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[发明专利]快恢复二极管的制备方法-CN202310133058.2在审
发明人：李伟聪;陈钱;姜春亮;雷秀芳 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本申请提供一种快恢复二极管的制备方法，包括：提供一第一N型衬底；在第一N型衬底的一侧设置铂材料层，并进行第一次退火处理，去除铂材料层；或者，对第一N型衬底进行电子辐照处理，并进行第二次退火处理；提供一第二N型衬底；将第一N型衬底与第二N型衬底键合；在第一N型衬底远离第二N型衬底的一侧形成阳极，并在第二N型衬底远离第一N型衬底的一侧形成阴极，以提高快恢复二极管的软度。
恢复二极管制备方法

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管及其载流子浓度控制方法-CN202310256833.3有效
发明人：李伟聪;姜春亮;雷秀芳 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本申请公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其载流子浓度控制方法，其中，该绝缘栅双极型晶体管包括基底、绝缘层、金属层、介质层和传感层，该基底内设置有至少两个栅极结构及设置于两个相邻的栅极结构之间的漂移区；绝缘层设置于基底上；金属层设置于绝缘层上；传感层设置于金属层上，传感层包括传输单元和感应单元，传输单元穿过绝缘层和金属层与基底相接，感应单元穿过绝缘层、金属层及部分基底延伸至漂移区内；介质层设置于传感层与金属层及传感层与绝缘层之间。本方案可以降低绝缘栅双极型晶体管的关断损耗。
绝缘栅双极型晶体管及其载流子浓度控制方法

[实用新型]半导体器件-CN202223423034.0有效
发明人：李伟聪;文雨;姜春亮;雷秀芳 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件，该半导体器件包括第一金属区和第二金属区，其中，第一金属区包括主体部和延伸部，延伸部包括至少三条金属走线，至少三条金属走线由主体部向外延伸，至少三条金属走线分别朝至少三个方向延伸；第二金属区包围第一金属区，第二金属区与第一金属区之间具有间距。本方案可以提高元胞区电流分布的均匀性。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN202310075946.3有效
发明人：李伟聪;文雨;姜春亮;雷秀芳 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，公开了一种半导体器件，包括终端区和设于所述终端区内且包含有若干个元胞单元的有源区，所述有源区上平行排布有若干个相互交错的浅沟槽和沟槽深度大于所述浅沟槽的深沟槽，所述浅沟槽和所述深沟槽内设有第一多晶硅层，所述终端区的顶角对称设有朝向所述有源区延展的终端沟槽组，所述终端沟槽组包括内部结构相同的第一终端沟槽、第二终端沟槽和第三终端沟槽，所述第一终端沟槽和所述第二终端沟槽的两端朝向所述有源区弯折有一定角度。本申请改善了晶圆翘曲，提高了芯片性能和良率。
半导体器件

[发明专利]高压碳化硅功率器件终端及其制造方法-CN202310047582.8有效
发明人：李伟聪;陈钱;姜春亮;雷秀芳 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，公开了一种高压碳化硅功率器件终端及其制造方法，包括N型衬底，N型衬底的顶层设有N型漂移区，N型漂移区的顶层设有深沟槽组和浅沟槽组，在N型漂移区内且位于深沟槽组和浅沟槽组的底部，分别设有第一P型埋层和第二P型埋层，P型结终端扩展区设于N型漂移区顶层且位于深沟槽组和浅沟槽组两侧，N型漂移区的顶层设有与P型结终端扩展区连接的P型基区，P型基区上连接有阳极金属，在N型漂移区上设有覆盖P型结终端扩展区、深沟槽组和浅沟槽组的氧化介质层，氧化介质层延展至P型基区并与阳极金属接触。本申请终端结构耐压更高，可减小终端尺寸，降低器件击穿电压对JTE区浓度的敏感程度。
高压碳化硅功率器件终端及其制造方法

[发明专利]快恢复二极管的制备方法-CN202310122538.9在审
发明人：李伟聪;陈钱;姜春亮;雷秀芳 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/263 文献下载
摘要：本申请提供一种快恢复二极管的制备方法，包括：提供一第一N型衬底，在第一N型衬底的一侧形成N型外延层，对N型外延层和第一N型衬底进行第一次电子辐照处理，并进行第一次退火处理；提供一第二N型衬底；对第二N型衬底进行第二次电子辐照处理，并进行第二次退火处理；其中，第一次电子辐照处理的辐照剂量大于第二次电子辐照处理的辐照剂量，将第一N型衬底与第二N型衬底键合；在N型外延层远离第二N型衬底的一侧形成阳极，并在第二N型衬底远离N型外延层的一侧形成阴极，以提高快恢复二极管的软度。
恢复二极管制备方法

[发明专利]绝缘栅双极型晶体管的制作方法及绝缘栅双极型晶体管-CN202211070222.1有效
发明人：李伟聪;文雨;姜春亮;雷秀芳 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本申请公开了一种绝缘栅双极型晶体管的制作方法及绝缘栅双极型晶体管，包括：提供第一导电类型的半导体衬底；在半导体衬底的顶面两侧分别制作第二导电类型的基区，在两个基区分别制作第一导电类型的源区，在半导体衬底的顶面制作第一金属层和第二金属层，在第一金属层和第二金属层的表面制作保护层，其中，保护层包括对应于第一金属层的第一镂空区，第一金属层暴露于第一镂空区的部分构成发射极，在发射极的表面制作支撑层，支撑层与保护层的厚度相等，并且支撑层与保护层之间设有间隙；对半导体衬底的底面进行减薄，并依次制作第一导电类型的缓冲区、第二导电类型的集电区和集电极；去除支撑层。本申请可以提高IGBT的制作良率。
绝缘栅双极型晶体管制作方法

[发明专利]一种绝缘栅双极型晶体管-CN202211029687.2有效
发明人：李伟聪;文雨;姜春亮;雷秀芳 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本申请公开了一种绝缘栅双极型晶体管，包括：基底；第一金属层，设置于基底的上表面；第二金属层，设置于基底的上表面，并与第一金属层间隔设置；第一绝缘层，覆盖第一金属层和第二金属层，第一绝缘层包括对应于第一金属层的第一镂空区以及对应于第二金属层的第二镂空区；第一金属层暴露于第一镂空区的部分构成发射极，第二金属层暴露于第二镂空区的部分构成栅电极；第二绝缘层，设置于发射极的表面，并覆盖发射极的一部分，第二绝缘层与第一绝缘层的厚度相等。通过在发射极的表面设置第二绝缘层，并且第二绝缘层仅覆盖发射极的一部分。当对基底的背面进行减薄时，第二绝缘层可以对悬空的发射极进行支撑，以防止器件变形量过大而破裂。
一种绝缘栅双极型晶体管

[发明专利]碳化硅功率器件终端及其制造方法-CN202310043067.2在审
发明人：李伟聪;陈钱;姜春亮;雷秀芳 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2023-01-29 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，公开了一种碳化硅功率器件终端及其制造方法，包括：N型SiC衬底，形成于N型SiC衬底顶层的N型漂移区，N型漂移区上设有P型基区，在N型漂移区上且位于P型基区的一侧，依次设有深度逐步减小的阶梯沟槽，阶梯沟槽的外表面包裹有第一P型结扩展区，在N型漂移区上，且位于P型基区与阶梯沟槽之间以及第一P型结扩展区的两侧连接有第二P型结扩展区；P型基区上连接有阳极金属，在N型漂移区上且覆盖阶梯沟槽设有氧化介质层，氧化介质层延展至P型基区并与阳极金属接触。本申请有效增加了P型结终端扩展区长度，减小终端尺寸，降低器件击穿电压对JTE区浓度的敏感程度。
碳化硅功率器件终端及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202211498206.2有效
发明人：李伟聪;文雨;姜春亮;雷秀芳 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件及其制造方法，其中，该半导体器件包括基底、金属层和钝化层，金属层设置于基底上，金属层包括间隔设置的第一子金属层和第二子金属层；钝化层覆盖于基底和金属层上，钝化层上具有暴露第一子金属层的第一通孔和暴露第二子金属层的第二通孔，第一通孔和第二通孔的边角处均具有边角切除区域，钝化层包括第一子钝化层和第二子钝化层，第二子钝化层设置于边角切除区域，除第二子钝化层以外的钝化层为第一子钝化层。本方案可以提高半导体器件的可靠性。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]高压快恢复二极管的制备方法-CN202310076206.1在审
发明人：李伟聪;陈钱;姜春亮;雷秀芳 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2023-02-07 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/329 文献下载
摘要：本申请提供一种高压快恢复二极管的制备方法，包括：提供一第一N型衬底，在第一N型衬底的一侧形成N型外延层，在N型外延层远离第一N型衬底的一侧设置第一铂材料层，并进行第一次退火处理，去除第一铂材料层，然后，提供一第二N型衬底，在第二N型衬底的一侧形成第二铂材料层，并进行第二次退火处理；第一次退火处理的温度大于第二次退火处理的温度，第一次退火处理和第二次退火处理的退火温度分别为860至950℃和750至930℃，去除第二铂材料层，将第一N型衬底与第二N型衬底键合；在N型外延层远离第二N型衬底的一侧形成阳极，并在第二N型衬底远离N型外延层的一侧形成阴极，从而提高高压快恢复二极管的软度。
高压恢复二极管制备方法

[发明专利]半导体器件-CN202211626871.5在审
发明人：李伟聪;文雨;姜春亮;雷秀芳 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2022-12-16 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体器件，该半导体器件包括终端区和元胞区，元胞区位于终端区内，元胞区内设置有第一金属区和第二金属区，第一金属区包括主体部和延伸部，延伸部包括至少三条金属走线，至少三条金属走线由主体部向外延伸，至少三条金属走线分别朝至少三个方向延伸，第二金属区包围第一金属区，第二金属区与第一金属区之间具有间距。本方案可以提高元胞区电流分布的均匀性。
半导体器件

[发明专利]一种基于IGBT高温特性的有限元建模方法及系统-CN202211194490.4有效
发明人：李伟聪;姜春亮;雷秀芳 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2022-09-29 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明提供一种基于IGBT高温特性的有限元建模方法及系统，其中，方法包括：构建IGBT的实体模型；对实体模型进行网格划分，获取多个第一有限元单元；定义各个第一有限元单元的发热参数并定义第一有限元单元的第一类温度传递参数，获得初始模型；在初始模型外侧构建多个虚拟的第二有限元单元，获取初始模型的设置环境；基于设置环境，定义第二有限元单元的第二类温度传递参数，获得最终模型。本发明的基于IGBT高温特性的有限元建模方法，实现构建IGBT的用于高温特性分析的有限元模型。
一种基于 igbt 高温特性有限元建模方法系统

[发明专利]一种IGBT故障运行参数的动态模拟方法及系统-CN202211245103.5有效
发明人：李伟聪;姜春亮;雷秀芳 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： G06F30/23 文献下载
摘要：本发明提供一种IGBT故障运行参数的动态模拟方法及系统，其中，方法包括：解析IGBT的有限元模型，确定电能传输网络；解析电能传输网络，确定各个相关的有限元单元；基于有限元单元在电能传输网络中的位置，对有限元单元进行编号，获取各个有限元单元对应的标识编号；获取输入的第一类故障类型；基于第一类故障类型和预设的有限元单元配置库，确定配置参数集；基于配置参数集和标识编号，确定各个有限元单元的配置参数。本发明的IGBT故障运行参数的动态模拟方法，实现模型的故障运行参数的动态模拟。
一种 igbt 故障运行参数动态模拟方法系统

[发明专利]一种反馈式MOSFET沟槽的清洗干燥方法、装置及介质-CN202211142961.7有效
发明人：李伟聪;姜春亮;雷秀芳 -专利权人：深圳市威兆半导体股份有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本申请提供一种反馈式MOSFET沟槽的清洗干燥方法、装置及介质。包括：根据获取的晶圆表面的MOSFET沟槽清洗干燥后的完成状态信息获取清洗干燥后良率并阈值判断，若良率达到预设阈值则对清洗干燥参数进行分析并根据对应调整的清洗干燥参数调整生产效率和/或成本，若良率未达到预设阈值则根据清洗干燥次数做次数阈值对比调整清洗干燥参数进行重新清洗干燥或对MOSFET沟槽的完成状态进行标记，从而实现根据MOSFET沟槽的清洗干燥完成状态信息获得良率计算并基于良率和清洗干燥情况进行阈值判别调整清洗干燥参数以提高晶圆清洗干燥后良率，为提高MOSFET沟槽清洗干燥后的氧化膜厚度质量和器件整体生产良率进行基础提升。
一种反馈 mosfet 沟槽清洗干燥方法装置介质

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