接，高铁移动基站与地面基站直接无线链接。相对现有技术，本发明技术方案具有通信信号质量强、上网速度快、通话质量高等优点，并且还可实现精确定位，为高速移动场景下的高铁用户提供快速、优质的移动通信服务，提高高速移动场景下的高铁用户的QoS体验。
高铁移动基站高铁通信系统高速移动场景地面基站移动终端移动通信服务高铁列车通信信号无线链接用户提供运输线链接两层上网架构通话乘客携带

[发明专利]一种基于电力线载波通信技术的新型高铁通信系统-CN201910485850.8在审
发明人：马建国;周绍华 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2019-06-05 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H04B3/54 文献下载
摘要：本发明公开一种基于电力线载波通信技术的新型高铁通信系统，包括沿线设置的若干个地面基站、设置于高铁列车上方的受电弓‑接触网系统以及高铁乘客携带的各种移动终端；相邻地面基站通过线缆相连通信，地面基站通过线缆与高速铁路接触网的电力线直接相连，高速铁路接触网的电力线与高铁列车顶部的受电弓搭接相连，受电弓与可见光通信设备相连，可见光通信设备与高铁乘客携带的各种移动终端无线通信相连。相对现有技术，本发明技术方案具有成本较低、传输可靠且速度较快等优点，可提供合理的高铁移动通信系统，以实现安全可靠的通信质量，为广大高铁用户提供快速、优质的移动通信服务和体验。
受电弓高铁电力线载波通信高速铁路接触网高铁通信系统可见光通信地面基站高铁列车移动终端电力线线缆高铁移动通信系统移动通信服务接触网系统乘客无线通信相邻地面用户提供携带搭接基站通信传输

[发明专利]调幅信号载波频率的高精度估计方法及装置-CN201910431085.1在审
发明人： 周绍华;黄翔东 -专利权人：天津大学
申请日： 2019-05-22 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H04L27/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种调幅信号载波频率的高精度估计方法及装置：以确知的采样速率对输入的调幅信号采样，共采集3N‑1个样点；对前2N‑1个样点做阶数为N的全相位FFT谱分析，得谱分析结果Y₁(k),k＝0,...,N‑1；对后2N‑1个样点做阶数为N的全相位FFT谱分析，得谱分析结果Y₂(k),k＝0,...,N‑1；找到全相位FFT谱分析结果Y₁(k)和Y₂(k)的峰值谱位置k^*，取出Y₁(k^*)、Y₂(k^*)的相位谱值估算出载波频率的数字角频率并将数字角频率转化为模拟频率，即得最终的载频估计本发明直接对调幅信号进行采样，借助数字信号处理来进行载频估计，无需下变频、本振等附加硬件设施。
谱分析调幅信号全相位FFT 载波频率采样样点精度估计载频估计数字角阶数数字信号处理模拟频率硬件设施峰值谱下变频相位谱本振估算取出采集转化

[发明专利]基于非周期光栅化源极金属栅MOSFET太赫兹探测器-CN201811456326.X在审
发明人：马建国;周绍华 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-06-07 - 主分类号： G01J1/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于非周期光栅化源极金属栅MOSFET太赫兹探测器，包括具有非周期性光栅化源极及其各种不同图案形式的金属栅MOSFET、低噪声前置放大器和电压反馈回路；金属栅MOSFET栅极经一号偏置电阻连接一号偏置电压源，金属栅MOSFET源极用于接收太赫兹信号，金属栅MOSFET漏极和低噪声前置放大器正向输入端之间连接一号隔直电容；低噪声前置放大器正向输入端经二号偏置电阻连接二号偏置电压源；电压反馈回路包括反馈电阻、接地电阻、二号隔直电容和三号隔直电容。本发明通过调节源极的光栅化结构参数(光栅的宽度、长度、区域面积和图案形式)来实现THz响应波段范围的调节，从而提高探测器的探测灵敏度。
光栅化金属栅前置放大器隔直电容低噪声源极电压反馈回路太赫兹探测器偏置电压源正向输入端偏置电阻图案形式源极金属非周期太赫兹信号探测灵敏度光栅反馈电阻非周期性接地电阻结构参数面积和波段探测器漏极响应

[发明专利]基于OP-ELM的射频功率放大器的行为建模方法-CN201811366103.4在审
发明人：马建国;邢光宇;傅海鹏;周绍华;张新 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开基于OP‑ELM的射频功率放大器的行为建模方法，包括步骤：确定射频功率放大器的行为模型的输入变量和相应的输出变量；将训练数据导入ELM算法模型当中，对ELM算法模型训练；对ELM算法模型网络结构中的隐藏层神经元按对建模结果影响进行评估排序，修剪掉排序在后的预定隐藏层神经元，形成修剪好的OP‑ELM射频功放行为模型；将测试数据导入修剪好的OP‑ELM射频功放行为模型中，计算测试误差RMSE，比较OP‑ELM模型输出结果，验证行为建模结果。本发明利用OP‑ELM算法通过对隐藏层神经元重要性的评估和排序进而修剪掉其中对建模结果重要性低的神经元，达到科学地减少隐藏层神经个数的目的，从而实现简便快速准确地对射频功率放大器进行外部行为建模。
射频功率放大器神经元行为建模隐藏层修剪算法模型行为模型排序建模结果射频功放测试数据计算测试输出变量输出结果输入变量网络结构训练数据评估算法验证神经外部

[发明专利]基于MOSFET栅极光栅化THz探测器制备方法-CN201811456370.0在审
发明人：马建国;周绍华 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MOSFET栅极光栅化THz探测器制备方法：在硅基底上依次通过光刻、离子注入、去胶、氧化物生长、牺牲层沉积、刻蚀、源漏区离子注入、源漏电极生长，制备出THz探测器底部器件；将THz探测器底部器件通过掩膜版刻蚀手段进一步制备出符合要求的光栅栅极结构；将光栅栅极结构利用电子束蒸发制备出沉积厚度满足预期的金属层，完成THz探测器器件制备。本发明以光栅结构替代CMOS器件中原有MOSFET的金属栅，本发明制备的太赫兹探测器，在探测的过程中，可利用光栅化的金属栅极与CMOS沟道间的增强Plasmonic谐振效应，提高探测器的响应速度。
制备光栅化探测器探测器制备光栅栅极结构沉积离子太赫兹探测器电子束蒸发探测器器件氧化物生长光栅结构金属栅极谐振效应源漏电极金属层金属栅牺牲层预期的源漏区沟道光刻硅基刻蚀去胶掩膜探测生长替代响应

[发明专利]基于非周期光栅化栅源极MOSFET太赫兹探测器-CN201811458940.X在审
发明人：马建国;周绍华 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： G01J1/44 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于非周期光栅化栅源极MOSFET太赫兹探测器，包括具有非周期性光栅化栅源极及其各种不同图案形式的金属栅MOSFET、低噪声前置放大器和电压反馈回路；金属栅MOSFET的栅极和源极均用于接收太赫兹信号，金属栅MOSFET的栅极经一号偏置电阻连接一号偏置电压源，金属栅MOSFET的漏极和低噪声前置放大器的正向输入端之间连接有一号隔直电容；低噪声前置放大器的正向输入端经二号偏置电阻连接二号偏置电压源；电压反馈回路包括反馈电阻、接地电阻、二号隔直电容和三号隔直电容。本发明通过调节栅源极的光栅化结构参数来实现THz响应波段范围的调节，从而提高探测器的探测灵敏度。
光栅化金属栅栅源极前置放大器隔直电容低噪声电压反馈回路太赫兹探测器偏置电压源正向输入端偏置电阻非周期太赫兹信号探测灵敏度反馈电阻非周期性接地电阻结构参数图案形式波段探测器漏极源极响应

[发明专利]基于MOSFET源漏极光栅化THz探测器制备方法-CN201811456352.2在审
发明人：马建国;周绍华 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MOSFET源漏极光栅化THz探测器制备方法：在硅基底上依次通过光刻、离子注入、去胶、氧化物生长、牺牲层沉积、刻蚀、源漏区离子注入，制备出THz探测器底部器件；在底部器件上通过掩膜版光刻刻蚀手段制备出符合要求的源极光栅结构和漏极光栅结构；将源极光栅结构和漏极光栅结构分别利用电子束蒸发制备出沉积厚度满足预期的源极层和漏极层，完成器件的源漏极光栅化；将完成源漏极光栅化的器件进一步蒸镀栅极层。本发明制备工艺成熟可控，有利于实现探测器的集成化量产，并缩减太赫兹探测器的成本。
光栅结构光栅化源漏极制备探测器制备探测器漏极源极沉积离子发明制备工艺太赫兹探测器电子束蒸发氧化物生长集成化漏极层牺牲层掩膜版预期的源极层源漏区栅极层光刻硅基可控刻蚀量产去胶蒸镀成熟

[发明专利]基于MOSFET栅源极光栅化THz探测器制备方法-CN201811458950.3在审
发明人：马建国;周绍华 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MOSFET栅源极光栅化THz探测器制备方法：在硅基底上依次通过光刻、离子注入、去胶、氧化物生长、牺牲层沉积、刻蚀、源漏区离子注入、漏区电极生长，制备出THz探测器底部器件；在THz探测器底部器件上通过掩膜版光刻刻蚀手段制备出符合要求的源极光栅结构；将源极光栅结构利用电子束蒸发制备出沉积厚度满足预期的源极层，完成器件源极光栅化；将器件通过光刻刻蚀手段制备出符合要求的栅极光栅结构；将栅极光栅结构利用电子束蒸发制备出沉积厚度满足预期的栅极层，完成器件栅极光栅化。本发明制备工艺成熟可控，有利于实现探测器的集成化量产，并缩减太赫兹探测器的成本。
制备光栅结构光栅化探测器源极沉积电子束蒸发探测器制备预期的栅源极离子发明制备工艺太赫兹探测器氧化物生长电极生长器件栅极集成化牺牲层掩膜版源极层源漏区栅极层光刻硅基可控刻蚀量产漏区去胶成熟

[发明专利]基于MOSFET源极光栅化THz探测器制备方法-CN201811458965.X在审
发明人：马建国;周绍华 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-04-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于MOSFET源极光栅化THz探测器制备方法：在硅基底上依次通过光刻、离子注入、去胶、氧化物生长、牺牲层沉积、刻蚀、源漏区离子注入、漏区电极生长，制备出THz探测器底部器件；在底部器件上通过掩膜版光刻刻蚀手段制备出符合要求的源极光栅结构；将源极光栅结构利用电子束蒸发制备出沉积厚度满足预期的源极层，完成器件的源极光栅化；将器件进一步蒸镀栅极层。本发明制备工艺成熟可控，有利于实现探测器的集成化量产，并缩减太赫兹探测器的成本。
源极光栅化制备探测器制备光栅结构探测器沉积离子发明制备工艺太赫兹探测器电子束蒸发氧化物生长电极生长集成化牺牲层掩膜版预期的源极层源漏区栅极层光刻硅基可控刻蚀量产漏区去胶蒸镀成熟

[发明专利]基于周期性光栅化栅源极MOSFET太赫兹探测器-CN201811456336.3在审
发明人：马建国;周绍华 -专利权人：天津大学
申请日： 2018-11-30 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： G01D5/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于周期性光栅化栅源极MOSFET太赫兹探测器，包括具有周期性光栅化栅源极及其各种不同图案形式的金属栅MOSFET、低噪声前置放大器和电压反馈回路；所述金属栅MOSFET的栅极和源极均用于接收太赫兹信号，所述金属栅MOSFET的栅极经一号偏置电阻连接一号偏置电压源，所述金属栅MOSFET的漏极和低噪声前置放大器的正向输入端之间连接有一号隔直电容；所述低噪声前置放大器的正向输入端经二号偏置电阻连接二号偏置电压源；所述电压反馈回路包括反馈电阻、接地电阻、二号隔直电容和三号隔直电容。本发明通过调节栅源极的光栅化结构参数来实现THz响应波段范围的调节，从而提高探测器的探测灵敏度。
金属栅源极前置放大器周期性光栅隔直电容低噪声化栅电压反馈回路太赫兹探测器偏置电压源正向输入端偏置电阻太赫兹信号探测灵敏度反馈电阻接地电阻结构参数图案形式光栅化栅源极波段探测器漏极响应