专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]浅沟槽隔离结构的形成方法-CN202310302322.0有效
  • 王冉;林子荏;林祐丞;张二冬;段厚成 - 合肥晶合集成电路股份有限公司
  • 2023-03-27 - 2023-06-30 - H01L21/762
  • 本发明提供一种浅沟槽隔离结构的形成方法。所述形成方法包括:提供基底,基底上形成有具有开口的硬掩模层;形成侧墙材料层,侧墙材料层覆盖硬掩模层的上表面和侧表面,以及覆盖基底露出的上表面;执行第一刻蚀步骤,向下刻蚀侧墙材料层,露出硬掩模层的上表面和基底的部分上表面,硬掩模层侧表面上的侧墙材料层被保留并作为侧墙;以硬掩模层和侧墙为掩模,执行第二刻蚀步骤,刻蚀基底形成浅沟槽;以及执行第三刻蚀步骤,刻蚀去除侧墙,露出的基底作为浅沟槽的肩部;其中,第一刻蚀步骤、第二刻蚀步骤和第三刻蚀步骤在同一干法刻蚀设备中完成,如此中途不需要将基底从干制程转出至湿制程,有助于缩短浅沟槽隔离结构的生产周期。
  • 沟槽隔离结构形成方法

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