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[发明专利]一种碳化硅功率器件结终端结构及其制造方法-CN201410044259.6有效
发明人：杨勇雄;吴煜东;何多昌;蒋华平;李诚瞻;赵艳黎;吴佳;唐龙谷 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2014-01-30 - 公布日： 2017-03-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅功率器件结终端结构及其制造方法。该碳化硅功率器件结终端结构包括多个场限环，其通过掺杂间隔设置于外延层上；掺杂区，其设置于所述外延层的上方；其中，所述掺杂区是在所述外延层上通过再次外延得到。本发明的结终端结构使得功率器件具有较好的耐压能力和较高的可靠性。
一种碳化硅功率器件终端结构及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件的焊接方法及焊接系统-CN201610939537.3在审
发明人：窦泽春;潘昭海;刘国友;吴煜东;彭勇殿;常桂钦;吴义伯;方杰;莫若 -专利权人：株洲中车时代电气股份有限公司
申请日： 2016-11-01 - 公布日： 2017-01-04 - 主分类号： B23K1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种功率半导体器件的焊接方法，包括如下步骤：向功率半导体器件的散热器换热腔中通入预定温度的换热介质；将所述功率半导体器件的衬板与所述散热器焊接。采用本发明的焊接方法进行焊接，利用散热器本身的导热特性，向散热器的换热腔通入预定温度的换热介质，能够使换热介质快速的换热，使散热器快速升温，进而提高加热效率。同时因为散热器散热，需要均匀散热，反向地，所以换热介质也就能够使散热器均匀升温，进而保证散热器被焊接位置的温度均匀性，继而保证焊接质量，所以该功率半导体器件的焊接方法能够有效地解决焊接时焊接位置升温效果不好的问题。本发明还公开了一种采样上述焊接方法的半导体器件的焊接系统。
一种半导体器件焊接方法系统

[发明专利]一种IGBT模块封装焊接结构-CN201410251618.5有效
发明人：方杰;李继鲁;常桂钦;彭勇殿;窦泽春;刘国友;颜骥;吴煜东 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2014-06-09 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT模块封装焊接结构，包括基板、衬板、芯片和母排，所述基板和衬板上表面均涂有焊料或者放置有焊片，所述基板与所述衬板之间、所述衬板与所述芯片之间、所述母排与所述衬板之间均通过多个金属支柱连接。本发明在衬板正面金属层与基板正面焊接区域制作深度为0～5mm的金属支柱，用来支撑芯片，衬板，使焊料熔化后均匀地流动，填充间隙，以控制焊层的厚度和均匀性，该金属支柱还可以用来固定开设有通孔的焊片，避免了焊片在焊接过程中的滑动，漂移。
一种 igbt 模块封装焊接结构

[发明专利]半导体芯片台面结构及其保护方法-CN201410690686.1在审
发明人：张弦;陈芳林;吴煜东;邱凯兵;颜骥;高建宁;王政英 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2014-11-27 - 公布日： 2016-06-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体芯片台面结构及其保护方法，半导体芯片台面结构包括：覆盖在半导体芯片边缘表面的钝化层，钝化层为半导体芯片在经过类金刚石膜沉积处理后，放置于200℃至350℃的环境中，并且在惰性气体氛围下进行退火处理后生成。类金刚石膜沉积处理使用气态碳氢化合物或其与氢气的混合物作为原料，通过PECVD工艺生成富含H元素或H离子的类金刚石膜。H元素或H离子以非定型方式分布于类金刚石膜的C原子网络中。通过实施本发明台面结构及其保护方法，半导体芯片经过退火处理，能够有效减小半导体芯片边缘的表面漏电流、降低芯片的静态损耗，从而有效提升半导体器件的长期可靠性。
半导体芯片台面结构及其保护方法

[发明专利]一种IGBT衬板结构及其制作方法-CN201410229870.6在审
发明人：常桂钦;李寒;彭勇殿;吴煜东;李继鲁 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2014-05-28 - 公布日： 2016-02-03 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：本发明公开了一种IGBT衬板结构及其制作方法，该衬板结构包括衬板，所述衬板的中部为电路区，所述衬板中部的下方设有母排焊接区，所述衬板的两侧均为芯片区，呈对称状，衬板门极电路呈对称状布置于衬板的两侧。该制作方法用来制备上述衬板结构。本发明具有结构简单紧凑、成本低廉、制作方便、可降低热耦合、提高封装效率等优点。
一种 igbt 板结及其制作方法

[发明专利]直流高压电源、高位取能装置及其供电方法-CN201510701625.5有效
发明人：唐柳生;任亚东;颜骥;吴煜东;孙文伟;张西应;石铿 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2015-10-26 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：本发明提供了一种直流高压电源、高位取能装置及其供电方法，包括高压输入端、低压输出端、取能电路、储能电路、锁存电路和节流电路；取能电路包括开关电路和与开关电路连接的控制电路，开关电路包括至少两个串联的开关，控制电路通过控制开关的导通来控制高压输入端向储能电路充电；锁存电路与储能电路和开关电路连接，用于在储能电路充电完成后，通过控制开关的关断来控制高压输入端停止向储能电路充电；节流电路的输入端与储能电路连接、输出端与低压输出端连接，用于对储能电路输出的电流进行节流恒流处理，并将处理后的电流输出至低压输出端。本实施例中的高位取能装置具有接线方式简单、电压应用范围大、漏电流小以及供电时间长等优点。
直流高压电源高位装置及其供电方法

[发明专利]一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法-CN201510274919.4有效
发明人：高云斌;李诚瞻;刘国友;吴煜东;史晶晶;赵艳黎 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2015-05-26 - 公布日： 2015-10-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及一种碳化硅MOSFET器件，采用阶梯形的栅氧化层结构，位于沟道和部分N⁺源区上方的为第一栅氧化层，其厚度为40～60nm；位于JFET区上方的为第二栅氧化层，其厚度为100～200nm。优选所述碳化硅MOSFET器件的JFET区宽度为2～6μm。本发明在有效减小栅氧化层电场强度的同时，不致影响器件阈值电压和栅控特性。继而充分扩展设计余量，通过采用较宽的JFET区结构，进一步减小器件导通电阻。
一种碳化硅 mosfet 器件及其制备方法

[发明专利]一种半导体芯片台面造型方法-CN201410113139.7在审
发明人：操国宏;吴煜东;刘锐鸣;邹冰艳;颜骥 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2014-03-25 - 公布日： 2015-09-30 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体芯片台面造型方法，使用高速旋转的磨轮，在磨轮上开设所需槽型对应的凹槽，凹槽内镀设有磨削层，将待加工芯片上芯片结终端的柱面伸入凹槽中，以接触凹槽研磨的方式进行台面造型。本发明具有方便高效、工艺简单、成品率高、制造成本低等优点。
一种半导体芯片台面造型方法

[发明专利]半导体器件耐压终端结构及其应用于SiC器件的制造方法-CN201410071460.3在审
发明人：吴佳;吴煜东;刘可安;李诚瞻;史晶晶;蒋华平;唐龙谷;赵艳黎;杨勇雄 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2014-02-28 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件耐压终端结构及其应用于SiC器件的制造方法，耐压终端结构包括：第一掺杂区，以及掺杂浓度相对于第一掺杂区较轻的第二掺杂区。半导体器件耐压终端结构的刻蚀剖面采用连续光滑曲面的台面结构，刻蚀剖面从第一掺杂区穿过在第一掺杂区和第二掺杂区的交界处形成势垒层，并平缓地过渡至位于第二掺杂区的非台面区域。制造方法包括淀积掩膜层、光刻、湿法腐蚀掩膜层和干法刻蚀半导体器件基底材料等步骤。本发明不但能够缓解电场集中的现象，从而提高器件的反向耐压，同时器件所占面积更小，在相同尺寸晶圆上可设计更多的器件。
半导体器件耐压终端结构及其应用于 sic 器件制造方法

[发明专利]碳化硅离子注入掺杂掩膜结构及其制备方法-CN201410071399.2在审
发明人：李诚瞻;刘可安;吴煜东;周正东;史晶晶;高云斌 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2014-02-28 - 公布日： 2015-09-02 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明公开了碳化硅离子注入掺杂掩膜结构及其制备方法，一种掩膜结构是在碳化硅外延片表面形成第一阻挡层二氧化硅（SiO₂），另外在非注入区的第一阻挡层上再形成第二阻挡层多晶硅（Poly-Si）。另一种掩膜结构是在碳化硅外延片表面形成第一阻挡层二氧化硅，另外在非注入区的第一阻挡层上再形成第二阻挡层多晶硅，在第二阻挡层上形成第三阻挡层二氧化硅。本发明掩膜结构及其制备方法能够解决离子注入SiC外延片后的箱型杂质浓度不均匀分布现象，同时能够减少高能离子注入SiC外延片带来的表面损伤。
碳化硅离子注入掺杂膜结构及其制备方法

[发明专利]一种用于碳化硅器件表面碳保护膜去除的方法-CN201510091202.6在审
发明人：史晶晶;李诚瞻;吴煜东;周正东;赵艳黎;高云斌;吴佳;杨勇雄;丁荣军 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2015-02-28 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于碳化硅器件表面碳保护膜去除的方法。本发明所提供的方法包括如下步骤：1)将表面负载有碳保护膜的SiC晶圆浸没在液相除碳剂中进行超声处理；2)将超声处理后的SiC晶圆置于后处理剂中进行后处理。本发明的方法通过湿法氧化、超声及后处理等步骤的协同配合，不仅能够有效去除碳化硅表面的碳保护膜，而且还可能够对碳保护膜中残留的各种杂质起到很好的去除效果。另外，本发明的方法避免了碳保护膜去除过程中对SiC表面所造成的损伤，有利于后续加工工艺。
一种用于碳化硅器件表面保护膜去除方法

[发明专利]一种新型碳化硅MOSFET及其制造方法-CN201410620019.6在审
发明人：李诚瞻;吴煜东;赵艳黎;蒋华平;高云斌;丁荣军 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2014-11-06 - 公布日： 2015-01-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供了一种新型碳化硅MOSFET及其制造方法，本发明中在碳化硅MOSFET器件在P阱离子注入后，在P阱表面外延一层表面粗糙度较低的P^－外延层，载流子输运在P^－外延层反型沟道，由于P^－外延层的粗糙度小于P阱表面的粗糙度，所以降低了反型层沟道中载流子碰撞或散射几率，提高碳化硅MOSFET器件反型沟道载流子迁移率，降低器件导通电阻。
一种新型碳化硅 mosfet 及其制造方法

[发明专利]硅片承载装置-CN201410135844.7在审
发明人：操国宏;刘锐鸣;邹冰艳;吴煜东;戴小平 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2014-04-04 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提出了一种走线单元，包括本体，以及沿水平方向等间距形成在所述本体上的多个用于承载硅片的承片槽；所述承片槽均在水平方向上朝向同一方向倾斜设置，并且所述承片槽的任一侧壁所在的平面和与水平方向垂直的竖直平面之间均形成相同的第一预设夹角；其在本体上形成有朝向同一方向倾斜的多个承片槽，并且承片槽的侧壁所在平面和水平方向垂直的竖直平面之间形成的相同的第一预设夹角，当把相同厚度的硅片分别放置在多个承片槽内，硅片均朝向同一方向倾斜，并且倾斜的角度均大致相等，从而使得硅片之间的间距的一致性较高，进而提高了各个硅片之间的杂质扩散的均匀性。
硅片承载装置

[发明专利]一种大功率IGBT模块焊接装置-CN201410168459.2无效
发明人：曾雄;张泉;李继鲁;彭勇殿;吴煜东;常桂钦 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2014-04-25 - 公布日： 2014-07-02 - 主分类号： B23K3/00 文献下载
摘要：本发明提出了一种大功率IGBT模块焊接装置，其包括焊片固定工装、衬板固定工装和定位销；所述焊片固定工装和焊片厚度一致，并设有固定焊片的贯通槽；所述衬板固定工装上设有固定待焊接衬板的贯通槽；所述焊片固定工装和衬板固定工装上均设有和定位销对应的定位孔。本焊接采用没有助焊剂的成型片状焊料（焊片），把片状材料放到特定的工装中，使得被焊接区域、片状材料与被焊接衬板元件位置相对固定，实现IGBT模块焊片焊接，焊接后，不存在助焊剂，焊接品也不需要清洗，既可以提高模块组装效率，也可以提高产品的可靠性。
一种大功率 igbt 模块焊接装置

[发明专利]一种半导体芯片台面的钝化方法-CN201410153442.X在审
发明人：朱为为;吴煜东;颜骥;邹冰艳;王政英 -专利权人：株洲南车时代电气股份有限公司
申请日： 2014-04-16 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体芯片台面的钝化方法，包括，将设置有预定台面造型的半导体芯片置入反应等离子体刻蚀的反应室内，并遮挡所述半导体芯片的非台面区域，以仅使所述半导体芯片的台面区域暴露在外；向所述反应室内通入反应性气体CH₄，所述反应性气体CH₄在射频源功率的作用下辉光放电产生等离子体；所述等离子体在所述半导体芯片的台面上淀积一层类金刚石薄膜，以形成钝化层。该钝化方法具有效率高、均匀性好、可重复性高、灵活性强以及人工成本低的优点。
一种半导体芯片台面钝化方法