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[发明专利]一种高压LED芯片结构及其制作方法-CN202010217457.3在审
发明人：刘英策;刘伟;邬新根;周弘毅;黄瑄 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本申请提供一种高压LED芯片结构及其制作方法，所述高压LED芯片结构，包括多个相互绝缘的LED芯粒，以及电性连接LED芯粒，实现多个LED芯粒串联的连接部，其中，连接部包括连接电极和过渡电极，在第一方向上，连接电极的宽度大于第一扩展电极的宽度，而过渡电极的宽度由连接电极向第一扩展电极的方向逐渐减小。也即通过设置过渡电极，使得连接电极和第一扩展电极之间的宽度变化逐渐变小，而非突然发生变化，从而避免热量在宽度突变的位置发生积聚，造成高压LED芯片结构在使用过程中热量积聚发生烧毁的问题。
一种高压 led 芯片结构及其制作方法

[发明专利]一种LED芯片及其制作方法-CN201810842674.4有效
发明人：邬新根;李俊贤;刘英策;魏振东;周弘毅 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本申请提供一种LED芯片及其制作方法，所述LED芯片包括衬底、LED外延结构和位于LED外延结构表面的透明导电层，透明导电层包括双层结构，分别为第一透明导电层和位于第一透明导电层背离第二型半导体层的第二透明导电层；其中，第一透明导电层和第二透明导电层中的一层为整层结构，另一层为图案化结构。也即本发明中LED芯片上电流扩展层包括一个整层的电流扩展层和一个图案化的电流扩展层。图案化的透明导电层由于是透明结构，对LED芯片没有遮挡作用，而通过图案化透明导电层的引导，相当于为现有的LED芯片增加了多个透明的叉指电极，从而使得电流扩展能力大大提升。
一种 led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种改性金锡电极、LED芯片及其制备方法-CN202010142110.7在审
发明人：黄瑄;李俊贤;刘英策;邬新根;周弘毅 -专利权人：厦门乾照半导体科技有限公司
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2020-05-29 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种改性金锡电极、LED芯片及其制备方法，通过在所述电流扩展层表面依次堆叠的稳压层和金锡合金层，从而形成改性金锡电极，能减少金锡电极对LED芯片工作电压的影响。通过将其N型电极和P型电极采用上述的改性金锡电极，并结合芯片内部的扩展电极及绝缘保护层的设计，使N型电极层叠于所述绝缘保护层，并覆盖所述第三通道与所述第一扩展电极形成电连接；使P型电极层叠于所述绝缘保护层，并覆盖所述第二通道与所述第二扩展电极形成电连接。在保障LED芯片内量子效率的同时，能减少金锡电极对LED芯片工作电压的影响；并提高电极的粘附性，防止电极与外延叠层剥离，进而延长LED芯片的使用寿命。
一种改性电极 led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种发光二极管芯片-CN201710292721.8有效
发明人： 周弘毅;蔡和勋;李耿诚;刘英策;魏振东 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管芯片，包括：半导体堆叠结构，半导体堆叠结构依次包括衬底、第一半导体层、多量子阱层、第二半导体层和电流扩展层，第一半导体层和第二半导体层的导电类型相反，半导体堆叠结构自电流扩展层至衬底方向具有开槽，且开槽底部裸露第一半导体层；位于开槽内、且形成于第一半导体层上的第一电极层；形成于电流扩展层背离衬底一侧的第二电极层，第二电极层包括第二电极引脚，及延伸方向相同、且垂直延伸方向排列的多个第二延伸体，第二延伸体的一端与第二电极引脚相连。本发明提供的技术方案，保证多量子阱层中的电流分布更加均匀，且被遮挡光子可以通过相邻两个第二延伸体之间的空隙出射，提高发光二极管芯片的发光亮度。
一种发光二极管芯片

[发明专利]一种LED芯片及其制作方法-CN201911369513.9在审
发明人：邬新根;李俊贤;刘英策;周弘毅;刘伟 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2019-12-26 - 公布日： 2020-04-03 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种LED芯片及其制作方法，该LED芯片包括：衬底；位于衬底的第一表面的外延结构，外延结构包括N型半导体层、有源层、P型半导体层，其中P型半导体层表面包括第一区域和第二区域；电流阻挡层；电流扩展层，其中，电流扩展层在P型半导体层上的正投影完全覆盖P型半导体层，电流扩展层对应P型半导体层第一区域的厚度大于电流扩展层对应P型半导体层第二区域的厚度，从而可以利用电流扩展层第二区域的较小厚度，来增加电流扩展层的透光率，减少电流扩展层对出射光的吸收，提高LED芯片的发光功率，同时利用电流扩展层第一区域的较大厚度，减小LED芯片的电压，进而降低所述LED芯片驱动功率，提高所述LED芯片的发光效率。
一种 led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种LED芯片及其制作方法-CN201910916498.9在审
发明人：李威平;周弘毅;刘英策;张书山 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2019-09-26 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本申请实施例公开了一种LED芯片及其制作方法，该方法包括：在衬底的第一侧表面形成第一半导体层；在第一半导体层背离衬底的一侧形成发光层；在发光层背离第一半导体层的一侧形成第二半导体层，第二半导体层与第一半导体层的掺杂类型不同；对第二半导体层和发光层对应第一预设区域的部分进行刻蚀，曝露部分第一半导体层；利用预设溶液对第一半导体层的侧壁进行腐蚀，使得第一半导体层的侧壁具有预设表面，预设表面与衬底交界位置所在的平面与衬底所在平面之间的夹角为锐角，预设溶液中包括四甲基氢氧化铵。该方法制作的LED芯片具有较高的取光效率和较强的抗ESD能力。
半导体层衬底预设发光层侧壁四甲基氢氧化铵背离抗ESD能力掺杂类型交界位置取光效率所在平面预设区域侧表面夹角为刻蚀曝露锐角制作腐蚀申请

[实用新型]半导体芯片-CN201822108601.0有效
发明人：黄瑄;李俊贤;刘英策;魏振东;邬新根;周弘毅 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一半导体芯片，其包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层、一绝缘层以及一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极的一列N型电极连接针中的至少一个所述N型电极连接针的截面尺寸与其他的所述N型电极连接针的截面尺寸不同，所述P型电极的一列P型电极连接针中的至少一个所述P型电极连接针的截面尺寸与其他的所述P型电极连接针的截面尺寸不同，通过这样的方式，自所述N型电极和所述P型电极注入的电流能够均匀地分布于所述半导体芯片，从而改善电流扩展死角的问题，以提高所述半导体芯片的发光效率。
连接针半导体芯片绝缘层本实用新型透明导电层电流扩展发光效率依次层叠衬底源区死角

[实用新型]半导体器件-CN201920009957.0有效
发明人：张书山;周弘毅;李俊贤;刘英策;李健 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2019-11-29 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一半导体器件，其包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一发光层、一P型半导体层、一透明导电层以及一钝化保护层，所述半导体器件还包括层叠于所述钝化保护层的一N型电极和一P型电极，所述N型电极在穿过所述钝化保护层后被连接于所述N型半导体层，所述P型电极在穿过所述钝化保护层后被电连接于所述P型半导体层和所述透明导电层。自所述N型电极注入的电流经所述N型半导体层的扩展后流入所述发光层，自所述P型电极注入的电流经所述P型半导体层和所述电流扩展层的扩展后流入所述发光层，电流在所述发光层进行复合后使所述半导体器件产生光线。
钝化保护层发光层半导体器件透明导电层穿过本实用新型电流扩展层依次层叠电连接衬底复合

[实用新型]发光芯片-CN201920009780.4有效
发明人： 周弘毅;魏振东;张书山;李俊贤;李健 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2019-01-04 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一发光芯片，其中所述发光芯片包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一发光层、一P型半导体层、一透明导电层以及一钝化保护层，所述发光芯片进一步包括层叠于所述钝化保护层的一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极被电连接于所述N型半导体层，所述P型电极被电连接于所述P型半导体层和所述透明导电层，其中自所述N型电极注入的电流能够在所述N型电极的N型电极焊盘的附近被注入所述N型半导体层，自所述P型电极注入的电流能够在所述P型电极的P型电极焊盘的附近被进一步注入透明导电层，通过这样的方式，电流能够被均匀地分布，从而有利于提高发光效率和提升整体亮度。
透明导电层发光芯片钝化保护层电连接本实用新型发光效率依次层叠发光层衬底

[实用新型]电子烟-CN201920252995.9有效
发明人：邓雨眠;周卓尔;周弘毅 -专利权人：雨眠创新设计(深圳)有限公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： A24F47/00 文献下载
摘要：一种电子烟，包括壳体，电源模块，雾化器，控制模块，和运动信息获取模块；运动信息获取模块，用于获取用户的运动信息；控制模块用于从所述运动信息获取模块得到所述运动信息，并控制所述电子烟的锁定或解锁。通过与运动数据结合的方式，控制用户的吸烟量，改善用户的健康状况。
运动信息获取控制模块运动信息电子烟电源模块健康状况运动数据雾化器吸烟量解锁壳体锁定

[实用新型]一种音效系统-CN201920253134.2有效
发明人：邓雨眠;周弘毅;刘琛林 -专利权人：雨眠创新设计(深圳)有限公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H04R1/10 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种的音效系统，包括音响和耳机，音箱作为耳机底座，承载耳机，实现一体式收纳，保持耳机清洁的同时，为用户节省桌面空间；此外本实用新型的音效系统能非常便捷的从音箱切换到耳机，或从耳机切换到音箱，方便用户操作，且当耳机放置于音箱上时，音箱的充电模块能给耳机充电，使得耳机充电非常便捷；耳机中麦克风采集的声音反馈，能协助音箱自动校准。
耳机音箱音效系统本实用新型充电节省桌面空间充电模块耳机底座耳机放置声音反馈用户操作自动校准麦克风收纳音响采集承载清洁

[实用新型]半导体芯片-CN201920191147.1有效
发明人：黄瑄;李俊贤;刘英策;魏振东;邬新根;周弘毅 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2019-02-12 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一半导体芯片，其包括依次层叠的一衬底、一N型半导体层、一有源区、一P型半导体层、一透明导电层、一绝缘层以及一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极的一列N型电极连接针在穿过所述绝缘层后被电连接于所述N型半导体层，所述P型电极的一列P型电极连接针在穿过所述绝缘层后被电连接于所述透明导电层，并且一列所述P型电极连接针与所述透明导电层的一列导通位置之间的连线为曲线，通过这样的方式，当电流自所述N型电极和所述P型电极被注入时能够被均匀地扩展。
绝缘层透明导电层连接针半导体芯片电连接穿过本实用新型导通位置依次层叠衬底连线源区

[发明专利]一种增加发光面积LED芯片结构及制作方法-CN201610152156.0有效
发明人：邬新根;李俊贤;陈亮;陈凯轩;张永;刘英策;周弘毅;魏振东 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2016-03-17 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本发明公开一种增加发光面积LED芯片结构，包括衬底、外延层、导电层、P电极和N电极；外延层由依次形成的N‑GaN、有源发光层及P‑GaN构成，N‑GaN形成在衬底上；导电层形成在P‑GaN上，导电层上形成P电极；有源发光层及P‑GaN的外侧壁上形成第一斜坡，第一斜坡上形成绝缘层，绝缘层部分延伸至导电层表面；N‑GaN的外侧壁形成第二斜坡，N电极形成在第二斜坡上并借助绝缘层与有源发光层、P‑GaN及导电层绝缘。本发明还公开一种增加发光面积LED芯片结构制作方法。本发明可以进一步减少发光面积损失，进一步提高发光效率，从而在同等芯片面积下增加芯片发光层面积。
一种增加发光面积 led 芯片结构制作方法

[发明专利]一种LED芯片及其制作方法-CN201710570324.2有效
发明人：邬新根;李俊贤;吴奇隆;汪洋;陈凯轩;刘英策;魏振东;周弘毅;蔡立鹤;黄新茂;蔡和勋;李耿诚 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2017-07-13 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，其中，在形成通孔和台阶区时能够通过一次光刻工艺即能实现，有效减少了光刻工艺次数，进而通过创新的制备方法而减少光刻工艺次数，以达到简化制作LED芯片的流程，且降低LED芯片成本的目的。
一种 led 芯片及其制作方法

[发明专利]一种发光二极管及制作方法-CN201711023423.5有效
发明人： 周弘毅;魏振东;李俊贤;李健;张华;刘兆 -专利权人：江西乾照光电有限公司
申请日： 2017-10-27 - 公布日： 2019-06-04 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种发光二极管及制作方法，通过在垂直衬底的第一方向上形成相互交叠的第一通孔以及第二通孔，在无通孔的区域，钝化层起到电流阻挡作用，同时在通孔区域，第二金属电极通过第一通孔以及第二通孔部分接触透明导电层，部分接触第二型半导体层。由于第二金属电极和透明半导体层之间为欧姆接触，第二金属电极和第二型半导体层之间为肖特基接触，因此在电流注入时，大部分电流都会注入透明导电层再注入第二型半导体层，电流不会集中于第二金属电极的正下方区域，进而减少第二金属电极对光的遮挡，提高了发光二极管的发光效率。
一种发光二极管制作方法