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[实用新型]扇出型天线封装结构-CN201721392633.7有效
发明人：陈彦亨;林正忠;吴政达;林章申;何志宏 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：本实用新型提供一种扇出型天线封装结构，包括：半导体芯片；塑封材料层，塑封材料层塑封于半导体芯片的外围；金属连线，位于塑封材料层内；天线结构，位于塑封材料层的第一表面上，且与金属连线电连接；重新布线层，位于塑封材料层的第二表面上，且与半导体芯片及金属连线电连接；焊球凸块，位于重新布线层远离塑封材料层的表面上，且与重新布线层电连接。本实用新型的封装结构可以大大节省空间面积，可在较小的区域面积内形成较大面积长度的天线，大大提高了天线的增益，既保证了射频芯片的稳定性，同时也提高了通信距离，天线结构中的金属天线的线宽可以做到很小，可以大大增加天线结构中的金属天线的密度。
塑封材料半导体芯片重新布线层金属连线天线结构电连接本实用新型金属天线天线封装扇出型天线第二表面第一表面封装结构节省空间射频芯片通信距离焊球塑封凸块线宽外围保证

[实用新型]扇出型天线结构-CN201721386243.9有效
发明人：陈彦亨;林正忠;吴政达;林章申;何志宏 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本实用新型提供一种扇出型天线结构，包括：半导体芯片；塑封材料层，包括相对的第一表面及第二表面，塑封材料层塑封于半导体芯片的外围；金属连接柱，位于塑封材料层内，且上下贯通塑封材料层；天线结构，位于塑封材料层的第一表面上，且与金属连接柱电连接；重新布线层，位于塑封材料层的第二表面上，且与半导体芯片及金属连接柱电连接；焊料凸块，位于重新布线层远离塑封材料层的表面上，且与重新布线层电连接。本实用新型的封装结构可以大大节省空间面积，可在较小的区域面积内形成较大面积长度的天线，大大提高了天线的增益，天线结构中的金属天线的线宽可以做到很小，可以大大增加天线结构中的金属天线的密度。
塑封材料天线结构半导体芯片金属连接柱重新布线层电连接本实用新型第二表面第一表面金属天线扇出型天线封装结构焊料凸块节省空间上下贯通塑封线宽外围

[发明专利]集成有供电传输系统的封装件的封装方法-CN201710124760.7有效
发明人：林章申;林正忠;何志宏;周祖源 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-03-03 - 公布日： 2018-09-07 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明提供一种集成有供电传输系统的封装件的封装方法，包括如下步骤：1）提供一载体；2）采用电镀工艺在载体表面形成第一金属连接柱；3）将有源模块及无源模块设置于载体形成有第一金属连接柱的表面上，并在有源模块及所述无源模块表面形成第二金属连接柱；4）将第一金属连接柱、有源模块、无源模块及第二金属连接柱封装成型；5）在塑封材料表面形成再布线层；6）将用电芯片设置于再布线层表面，用电芯片经由多个微凸块实现与低电压供电轨道的对接；7）剥离载体，形成与第一金属连接柱相连接的焊料凸块。本发明通过使用三维芯片堆叠技术，提高了电力输送效率，增加了不同电压轨道的可用数量。
集成供电传输系统封装方法

[实用新型]一种封装结构-CN201721443330.3有效
发明人： 何志宏;林正忠;林章申 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-11-01 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本实用新型提供一种封装结构，所述封装结构包括：复合芯片，所述复合芯片包括介质层及结合于介质层第一面的电路层；且介质层还包括与第一面相对的第二面；介质层横向划分为感应区及逻辑区；感应区内包括若干沟槽隔离结构；聚光层位于介质层第二面；聚光层包括像素元件，像素元件的位置对应于感应区；本实用新型在一次封装过程中得到多个集成有感应区及逻辑区的复合芯片封装结构，具有封装体积小，组装工艺简单，封装费用低的优点，且不需要外部连线，从而有利于提高结构的稳定性，同时提高最终器件结构的成品率。
一种封装结构

[实用新型]指纹识别芯片的封装结构-CN201720781880.X有效
发明人：陈彦亨;林正忠;何志宏;吴政达 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2018-05-11 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型提供一种指纹识别芯片的封装结构，所述封装结构包括：重新布线层；金属凸块，形成于所述重新布线层上；指纹识别芯片，通过金属焊点装设于所述重新布线层上，其中，所述指纹识别芯片的正面朝向于所述重新布线层；以及封装材料，覆盖于所述指纹识别芯片，且所述金属凸块露出于所述封装材料。本实用新型采用扇出型封装（Fan out）指纹识别芯片，相比于现有的其它指纹识别芯片封装来说，具有成本低、厚度小、良率高的优点。
指纹识别芯片封装结构

[实用新型]指纹识别芯片的封装结构-CN201720780717.1有效
发明人：陈彦亨;林正忠;何志宏;吴政达 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型提供一种指纹识别芯片的封装结构，所述封装结构包括硅衬底；重新布线层，形成于所述硅衬底上；金属凸块，形成于所述重新布线层上；指纹识别芯片，通过金属焊点装设于所述重新布线层上，其中，所述指纹识别芯片的正面朝向于所述重新布线层；以及封装材料，覆盖于所述指纹识别芯片，且所述金属凸块露出于所述封装材料。本实用新型采用扇出型封装（Fan out）指纹识别芯片，相比于现有的其它指纹识别芯片封装来说，具有成本低、厚度小、良率高的优点。
指纹识别芯片封装结构

[实用新型]一种封装结构-CN201721305892.1有效
发明人： 何志宏;林正忠;林章申 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-10-11 - 公布日： 2018-04-17 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型提供一种封装结构，所述封装结构包括重新布线层，所述重新布线层包括第一面以及与所述第一面相对的第二面，所述重新布线层包括介质层以及金属布线层；金属凸块，所述金属凸块形成于所述重新布线层第一面上；CMOS图像传感器芯片与逻辑芯片，所述CMOS图像传感器芯片及所述逻辑芯片正面具有金属焊点，所述金属焊点装设于所述重新布线层第二面上与所述重新布线层实现相互之间的电连接；封装材料，形成于所述重新布线层的第二面上，所述CMOS图像传感器芯片背面裸露于所述封装材料；本实用新型封装结构具有封装体积小，组装工艺简单，封装费用低，且不需要外部连线从而提高结构的稳定性，同时提高最终器件结构的成品率。
一种封装结构

[实用新型]指纹识别芯片的封装结构-CN201720781358.1有效
发明人：陈彦亨;林正忠;何志宏;吴政达 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本实用新型提供一种指纹识别芯片的封装结构，所述封装结构包括硅衬底；重新布线层，形成于所述硅衬底上；金属引线，通过焊线工艺焊接于所述重新布线层上；指纹识别芯片，通过金属焊点装设于所述重新布线层上，其中，所述指纹识别芯片的正面朝向于所述重新布线层；以及封装材料，覆盖于所述指纹识别芯片，且所述金属引线露出于所述封装材料。本实用新型采用扇出型封装（Fan out）指纹识别芯片，相比于现有的其它指纹识别芯片封装来说，具有成本低、厚度小、良率高的优点。采用焊线工艺，可以大大降低工艺温度，提高工艺的适用范围。
指纹识别芯片封装结构

[实用新型]集成图像传感器芯片及逻辑芯片的封装结构-CN201721131033.5有效
发明人：陈彦亨;林正忠;何志宏 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-09-05 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本实用新型提供一种集成图像传感器芯片及逻辑芯片的封装结构，包括重新布线层，透明盖板，封装于所述重新布线层的第一面上；金属引线结构，凸设于所述重新布线层的第二面上；图像传感器芯片及逻辑芯片，设置于所述重新布线层的第二面上，且所述图像传感器芯片、所述逻辑芯片与所述金属引线结构通过所述重新布线层实现相互之间的电连接；封装材料，形成于所述重新布线层的第二面上。本实用新型可以在同一个封装腔中集成图像传感器芯片及逻辑芯片，具有封装体积小，器件可靠性高的优点；本实用新型通过预先制作的金属柱实现重新布线层的电性引出，不需要进行硅穿孔等工艺，可以大大节省工艺成本。
集成图像传感器芯片逻辑封装结构

[发明专利]扇出型天线封装结构及其制备方法-CN201711008644.5在审
发明人：陈彦亨;林正忠;吴政达;林章申;何志宏 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2018-02-27 - 主分类号： H01Q1/22 文献下载
摘要：本发明提供一种扇出型天线封装结构及其制备方法，包括半导体芯片；塑封材料层，包括相对的第一表面及第二表面，塑封材料层塑封于半导体芯片的外围；金属连接柱，位于塑封材料层内，且上下贯通塑封材料层；天线结构，位于塑封材料层的第一表面上，且与金属连接柱电连接；重新布线层，位于塑封材料层的第二表面上，且与半导体芯片及金属连接柱电连接；焊料凸块，位于重新布线层远离塑封材料层的表面上，且与重新布线层电连接。本发明的封装结构可以大大节省空间面积，可在较小的区域面积内形成较大面积长度的天线，大大提高了天线的增益，天线结构中的金属天线的线宽可以做到很小，可以大大增加天线结构中的金属天线的密度。
扇出型天线封装结构及其制备方法

[发明专利]扇出型天线封装结构及其制备方法-CN201711008673.1在审
发明人：陈彦亨;林正忠;吴政达;林章申;何志宏 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明提供一种扇出型天线封装结构及其制备方法，包括半导体芯片；塑封材料层，塑封于半导体芯片的外围；塑封材料层内形成有激光通孔；导电柱，填充于激光通孔内，且上下贯通塑封材料层；天线结构，位于塑封材料层的第一表面上，且与导电柱电连接；重新布线层，位于塑封材料层的第二表面上，且与半导体芯片及所述导电柱电连接；焊料凸块，位于重新布线层远离所述塑封材料层的表面上，且与重新布线层电连接。本发明的封装结构可以大大节省空间面积，可在较小的区域面积内形成较大面积长度的天线，大大提高了天线的增益，天线结构中的金属天线的线宽可以做到很小，可以大大增加天线结构中的金属天线的密度。
扇出型天线封装结构及其制备方法

[发明专利]扇出型天线封装结构及其制备方法-CN201711014958.6在审
发明人：陈彦亨;林正忠;吴政达;林章申;何志宏 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2018-02-16 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本发明提供一种扇出型天线封装结构及其制备方法，包括半导体芯片；塑封材料层，塑封材料层塑封于半导体芯片的外围；金属连线，位于塑封材料层内；天线结构，位于塑封材料层的第一表面上，且与金属连线电连接；重新布线层，位于塑封材料层的第二表面上，且与半导体芯片及金属连线电连接；焊球凸块，位于重新布线层远离塑封材料层的表面上，且与重新布线层电连接。本发明的封装结构可以大大节省空间面积，可在较小的区域面积内形成较大面积长度的天线，大大提高了天线的增益，既保证了射频芯片的稳定性，同时也提高了通信距离，天线结构中的金属天线的线宽可以做到很小，可以大大增加天线结构中的金属天线的密度。
扇出型天线封装结构及其制备方法

[发明专利]用于制备帕布昔利布A型晶的溶剂及制备方法-CN201610505533.4有效
发明人：倪尉;杨玉金;何志宏;沈红梅 -专利权人：重庆华邦制药有限公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： C07D471/04 文献下载
摘要：本发明属于药物化学领域，具体涉及一种用于制备帕布昔利布A型晶的溶剂及制备方法。所述A型晶的X‑ray粉末衍射如图1所示，按以下方式制备将帕布昔利布用有机溶剂溶解，得帕布昔利布有机溶剂溶液；将所得的帕布昔利布有机溶剂溶液利用温差法进行析晶，固液分离并干燥固体，得帕布昔利布的A型晶。本发明制备的帕布昔利布的A型晶稳定性好；采用廉价的单一溶剂氯苯作为溶剂，方便在大规模工业生产过程中进行回收套用，降低生产成本，用氯苯做溶剂，精制收率可达89.5％；本发明制备方法中，无需加入晶种诱导析晶，且降温过程无需精确程序控制，整个操作流程简单、方便，制备方法成本低，收率高，方法稳定，适合大规模工业化生产。
用于制备帕布昔利布溶剂方法

[实用新型]令克棒式警示桩-CN201720745116.7有效
发明人：丁旭双;夏裕平;何志宏;殷慧;丁泽琰 -专利权人：国网江苏省电力公司镇江供电公司;国网江苏省电力公司丹阳市供电公司
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： E01F9/615 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种令克棒式警示桩，包括三个绝缘杆，以及组合圆盘、警示灯，所述组合圆盘包括盘底和三个组合柱，三个组合柱分别布置于盘底的同一侧，组合柱内部设置内螺纹孔，绝缘杆的一个端部设置内螺纹孔，绝缘杆的另一个端部设置外螺纹，所述绝缘杆端部的外螺纹与组合柱的内螺纹孔配合，三个绝缘杆分别与三个组合柱固定安装形成三角支撑，所述警示灯固定于组合圆盘的顶部。本实用新型起到令克棒、安全围栏和夜晚安全警示灯三者的作用，减少施工人员携带安全工作器具的种类，减轻劳动量。
令克棒式警示

[实用新型]扇出型单裸片封装结构-CN201720729863.1有效
发明人：陈彦亨;林正忠;何志宏 -专利权人：中芯长电半导体（江阴）有限公司
申请日： 2017-06-21 - 公布日： 2018-01-26 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本实用新型提供一种扇出型单裸片封装结构，芯片结构，所述芯片结构包括裸芯片及位于所述裸芯片上、并与所述裸芯片进行电连接的接触焊盘；包围所述芯片结构，同时暴露出所述接触焊盘所在表面的塑封层；位于所述塑封层及芯片结构上表面的第一介电层，所述第一介电层通过第一开口暴露出所述接触焊盘；位于所述第一介电层及接触焊盘上表面的重新布线层，所述重新布线层通过第二开口暴露出所述第一介电层；位于所述重新布线层及第一介电层上表面的第二介电层，所述第二介电层通过第三开口暴露出所述重新布线层；以及位于所述第三开口的焊球凸块。通过本实用新型扇出型单裸片封装结构，解决了现有扇出型封装工艺制造成本高的问题。
扇出型单裸片封装结构