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[发明专利]外延工艺的模拟方法-CN202211203201.2在审
发明人：李伟叶;侯翔宇;杨继业;李昊;陆怡;康志潇;张博;刑军军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G06F30/347 文献下载
摘要：一种外延工艺的模拟方法，包括：获取待模拟外延工艺，所述待模拟外延工艺包括若干待模拟外延阶段，各待模拟外延阶段具有对应的初始外延时间速率关系模型；获取若干组外延工艺参数，各外延工艺参数包括外延速率和外延时间；根据至少一组外延工艺参数中的外延速率和外延时间对任一所述待模拟外延阶段的初始外延时间速率关系模型进行拟合，获取所述待模拟外延阶段对应的参考外延时间速率关系模型；根据所述若干待模拟外延阶段对应的参考外延时间速率关系模型，获取所述待模拟外延工艺的模拟外延填充量。所述外延工艺的模拟方法改善了深沟槽填充工艺的调整方式，简化了填充工艺的调整步骤，缩短了工艺调整时间，提升了工艺调整效率。
外延工艺模拟方法

[发明专利]深沟槽刻蚀的硬掩膜结构及工艺方法-CN202210806630.2在审
发明人：李昊;徐涛;杨继业;李伟叶;候翔宇;陆怡;尹小宝;刑军军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2022-07-08 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种深沟槽刻蚀的硬掩膜结构以及基于该结构的工艺方法，所述的硬掩模结构位于半导体衬底上，在所述半导体衬底上进行深沟槽刻蚀时，所述硬掩模结构作为深沟槽刻蚀的阻挡层；所述的硬掩模结构为复合结构，从覆盖于所述半导体衬底之上的最下层往上包含有两层：最下层的氮化硅层和覆盖于所述氮化硅层之上的氧化硅层。本发明结构消除了传统ONO结构最底层热氧化层被横向腐蚀掉的隐患，有效缓解单晶硅在硬掩模表面的融合，一定程度上解决N型外延产生位错的问题。
深沟刻蚀膜结构工艺方法

[发明专利]PLDMOS结构及其制造方法-CN201610874757.2在审
发明人： 刑军军 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2018-04-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种PLDMOS结构，其将现有PLDMOS结构中的N型埋层与第P型埋层之间预留空间，使N型埋层与第P型埋层之间具有N型外延层和P型衬底，并且形成N型埋层和没有N型埋层的交替结构。本发明基于BCD350GE薄外延工艺(4.5um)通过对器件下方N型埋层结构的调整进而拉开外围N型埋层和N型埋层之间的空间，从而使得PLDMOS提高耐压40％，本发明能实现器件耐压达到70V以上。本发明的制造工艺与标准工艺完全兼容，不产生额外的光罩，节约生产成本。
pldmos 结构及其制造方法