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[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法-CN201611114628.X有效
发明人：赵宇丹;霍雨佳;肖小阳;王营城;张天夫;金元浩;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管及其制备方法。该薄膜晶体管包括；一基底；一半导体层，所述半导体层设置于所述基底的一表面，且所述半导体层包括多个纳米半导体材料；一源极和一漏极，所述源极和漏极间隔设置于所述基底上，且分别与所述半导体层电连接；一电介质层，所述电介质层设置于所述半导体层远离所述基底的表面，且将所述半导体层、源极和漏极覆盖；一栅极，所述栅极设置于所述电介质层远离所述基底的表面；其中，所述电介质层为采用磁控溅射法制备的氧化物层，且与所述栅极直接接触。本发明的薄膜晶体管具有反常迟滞曲线。
一种薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法-CN201611114618.6有效
发明人：赵宇丹;霍雨佳;肖小阳;王营城;张天夫;金元浩;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管及其制备方法。该薄膜晶体管包括；一基底；一栅极，所述栅极设置于所述基底的一表面；一电介质层，所述电介质层设置于所述基底上且将所述栅极覆盖；一半导体层，所述半导体层设置于所述电介质层远离所述基底的表面，且所述半导体层包括多个纳米半导体材料；一源极和一漏极，所述源极和漏极间隔设置于所述电介质层远离所述基底的一侧，且分别与所述半导体层电连接；其中，所述电介质层为采用磁控溅射法制备的氧化物层，且与所述栅极直接接触。本发明的薄膜晶体管具有反常迟滞曲线。
一种薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]红外光吸收体的制备方法-CN201811638580.1在审
发明人：王营城;黄忠政;金元浩;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： G02B5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种红外光吸收体的制备方法，其中，包括以下步骤：提供一基底，在所述基底上生长一碳纳米管阵列；采用激光束对所述碳纳米管阵列远离基底的表面进行双向扫描处理，且两扫描方向的夹角范围为30°～90°。
红外光吸收体制备方法

[发明专利]红外光吸收体的制备方法-CN201811638594.3在审
发明人：王营城;黄忠政;金元浩;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种红外光谱吸收体的制备方法，其中，包括以下步骤：提供一基底，在所述基底上生长一碳纳米管阵列；对所述碳纳米管阵列远离基底的一侧进行干法刻蚀以截短碳纳米管，使每根碳纳米管剩余的部分的长度基本相同。
红外光吸收体制备方法

[发明专利]红外探测器及红外成像仪-CN201811644183.5在审
发明人：王营城;黄忠政;金元浩;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2018-12-29 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： G01J5/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种红外探测器，其包括：一红外光谱吸收体，用于吸收红外光谱并将红外光谱转化为热量；一热电元件，所述红外光谱吸收体设置在所述热电元件上，与所述热电元件接触设置；一电信号检测器，与所述热电元件电连接并串联形成一回路，用于检测所述热电元件的电学性能的变化；其中，所述红外光谱吸收体包括一碳纳米管阵列，所述碳纳米管阵列包括多个碳纳米管，该多个碳纳米管的高度基本相同，且垂直于所述热电元件的表面。本发明还涉及一种基于该红外探测器的红外成像仪。
红外探测器红外成像

[发明专利]光刻掩模板-CN201611095319.2有效
发明人：陈墨;李群庆;张立辉;金元浩;安东;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2020-06-09 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种光刻掩模板，其包括：一基板；一碳纳米管层，所述碳纳米管层设置于所述第二基板的表面；一图案化铬层，覆盖于所述碳纳米管层远离第二基板的表面，且所述图案化铬层的图案与所述碳纳米管层中碳纳米管的排列图案相同；一遮盖层，所述遮盖层覆盖于所述图案化铬层远离第二基板的表面。本发明还涉及采用光刻掩模板制备微纳米结构的方法以及制备光刻掩模板的方法。
光刻模板

[发明专利]一种用于单分子检测的分子载体的制备方法-CN201610509705.5有效
发明人： 金元浩;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于单分子检测的分子载体的制备方法，该方法包括以下步骤：提供一基板；提供一具有多个微孔的碳纳米管复合结构，该碳纳米管复合结构包括一碳纳米管结构以及一包覆于该碳纳米管结构表面的预制层，且该碳纳米管结构包括多个交叉设置的碳纳米管；将所述碳纳米管复合结构设置于所述基板的表面，从而使的所述基板的表面部分暴露；以该碳纳米管复合结构为掩模干法刻蚀所述基板，从而的到一具有图案化的凸起的基板，且该图案化的凸起包括多个凸条交叉设置形成网状结构，从而定义多个孔洞；以及在所述图案化的凸起上沉积一金属层。本发明的分子载体的制备方法简单、效率高，且易于产业化。
一种用于分子检测载体制备方法

[发明专利]一种单分子检测方法-CN201610512919.8有效
发明人： 金元浩;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-07-01 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明涉及一种单分子检测的方法，包括步骤：提供一分子载体，所述分子载体包括：一基板以及设置于所述基板表面的金属层；所述基板包括一基底以及多个设置于该基底表面的图案化的凸起，所述图案化的凸起包括多个凸条交叉设置形成网状结构，从而定义多个孔洞；所述金属层设置于所述图案化的凸起的表面；在所述金属层远离基板的表面组装待测物分子；利用检测器对组装在分子载体上的所述待测物分子进行检测。本发明的单分子检测的方法具有以下有益效果：金属层设置在图案化的凸起的表面，而图案化的凸起包括多个凸条交叉设置形成网状结构，因此，交叉设置的凸条起到表面增强拉曼散射的作用，可提高SERS增强因子，增强拉曼散射。
一种分子检测方法

[发明专利]薄膜晶体管-CN201710051877.7有效
发明人：赵宇丹;肖小阳;王营城;金元浩;张天夫;李群庆 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2020-03-17 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管，其包括：一栅极、一绝缘介质层及至少一肖特基二极管单元，所述栅极通过绝缘介质层与所述至少一肖特基二极管绝缘设置。所述肖特基二极管包括：一第一电极，该第一电极包括一台阶状结构；一第二电极，该第二电极包括反向台阶状结构；一半导体结构设置在第一电极和第二电极之间，该半导体结构包括一第一端及与第一端相对的第二端以及第一端和第二端之间的中间部，所述台阶状结构和反向台阶状结构位于半导体结构的第一端和第二端之间，所述半导体结构的中间部从所述台阶状结构延伸至所述反向台阶状结构，所述半导体结构为一碳纳米管结构。
薄膜晶体管

[发明专利]微纳米结构的制备方法-CN201611093544.2有效
发明人：陈墨;李群庆;张立辉;金元浩;安东;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种微纳米结构的制备方法，其包括以下步骤：提供一第一基板，所述第一基板的表面上设置有一光刻胶层；将一光刻掩模板覆盖至所述光刻胶层的表面，所述光刻掩模板包括一第二基板和设置于该第二基板的表面上的一复合层；采用紫外光照射所述光刻掩模板，并使得该紫外光穿过所述第二基板及复合层入射至该光刻胶层上，对该光刻胶层进行曝光；从所述光刻胶层的表面上移除所述光刻掩模板，对曝光后的光刻胶层进行显影处理，得到一图案化的光刻胶微纳米结构。
光刻胶层掩模板光刻微纳米结构第二基板第一基板复合层制备紫外光照射显影处理紫外光曝光光刻胶图案化入射上移穿过覆盖

[发明专利]一种单分子检测装置以及单分子检测方法-CN201611001903.7有效
发明人： 金元浩;王营城;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司
申请日： 2016-11-14 - 公布日： 2020-01-07 - 主分类号： G01N21/65 文献下载
摘要：本发明涉及一种单分子检测的装置，其包括；一容器，所述容器包括一入口以及一出口；一分子载体，所述分子载体包括一基板以及设置于所述基板表面的金属层；一检测器；以及一控制电脑；其中，所述基板包括一基底以及多个设置于该基底表面的图案化的凸起，所述图案化的凸起包括多个凸条交叉设置形成网状结构，从而定义多个孔洞；所述金属层设置于所述图案化的凸起的表面。由于金属层设置在图案化的凸起的表面，而图案化的凸起包括多个凸条交叉设置形成网状结构，因此，在外界入射光电磁场的激发下，金属表面等离子体发生共振吸收，而交叉设置的凸条起到表面增强拉曼散射的作用，可提高SERS增强因子，增强拉曼散射。
图案化凸起交叉设置金属层凸条单分子检测网状结构基板表面增强拉曼散射单分子检测装置检测器等离子体发生孔洞分子载体共振吸收基板表面基底表面金属表面控制电脑拉曼散射电磁场入射光基底激发出口

[实用新型]一种非运动式面阵激光雷达-CN201822074839.6有效
发明人：姜波;金元浩;赵忠尧 -专利权人：北京饮冰科技有限公司
申请日： 2018-12-11 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： G01S7/481 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种非运动式面阵激光雷达，所述面阵激光雷达包括：激光器阵列、探测器阵列、激光光路调整装置以及信号光光路调整装置。所述激光器阵列为呈线阵排列，所述激光器阵列沿第一方向设置，所述激光光路调整装置为彼此沿第一方向叠置的多个平面光波导PLC，所述激光光路调整装置设置于所述激光器阵列前方，所述探测器阵列沿第二方向设置，所述信号光光路调整装置为沿第二方向叠置的多个平面光波导PLC，所述第一方向与所述第二方向彼此垂直。
调整装置激光器阵列激光光路激光雷达面阵平面光波导探测器阵列方向设置运动式叠置本实用新型线阵排列激光器垂直

[发明专利]N型薄膜晶体管的制备方法-CN201410849259.3有效
发明人：李关红;李群庆;金元浩;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明涉及一种N型薄膜晶体管的制备方法，其包括：提供一绝缘基底；在所述绝缘基底的表面蒸镀一氧化镁层；对所述氧化镁层进行酸化处理，形成一第一介质层；在所述形成有第一介质层的绝缘基底的表面形成一半导体碳纳米管层，并覆盖所述第一介质层；形成间隔设置的一源极和一漏极分别与所述半导体碳纳米管层电连接；在所述半导体碳纳米管层远离所述绝缘基底的表面形成一第二介质层；以及在所述第二介质层远离所述氧化镁层的表面形成一栅极与所述半导体碳纳米管层绝缘设置。
薄膜晶体管制备方法

[发明专利]显示装置-CN201910001661.9在审
发明人：林亨哲;金元浩;李根洙;李正浩;金羊熙;朴素娟 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-01-02 - 公布日： 2019-07-09 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：提供一种显示装置，所述显示装置包括：显示面板，包括基体基底以及位于基体基底的第一垫部分上的第一垫电极；柔性基底，连接到第一垫部分；以及驱动芯片，电连接到柔性基底。柔性基底包括第一膜层、位于第一膜层上并包括多条布线的第一布线层、位于第一布线层上的第二膜层以及位于第二膜层上并包括多条布线的第二布线层。第二布线层的布线包括第一_第一布线和第一_第二布线，第一_第一布线和第一_第二布线在同一方向上沿同一线延伸并由它们之间的间隙彼此分开。在平面图中，间隙位于基体基底的边缘处。
布线布线层柔性基底显示装置基底第一膜层膜层彼此分开驱动芯片同一方向显示面板边缘处垫电极电连接延伸

[发明专利]柔性有机发光显示装置-CN201811515986.0在审
发明人： 金元浩;金旼柱;吴相宪;李根洙;李正浩 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2018-12-12 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：提供了一种柔性有机发光显示装置，该柔性有机发光显示装置可包括：第一聚合物层；第一透明导电层，在第一聚合物层上方；第一无机层，在第一透明导电层上方；以及多个像素，在第一无机层上，并且每个像素包括有机发光二极管和被构造为驱动有机发光二极管的驱动器。
有机发光显示装置有机发光二极管透明导电层聚合物层无机层像素驱动器驱动