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[发明专利]一种半导体结构及其制作方法-CN202310484392.2有效
发明人： 秋珉完;郑大燮;金起凖;詹奕鹏 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构及其制作方法，属于半导体技术领域，所述半导体结构包括：衬底；栅极氧化层，设置在所述衬底上；至少两个第一栅极结构，设置在所述栅极氧化层上，所述第一栅极结构相邻设置；至少两个第二栅极结构，设置在所述栅极氧化层上，且所述第二栅极结构设置在所述第一栅极结构的两侧；重掺杂区域，设置在所述衬底上，包括第一重掺杂区域和第二重掺杂区域，相邻第一栅极结构之间以及第二栅极结构远离第一栅极结构的一侧设置所述第二重掺杂区域，相邻所述第一栅极结构和所述第二栅极结构之间并列设置所述第一重掺杂区域和所述第二重掺杂区域。通过本发明提供的一种半导体结构及其制作方法，可提高半导体结构的性能和使用寿命。
一种半导体结构及其制作方法

[发明专利]静态随机存取存储器单元的制备方法-CN202310699227.9有效
发明人：张纪稳;黄普嵩;秋珉完;孙得娟 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-06-14 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H10B10/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种静态随机存取存储器单元的制备方法，包括：提供衬底，衬底包括第一有源区、第二有源区及第三有源区，且第一有源区、第二有源区及第三有源区上均形成有栅极多晶硅层；形成应力层顺形地覆盖衬底及栅极多晶硅层；减小应力层给第三有源区施加的应力；形成第一图形化的光刻胶层覆盖第三有源区，执行第一干法刻蚀工艺形成第一侧墙和第二侧墙；去除第一图形化的光刻胶层；以及，形成第二图形化的光刻胶层覆盖第一有源区及第二有源区，执行第二干法刻蚀工艺形成第三侧墙，以及在第三有源区中形成第三源区和第三漏区。本发明能够节省工序，且利于提高静态随机存取存储器单元的读写能力。
静态随机存取存储器单元制备方法

[发明专利]半导体器件的制备方法-CN202310210325.1有效
发明人：张纪稳;秋珉完;孙得娟 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括：提供衬底，衬底包括NMOS区和PMOS区，NMOS区和PMOS区上均形成有栅极结构；形成氧化层覆盖NMOS区和PMOS区；形成第一图形化的光刻胶层覆盖PMOS区，以第一图形化的光刻胶层为掩模刻蚀去除NMOS区的氧化层，以及以第一图形化的光刻胶层为掩模对NMOS区进行离子注入，以在NMOS区的栅极结构的两侧的衬底中形成第一掺杂区；去除第一图形化的光刻胶层；形成应力层覆盖NMOS区和PMOS区，以及执行热退火工艺。本发明减小应力层对PMOS区产生的影响，保证PMOS管性能的同时，不需要额外的掩模版及光刻工艺，节省工序和制备成本。
半导体器件制备方法

[发明专利]一种多次可编程存储器结构及其制造方法-CN202111036001.8在审
发明人： 秋珉完;金起凖 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明提出一种多次可编程存储器结构及其制造方法，包括：衬底；浮栅，位于所述衬底上；选择栅，位于所述衬底上，所述选择栅位于所述浮栅的一侧；栅介质层，位于所述浮栅上；层间介质层，位于所述衬底、所述选择栅和所述栅介质层上；第一类导电插塞和第二类导电插塞，位于所述层间介质层中；第一层金属层，位于所述层间介质层上，所述第一层金属层包括第一金属和第二金属，所述第一金属通过第一类导电插塞与所述栅介质层连接；所述第二金属通过第二类导电插塞与所述选择栅连接；其中，所述第一类导电插塞的径向尺寸大于所述第二类导电插塞的径向尺寸。本发明提出的多次可编程存储器结构及其制造方法可以提高器件的性能。
一种多次可编程存储器结构及其制造方法

[发明专利]一种半导体器件及其制造方法-CN202010983135.X在审
发明人：张纪稳;秋珉完 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2020-11-13 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：本发明提出一种半导体器件及其制造方法，包括：提供一衬底；形成浅沟槽隔离结构于所述衬底中，所述浅沟槽隔离结构将所述衬底隔离成第一区域和第二区域；分别形成第一栅极结构和第二栅极结构于所述第一区域和所述第二区域上；形成第一膜层于所述衬底上，所述第一膜层覆盖所述第一栅极结构和所述第二栅极结构；形成缓冲层于所述第一膜层上，所述缓冲层覆盖所述第一膜层；其中，所述缓冲层的厚度小于所述第一膜层的厚度；形成第二膜层于所述缓冲层上，所述第二膜层覆盖所述缓冲层，所述第二膜层的厚度大于所述第一膜层的厚度；移除位于所述第一区域或所述第二区域上的所述第二膜层和所述缓冲层。本发明提出的半导体器件的制造方法可以简化工艺制程。
一种半导体器件及其制造方法

[实用新型]多次可编程存储器的单元结构-CN202020331150.1有效
发明人： 秋珉完;金起準 -专利权人：合肥晶合集成电路有限公司
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2020-08-25 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本实用新型提供一种多次可编程存储器的单元结构，包括衬底，位于衬底上的浮栅，位于浮栅侧壁的第一侧墙及依次位于浮栅上的SAB薄膜和控制栅，且控制栅和SAB薄膜沿垂直于浮栅厚度方向延伸覆盖部分所述第一侧墙。本实用新型提供的多次可编程存储器的单元结构中所述控制栅通过耦合控制浮栅进行数据的存储与擦除，无需额外的隧穿区域(Tunneling area)，使多次可编程存储器的单元结构的尺寸减小，满足MTP器件的小尺寸化需求。进一步的，所述SAB薄膜和所述控制栅沿垂直于浮栅厚度方向延伸覆盖部分第一侧墙，以减弱或避免刻蚀SAB薄膜时对第一侧墙的破坏，提高多次可编程存储器的性能。
多次可编程存储器单元结构

[发明专利]多次可编程存储器的单元结构及其制作方法-CN202010182566.6在审
发明人： 秋珉完;金起準 -专利权人：合肥晶合集成电路有限公司
申请日： 2020-03-16 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明提供一种多次可编程存储器的单元结构及其制作方法，包括衬底，位于衬底上的浮栅，位于浮栅侧壁的第一侧墙及依次位于浮栅上的SAB薄膜和控制栅，且控制栅和SAB薄膜沿垂直于浮栅厚度方向延伸覆盖部分所述第一侧墙。本发明提供的多次可编程存储器的单元结构中所述控制栅通过耦合控制浮栅进行数据的存储与擦除，无需额外的隧穿区域(Tunneling area)，使多次可编程存储器的单元结构的尺寸减小，满足MTP器件的小尺寸化需求。进一步的，所述SAB薄膜和所述控制栅沿垂直于浮栅厚度方向延伸覆盖部分第一侧墙，以减弱或避免刻蚀SAB薄膜时对第一侧墙的破坏，提高多次可编程存储器的性能。
多次可编程存储器单元结构及其制作方法

[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法-CN201210206135.4有效
发明人：赵廷镐;朴正求;秋珉完;柳斗烈 -专利权人：美格纳半导体有限公司
申请日： 2012-06-18 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：提供了一种非易失性存储器件和一种制造该非易失性存储器件的方法。该方法包括在衬底上形成浮置栅极；形成与浮置栅极的形状一致的介电层；在衬底上形成导电层以形成覆盖浮置栅极和介电层的控制栅极；在导电层的一侧上形成光刻胶图案；形成间隔物形式的包围浮置栅极的侧面的控制栅极，所述控制栅极的形成包括对导电层实施回蚀到直到暴露浮置栅极上的介电层的一部分；以及在控制栅极的一侧上形成与多个接触塞连接的多晶硅焊盘，所述多晶硅焊盘的形成包括移除光刻胶图案。
非易失性存储器及其制造方法

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