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[发明专利]显示面板及包括该显示面板的显示装置-CN202010196170.7在审
发明人：李正浩;金旼柱;金元浩;李根洙;蔡敬赞 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2020-03-19 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示面板及包括该显示面板的显示装置。显示面板包括：包括第一区域、第二区域以及位于第一区域和第二区域之间的第三区域的基板；包括位于第二区域中的显示元件的显示层；位于第三区域中的第一金属层；位于第一金属层上并包括至少一个接触部分的有机绝缘层；以及位于有机绝缘层上并通过至少一个接触部分接触第一金属层的第二金属层，其中第二金属层具有第一孔，并且有机绝缘层具有对应于第一孔的第二孔或第一凹部，并且位于第二孔或第一凹部中并包括至少一个有机层的一部分的残留层与第一金属层重叠。
显示面板包括显示装置

[发明专利]肖特基二极管、肖特基二极管阵列及肖特基二极管的制备方法-CN201710049200.X有效
发明人：赵宇丹;肖小阳;王营城;金元浩;张天夫;李群庆 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：肖特基二极管、肖特基二极管阵列及肖特基二极管的制备方法，一种肖特基二极管，其包括：一第一电极，该第一电极包括一台阶状结构；一第二电极，该第二电极包括反向台阶状结构；一半导体结构设置在第一电极和第二电极之间，该半导体结构包括一第一端及与第一端相对的第二端以及第一端和第二端之间的中间部，所述台阶状结构和反向台阶状结构位于半导体结构的第一端和第二端之间，所述半导体结构的中间部从所述台阶状结构延伸至所述反向台阶状结构，所述半导体结构为一纳米级半导体结构。
肖特基二极管阵列制备方法

[发明专利]一种逻辑电路-CN201611114619.0有效
发明人：赵宇丹;霍雨佳;肖小阳;王营城;张天夫;金元浩;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一个N型的薄膜晶体管和一个P型的薄膜晶体管；所述N型薄膜晶体管和P型的薄膜晶体管均包括：一基底；一半导体层；一源极和一漏极；一电介质层；所述电介质层为包括层叠设置的第一子电介质层和第二子电介质层；一栅极；所述N型薄膜晶体管和P型的薄膜晶体管的栅极电连接，且所述N型薄膜晶体管和P型的薄膜晶体管的的源极或漏极电连接；其中，所述第一子电介质层为反常迟滞材料层，且与所述栅极直接接触；所述第二子电介质层为正常迟滞材料层，且设置于所述第一子电介质层与半导体层之间。本发明的薄膜晶体管的迟滞曲线明显减小甚至消除；采用减小或消除迟滞曲线的薄膜晶体管制备的逻辑器件具有优异的电学性能。
一种逻辑电路

[发明专利]疏水膜-CN201711436950.9有效
发明人： 金元浩;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： C08J7/06 文献下载
摘要：一种疏水膜，包括一柔性衬底；一疏水层，所述疏水层包括一基底以及设置于该基底表面上的图案化的凸起，所述疏水层设置于所述柔性衬底的表面。
疏水

[发明专利]薄膜晶体管-CN201710051903.6有效
发明人：赵宇丹;肖小阳;王营城;金元浩;张天夫;李群庆 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：薄膜晶体管。一种肖特基二极管，其包括：一绝缘基底及至少一肖特基二极管单元，所述至少一肖特基二极管单元设置在绝缘基底的表面；所述肖特基二极管单元包括一第一电极，一半导体结构及一第二电极；所述第一电极设置在绝缘基底的表面，所述半导体结构包括一第一端及与第一端相对的第二端，所述半导体结构的第一端铺设在第一电极上使第一电极位于半导体结构的第一端和绝缘基底之间，第二端设置在绝缘基底的表面，所述第二电极设置在半导体结构的第二端并使半导体结构的第二端位于第二电极和绝缘基底之间，所述半导体结构为一纳米级半导体结构。
薄膜晶体管

[发明专利]肖特基二极管及肖特基二极管阵列-CN201710045817.4有效
发明人：赵宇丹;肖小阳;王营城;金元浩;张天夫;李群庆 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：一种肖特基二极管，其包括：一绝缘基底及至少一肖特基二极管单元，所述至少一肖特基二极管单元设置在绝缘基底的表面；所述肖特基二极管单元包括一第一电极，一半导体结构及一第二电极；所述第一电极设置在绝缘基底的表面，所述半导体结构包括一第一端及与第一端相对的第二端，所述半导体结构的第一端铺设在第一电极上使第一电极位于半导体结构的第一端和绝缘基底之间，第二端设置在绝缘基底的表面，所述第二电极设置在半导体结构的第二端并使半导体结构的第二端位于第二电极和绝缘基底之间，所述半导体结构为一碳纳米管结构。
肖特基二极管阵列

[发明专利]光刻掩模板-CN201611093543.8有效
发明人：陈墨;李群庆;张立辉;金元浩;安东;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： G03F1/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种光刻掩模板，其包括：一基板；一图案化铬层，所述图案化铬层覆盖于所述基板的表面；一碳纳米管层，所述碳纳米管层设置于所述图案化铬层远离基板的表面，且所述碳纳米管层中碳纳米管的排列图案与所述图案化铬层的图案相同；一遮盖层，所述遮盖层覆盖于所述碳纳米管层远离基板的表面。本发明还涉及采用光刻掩模板制备微纳米结构的方法以及制备光刻掩模板的方法。
光刻模板

[发明专利]疏水膜-CN201711435256.5有效
发明人： 金元浩;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2020-09-25 - 主分类号： C09J7/29 文献下载
摘要：一种疏水膜，包括一柔性衬底，该柔性衬底包括一柔性基底和设置于该柔性基底表面上的图案化的第一凸起；以及一疏水层，所述疏水层设置于该柔性衬底具有图案化的第一凸起的表面。
疏水

[发明专利]肖特基二极管及肖特基二极管阵列-CN201710048147.1有效
发明人：赵宇丹;肖小阳;王营城;金元浩;张天夫;李群庆 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-01-20 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：一种肖特基二极管，其包括：一第一电极，该第一电极包括一第一金属层及一第二金属层，第一金属层和第二金属层层叠设置形成一台阶状结构；一第二电极，该第二电极包括一第三金属层及一第四金属层，第三金属层和第四金属层层叠设置形成一反向台阶状结构；一半导体结构设置在第一电极和第二电极之间，该半导体结构包括一第一端、第二端、以及中间部，所述半导体结构的第一端被第一金属层和第二金属层夹持，所述半导体结构的第二端被第三金属层和第四金属层夹持，所述台阶状结构和反向台阶状结构位于半导体结构的第一端和第二端之间，所述半导体结构的中间部从所述台阶状结构延伸至所述反向台阶状结构，所述半导体结构为一碳纳米管结构。
肖特基二极管阵列

[发明专利]疏水镜子以及使用该疏水镜子的汽车-CN201711435382.0有效
发明人： 金元浩;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： G02B1/18 文献下载
摘要：本发明提供一种疏水镜子，其包括一支撑体、一设置于该支撑体上的镜子本体和一疏水膜，所述疏水膜设置于所述镜子本体的表面，所述疏水膜包括一柔性衬底，该柔性衬底包括一柔性基底以及设置于该柔性基底表面上的图案化的第一凸起；以及一疏水层，所述疏水层设置于该柔性衬底具有图案化的第一凸起的表面。
疏水镜子以及使用汽车

[发明专利]光催化结构及其制备方法-CN201910075219.0在审
发明人：王营城;金元浩;肖小阳;张天夫;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： B01J19/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种光催化结构，该光催化结构包括一基板、一光催化活性层、以及一金属层。所述基板、光催化活性层和金属层依次层叠设置。所述基板包括一基底以及多个设置于该基底上的图案化的凸起。所述图案化的凸起包括多个凸条交叉设置形成网状结构，从而定义多个孔洞。所述多个凸条的交叉处为一体结构。所述光催化活性层设置在图案化的凸起的表面。所述金属层包括多个纳米颗粒，所述纳米颗粒设置在光催化活性层远离所述基板的表面。
光催化结构及其制备方法

[发明专利]一种激光雷达倒车辅助系统及其方法-CN201610270057.2在审
发明人： 金元浩;姜波;赵忠尧 -专利权人： 金元浩;姜波;赵忠尧
申请日： 2016-04-28 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： G01S17/93 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用激光传感器的倒车防撞系统，其特征在于：它包括广角激光传感器，一维转动平台，数据处理模块，根据激光传感器所获取的相对车速、相对障碍物距离信息，可以实现相应的预警和自动辅助驾驶等功能；本发明可以广泛应用于汽车倒车过程中，为驾驶员提供更准确的参考信息。
一种激光雷达倒车辅助系统及其方法

[发明专利]一种基于激光雷达的车载前防撞系统-CN201610270058.7在审
发明人：赵忠尧;姜波;金元浩 -专利权人：赵忠尧;姜波;金元浩
申请日： 2016-04-28 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： B60R21/0134 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用激光雷达的车载前防撞系统，其特征在于：它包括广角激光传感器，一维转动平台，数据处理模块，根据激光传感器所获取的相对车速、相对障碍物距离信息，可以实现相应的预警和自动辅助驾驶等功能；本发明可以广泛应用于汽车的前防撞预警当中，为驾驶员提供更准确的参考信息。
一种基于激光雷达车载前防撞系统

[发明专利]一种采用硅基底生长氮化镓外延的方法-CN201710017094.7有效
发明人： 金元浩;李群庆;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2017-01-10 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用硅基底生长氮化镓外延的方法，该方法包括以下步骤：提供一硅基底；提供一具有多个微孔的碳纳米管结构，且该碳纳米管结构包括多个碳纳米管；将所述碳纳米管结构设置于所述硅基底的一表面，从而使的所述硅基底的表面部分暴露；以该碳纳米管结构为掩模干法刻蚀所述硅基底，从而的到一具有图案化的凸起的硅基底，且该图案化的凸起包括多个凸条；以及以所述具有图案化的凸起的硅基底作为外延生长基底生长氮化镓外延层。
一种采用基底生长氮化外延方法

[发明专利]光刻掩模板-CN201611093541.9有效
发明人：陈墨;李群庆;张立辉;金元浩;安东;范守善 -专利权人：清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司
申请日： 2016-12-01 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： G03F1/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种光刻掩模板，其包括：一基板；一碳纳米管复合结构，设置于所述基板的表面，所述碳纳米管复合结构包括一碳纳米管层及包裹于该碳纳米管层的一金属铬层；一遮盖层，所述遮盖层覆盖于所述碳纳米管复合结构远离基板的表面。本发明还涉及采用光刻掩模板制备微纳米结构的方法以及制备光刻掩模板的方法。
光刻模板