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[发明专利]一种晶圆级键合工艺监控结构、方法及制备方法-CN202110222528.3有效
发明人： 霍瑞霞;吴道伟;刘万胜;李宝霞 -专利权人：珠海天成先进半导体科技有限公司
申请日： 2021-02-26 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆级键合工艺监控结构、方法及制备方法，将上下键合面设计为带有串联电路，其中上键合面同时带有可供电流导通的电极Pad，形成了可供测试键合后是否形成完好键合界面的导通路线，且这种设计分布于整张晶圆的每颗晶粒Die，通过光刻的方式实现图形的转移，使用万用表等量测设备测试串联凸点两端电阻，通过电流电阻计算公式，计算得接触电阻，通过监控接触电阻，来有效及时的监控键合工艺，确保了键合效果的及时反馈，降低因键合不良而未及时识别造成人、机、料、法等各方面的损失。
一种晶圆级键合工艺监控结构方法制备

[实用新型]一种洗胃患者呕吐物收集装置-CN202222469200.4有效
发明人：林琳;葛丽丽;霍瑞霞;于涵桐 -专利权人：北京丰台右安门医院
申请日： 2022-09-19 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： A61G12/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种洗胃患者呕吐物收集装置，属于收集袋技术领域，包括第一袋体，第一袋体内部设有第二袋体，第一袋体顶端固定连接有袋口连接环，袋口连接环内部设有导流板，导流板顶端固定连接有橡胶垫，袋口连接环一侧设有两个弹性挂耳，第一袋体底部设有螺纹挤压套，螺纹挤压套活动套设在螺纹管上，螺纹管底部设有防回流组件。本实用新型通过导流板对未消化物和洗胃液进行导向，使其流入第二袋体内，未消化物和洗胃液通过限位框进入螺纹管内，最后通过水管进入集液袋内，通过设置单向阀，使得未消化物和洗胃液无法通过水管流出集液袋，未消化物和洗胃液不易从袋内流出，不容易造成污染，使用效果好。
一种洗胃患者呕吐物收集装置

[发明专利]一种多芯片桥接集成结构及其组装方法-CN202211058003.1在审
发明人：李宝霞;赵超;张庆学;何亨洋;张辽辽;张宁;胡佳伟;霍瑞霞;南旭惊;武洋 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种多芯片桥接集成结构及其组装方法，集成结构包括若干电路单元，电路单元中的第一芯片通过第一微凸点阵列键合在转接板上，第二芯片转接板连接部的外引脚通过第二微凸点阵列键合在转接板上，第二芯片封装基板连接部的外引脚通过焊柱阵列键合在封装基板上，转接板通过焊球构成的焊球阵列键合在封装基板上，所述第一芯片和第二芯片之间通过第一微凸点、转接板上的金属布线和第二微凸点构成的电互连通路实现，所述转接板上开设有若干导电通道。在芯片结构需要阵列式扩展时，电路单元能够沿横向和/或纵向扩展，转接板的面积不需要成倍的相应扩展，能够提高转接板在工作过程中的可靠性，保证转接板良率，并且降低成本。
一种芯片集成结构及其组装方法

[发明专利]一种降低晶圆级胶键合气泡的深pad晶圆级制备方法-CN202210178297.5在审
发明人： 霍瑞霞;陈雷达;刘建军;陈新鹏;蒲晓龙 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2022-02-24 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种降低晶圆级胶键合气泡的深pad晶圆级制备方法，除采用通过温度控制胶的流速以及涂布合理的胶量来控制Pad气泡的产生，尤其采用晶圆在键合腔室内多次反复预抽真空，完成晶圆排气泡过程，同时结合低温预热的方法使得键合胶在低粘度条件下流速变慢，以降低残胶溢胶风险，且配合低速率阶梯式升温，改变传统的一步升温键合模式，气泡不良率基本得到控制，基本在千分之五左右。
一种降低晶圆级胶键合气泡 pad 晶圆级制备方法

[发明专利]一种硅上凹槽无空洞有机介质填充方法-CN202210182477.0在审
发明人：陈新鹏;李宝霞;刘鹏飞;霍瑞霞 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本发明公开了一种无空洞有机介质填充方法，针对硅晶片重构工艺中埋置芯片和填充凹槽之间形成的高深比窄凹槽结构，首先在硅晶片上制备凹槽结构，去除凹槽表面的化学污渍和颗粒残留，对硅晶片上凹槽结构采用纯氧等离子处理，将增粘剂平铺至凹槽结构表面，采用有机溶剂对凹槽结构表面进行预湿，使有机溶剂吸附在凹槽结构表面上；然后在制备有凹槽结构的硅晶片上旋涂有机介质；最后通过至少两次抽真空排除凹槽结构内的气泡，对有机介质进行固化。通过本方法能够显著的提高填充工艺的均匀性和稳定性，减少硅上凹槽结构内的介质填充空洞工艺风险，显著提高产品的可靠性。
一种凹槽空洞有机介质填充方法

[发明专利]一种晶圆的多层堆叠键合方法-CN202111264686.1在审
发明人：张宁;吴道伟;霍瑞霞 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-10-28 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆的多层堆叠键合方法，属于半导体集成封装技术领域。键合顺序：第一层、第二层晶圆正面工艺‑第一层、第二层晶圆键合‑一侧晶圆减薄及背面工艺‑另一侧晶圆减薄及背面工艺‑第三层晶圆正面工艺及第二层与第三层晶圆键合‑第三层晶圆减薄及背面工艺，为薄晶圆的多层键合提出了解决方案。本发明方法不需要额外增加载片就能进行多层晶圆的键合，根据键合晶圆自身相互的承载作用，逐层增加键合晶圆的层数，规避了因临时键合胶变性难解开而裂片的风险。此外，对比单芯片堆叠，本发明方法显著提高了组装效率，是一种高效的多层晶圆级同质或异质高密度集成方法，应用前景和市场潜力非常广阔，具有重要的战略意义和社会效益。
一种多层堆叠方法

[发明专利]一种晶圆解键合方法-CN202010604859.9有效
发明人：吴道伟;张宁;霍瑞霞;刘建军 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：一种薄晶圆解键合方法，包括以下步骤：步骤一、将硅晶圆外圈发生胶变性或胶溢出的硅刻蚀去除；步骤二、将硅晶圆与载片解键合。步骤一所述的刻蚀去除方法包括在晶圆侧制备掩模层，所述的掩模层材料采用正性或负性光刻胶，通过曝光及显影过程去除硅晶圆边缘的光刻胶；再通过干法刻蚀工艺对硅晶圆的外圈直接进行刻蚀。针对薄晶圆临时键合胶变性以及“胶挤出”问题，本发明采用了一种解键合前处理方法，通过掩模制备、刻蚀去边等前处理工艺将晶圆外圈发生胶变性或胶溢出的硅刻蚀去除，再进行解键合制程，解决了由于临时键合胶变性导致的无法顺利进行解键合的问题，规避了碎片风险。
一种晶圆解键合方法

[实用新型]一种紫外发光二极管-CN201921513420.4有效
发明人： 霍瑞霞;崔志勇;薛建凯;郭凯 -专利权人：北京中科优唯科技有限公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本专利公开了一种紫外发光二极管，其包括：外延结构；微孔结构层，设置在所述外延结构的P型半导体材料侧，所述微孔结构层包括微孔区域和电极匹配区域；所述微孔区域中形成有空心孔洞；所述电极匹配区域与紫外发光二极管芯片的负极电极的形状相匹配，所述电极匹配区域为实心区域；P型欧姆接触层，所述P型欧姆接触层为金属材料层，其一侧形成在所述微孔结构层上。通过上述方案由P型半导体材料层、薄型化微孔结构层、P型欧姆接触层组成全方位反射镜。发光层发出的光经过ODR的反射从N电极发出，利用微孔结构和空气界面的全反射及菲涅耳散射，从而最大化地减少现有技术存在的金属反射镜的金属对紫光的吸收，提高了光的提取效率。
一种紫外发光二极管

[发明专利]一种紫外发光二极管及其制备方法-CN201910858779.3在审
发明人： 霍瑞霞;崔志勇;薛建凯;郭凯 -专利权人：北京中科优唯科技有限公司
申请日： 2019-09-11 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本专利公开了一种紫外发光二极管，其包括：外延结构；微孔结构层，设置在所述外延结构的P型半导体材料侧，所述微孔结构层包括微孔区域和电极匹配区域；所述微孔区域中形成有空心孔洞；所述电极匹配区域与紫外发光二极管芯片的负极电极的形状相匹配，所述电极匹配区域为实心区域；P型欧姆接触层，所述P型欧姆接触层为金属材料层，其一侧形成在所述微孔结构层上。通过上述方案由P型半导体材料层、薄型化微孔结构层、P型欧姆接触层组成全方位反射镜。发光层发出的光经过ODR的反射从N电极发出，利用微孔结构和空气界面的全反射及菲涅耳散射，从而最大化地减少现有技术存在的金属反射镜的金属对紫光的吸收，提高了光的提取效率。
微孔结构层匹配区域电极外延结构微孔紫外发光二极管芯片紫外发光二极管全方位反射镜金属材料层金属反射镜负极电极空心孔洞实心区域提取效率微孔结构薄型化发光层全反射最大化散射紫光反射匹配金属吸收

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