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[发明专利]基板处理装置以及电子零件的制造方法-CN201811362771.X有效
发明人：渡部新;阿部可子 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供基板处理装置以及电子零件的制造方法，在一个腔室内具有多个处理区域的基板处理装置中，用于抑制处理区域间的气氛气体的混合。基板处理装置具有如下构造的腔室，即，该腔室设有对基板进行第一处理的第一区域和对所述基板进行第二处理的第二区域，且所述第一区域与所述第二区域之间在空间上开放，其中，所述腔室具有：第一导入口，向所述第一区域导入在所述第一处理中使用的第一气体；第二导入口，向所述第二区域导入在所述第二处理中使用的第二气体；以及排气口，设置在所述第一区域与所述第二区域的交界部或该交界部的附近。
处理装置以及电子零件制造方法

[发明专利]成膜装置以及电子器件的制造装置-CN202110123215.2有效
发明人：内田敏治;松本行生;阿部可子 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2021-01-29 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C23C14/56 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜装置以及电子器件的制造装置，能够采用一边进行成膜材料的照射和蚀刻一边进行成膜的结构，并且能够提高薄膜的形成位置的精度。成膜装置具备：腔室(10)；通过朝向被保持在腔室(10)内的基板表面放出成膜材料来进行成膜动作的成膜材料放出装置(100)；蚀刻用射束照射装置(200)；以及输送成膜材料放出装置(100)和蚀刻用射束照射装置(200)的输送装置(300)，一边利用输送装置(300)输送成膜材料放出装置(100)和蚀刻用射束照射装置(200)，一边对所述基板同时进行成膜动作和蚀刻动作。
装置以及电子器件制造

[发明专利]基板处理装置以及成膜装置-CN201811273183.9有效
发明人： 阿部可子;渡部新;阿部大和;竹见崇 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供基板处理装置以及成膜装置，在使用了反溅射原理的基板表面处理中，能够对被处理面整个区域进行均匀的处理。该基板处理装置(14)具备：配置有基板(2)并且被导入放电气体的腔室(41)；在腔室内保持基板的基板保持架(42)；在腔室内支承基板保持架的基板保持架支承部(43)；以及将基板保持架作为阴极，且至少将腔室以及基板保持架支承部作为阳极，对基板施加电压的电压施加部件(44)，通过向基板的表面照射离子或电子，进行基板的表面处理，所述离子或电子通过由电压施加部件的电压施加产生的放电而在腔室内产生，其中，基板保持架和基板保持架支承部经由相对于基板保持架以及基板保持架支承部电绝缘的浮动部(50)连结。
处理装置以及

[发明专利]基板处理装置及其控制方法、成膜装置、电子零件的制造方法-CN201811529181.1有效
发明人： 阿部可子;渡部新;阿部大和;竹见崇 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明提供基板处理装置及其控制方法、成膜装置、电子零件的制造方法，能够高效地进行相对于基板的面的表面处理。基板处理装置具有：支承部件，支承基板；第1离子源和第2离子源，以两者之间夹着所述基板的位置关系配置；以及控制部件，进行以下的控制：一边使由所述支承部件支承的一张基板或由所述支承部件以各自的处理面的相反面彼此相向的方式支承的两张基板与所述第1离子源以及第2离子源在沿着基板的面的第1方向上相对地移动，一边相对于所述一张基板的两侧的处理面或所述两张基板的各自的所述处理面，从所述第1离子源以及第2离子源照射离子束。
处理装置及其控制方法电子零件制造

[发明专利]成膜方法及成膜装置-CN202011385928.8在审
发明人：竹见崇;阿部可子 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供在形成有凸部和凹部的基板表面形成薄膜时能够抑制空隙的产生的成膜方法及成膜装置。该成膜方法是对沿着与第一方向交叉的第二方向交替地形成有在所述第一方向上延伸的凸部和在所述第一方向上延伸的凹部的基板(10)进行成膜的成膜方法，包括：一边在所述第二方向上搬送基板(10)一边形成薄膜的工序；一边使形成有所述薄膜的基板(10)在所述第二方向上搬送，一边向基板(10)照射第一蚀刻用射束而进行蚀刻的第一蚀刻工序；以及一边使被所述第一蚀刻用射束照射了的基板(10)在所述第二方向上搬送，一边从与所述第一蚀刻用射束不同的照射方向向基板(10)照射第二蚀刻用射束而进行蚀刻的第二蚀刻工序。
方法装置

[发明专利]成膜装置及方法、掩模的清洁方法及电子器件的制造方法-CN202010303202.9在审
发明人： 阿部可子 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2020-04-17 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提供能够实现生产率的提高的成膜装置及方法、掩模的清洁方法及电子器件的制造方法。成膜装置的特征在于，构成为能够切换第1动作模式和第2动作模式，该第1动作模式为，在使被搬入到真空腔室(200)内的第1基板(10X)与掩模(220)接触的状态下，通过蒸发源(240)在第1基板(10X)上成膜之后，使第1基板(10X)从真空腔室(200)搬出，该第2动作模式为，在使被搬入到真空腔室(200)内的第2基板(10Y)与掩模(220)接触后，不进行基于蒸发源(240)的成膜而将第2基板(10Y)从真空腔室(200)搬出。
装置方法清洁电子器件制造

[发明专利]成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法-CN201811362764.X在审
发明人： 阿部可子;菅原洋纪 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提供能够谋求成膜装置的成膜处理中的生产率提高的成膜装置、成膜方法及电子器件的制造方法。成膜装置具备：被维持成真空的基板搬送室(12)；具有用于搬入及搬出基板(10)的搬入搬出口(22a、22b)的第一真空成膜室(20a、20b)；以及分别具有用于搬入基板(10)的搬入口(32)和用于搬出基板(10)的搬出口(34)的第二真空成膜室(30)，第一真空成膜室(20a、20b)经由搬入搬出口(22a、22b)与基板搬送室(12)之间搬入及搬出基板(10)，第二真空成膜室(30)经由搬入口(32)从基板搬送室(12)搬入基板(10)，且不经由搬入口(10)向所述基板搬送室(12)搬出基板(10)。
搬入基板真空成膜室基板搬送搬出成膜装置搬出口搬入口成膜处理电子器件成膜制造

[发明专利]基板加热装置及成膜装置-CN201811070886.1在审
发明人：渡部新;阿部大和;阿部可子;竹见崇;青沼大介 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及基板加热装置及成膜装置。基板加热装置(120)具备：加热室(12)，所述加热室(12)具有用于取出或放入基板的出入口(110、130)；可动底板(122)，所述可动底板(122)能够在加热室(12)的内部移动，并能够移动到能够从出入口(110、130)相对于加热室(12)取出或放入基板的第一位置和所载置的基板(2)的延伸方向从出入口(110、130)偏离的第二位置；加热器(121)，所述加热器(121)以与载置于可动底板(122)的基板(2)的面相向的方式设置于可动底板(122)；及反射器(123a、123b)，所述反射器(123a、123b)相向配置在加热室(12)的内部，并且在可动底板(122)位于第二位置时与载置于可动底板(122)的基板(2)的端部分别相向。
底板可动加热室基板基板加热装置出入口加热器成膜装置第二位置反射器放入取出第一位置方式设置相向配置移动相向载置偏离延伸

[发明专利]绝缘性树脂基板的清洗方法、基板处理装置及成膜装置-CN201811070905.0在审
发明人： 阿部可子 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明涉及绝缘性树脂基板的清洗方法、基板处理装置及成膜装置。能够得到较高的清洗效果而不损害绝缘性树脂基板的绝缘性。绝缘性树脂基板的清洗方法包括：第一清洗工序，在所述第一清洗工序中，在第一气体的气氛下清洗绝缘性树脂基板的表面；及第二清洗工序，在所述第一清洗工序之后，在所述第二清洗工序中，在第二气体的气氛下清洗所述绝缘性树脂基板的所述表面。在此，所述第一气体是产生物理清洗作用的气体，所述第二气体是产生化学清洗作用的气体。
绝缘性树脂基板清洗工序清洗基板处理装置成膜装置化学清洗清洗效果物理清洗绝缘性损害

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