“边历峰”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果25个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]硅基深紫外雪崩光电二极管及其制备方法-CN201910302110.6有效
发明人：赵宇坤;陆书龙;边历峰;邱海兵 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基深紫外雪崩光电二极管及其制备方法，所述的制备方法包括：S1、提供Si衬底；S2、在所述Si衬底上依次叠层生长AlN缓冲层、第一Al1‑mGamN纳米柱、第二Al1‑xGaxN纳米柱、以及第三Al1‑zGazN纳米柱，其中，0≤m≤1，0≤x＜0.8，0≤z＜0.8；根据实际需要，还可以在所述S2步骤之后依次叠层生长第四Al1‑aGaaN纳米柱和第五AlN纳米柱，其中，0≤a＜0.8。本发明提供的雪崩二极管的制备方法，一方面利用AlN纳米柱显著减弱浅紫外光的干扰，提高晶体质量，从而能够提高探测器的准确性与灵敏度；另一方面硅衬底能够简化器件的制作工艺流程，易于后期的集成加工，十分有利于降低成本。
深紫雪崩光电二极管及其制备方法

[发明专利]一种层状复合材料及其制备方法与应用-CN201810700931.0有效
发明人：曾琪;边历峰;任昕;张辉 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： B22F7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种层状复合材料，包括合金层和镍铜合金层，所述合金层和所述镍铜合金层通过压制和烧结工艺冶金结合，所述合金层背离所述镍铜合金层的一侧表面通过渗硼工艺形成渗硼层。本发明还公开了如上所述的层状复合材料的制备方法及其在锅具中的应用。本发明提供的层状复合材料解决了现有复合材料中存在的抗氧性差、脆性大、硬度不高、结合力差等问题。
一种层状复合材料及其制备方法应用

[发明专利]光电探测器及其制作方法-CN202111247579.8在审
发明人：金山;陆书龙;边历峰;李雪飞;杨文献;邱海兵 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2021-10-26 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L31/028 文献下载
摘要：提供了一种光电探测器及其制作方法，所述光电探测器包括由MXene材料层和AlGaN材料层形成的MXene/AlGaN范德瓦尔斯异质结。与传统的异质结相比，MXene材料具有较高的透光率、金属导电性以及可调的功函数，所形成的范德瓦尔斯异质结不受晶格匹配的限制，缺陷极少，能够极大地提升界面质量，因此，基于所述MXene/AlGaN范德瓦尔斯异质结形成的光电探测器，不仅有利于提高光电探测器的光吸收效率和光生电流的传输效率，提高光响应度，还能有效地降低光电探测器的制造成本，为光电探测器的规模化应用提供新的契机。此外，所述光电探测器的制作方法缩减了工艺步骤，制作方法简单。
光电探测器及其制作方法

[发明专利]大面积柔性透明半导体薄膜及其制法和应用-CN202010553969.7在审
发明人：邢志伟;赵宇坤;边历峰;陆书龙 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所南昌研究院
申请日： 2020-06-17 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种大面积柔性透明半导体薄膜及其制法和应用。所述制备方法包括：在衬底上生长形成纳米柱阵列，并使所述纳米柱阵列的顶端生长愈合形成平面，所述纳米柱阵列含有Ⅲ‑Ⅴ族半导体材料；在所述纳米柱阵列表面生长半导体外延结构，所述半导体外延结构包括氮化物层。本发明通过采用纳米柱阵列加快刻蚀以及释放应力，可以更好的避免晶体刻蚀，进而提高所获大面积柔性透明半导体薄膜的晶体质量。
大面积柔性透明半导体薄膜及其制法应用

[发明专利]共振隧穿二极管及其制作方法-CN202010877959.9在审
发明人：周祥鹏;陆书龙;邱海兵;杨文献;李雪飞;边历峰 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L29/96 文献下载
摘要：本发明公开了一种共振隧穿二极管，该共振隧穿二极管包括衬底以及在衬底上形成的功能层，在共振隧穿二极管的彼此相对的两侧分别设有第一磁性部和第二磁性部，第一磁性部和第二磁性部之间形成磁场；其中，磁场的磁场方向与衬底的面向功能层的表面的法线垂直。本发明还公开了一种共振隧穿二极管的制作方法。本发明解决了现有技术中因衬底的位错导致共振隧穿二极管的功能层内也形成有与衬底的位错相应的内部缺陷，从而导致共振隧穿二极管难以实现负阻特性的问题。
共振二极管及其制作方法

[发明专利]一种共振隧穿二极管及其制作方法-CN202010878088.2在审
发明人：邱海兵;杨文献;边历峰;陆书龙;周祥鹏 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2020-08-27 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L29/88 文献下载
摘要：本发明公开了一种共振隧穿二极管，包括衬底以及在衬底上形成的外延部，外延部包括依序层叠在衬底上的第一势垒层、势阱层和第二势垒层，第一势垒层和第二势垒层均由AlN材料制成，势阱层由GaN材料制成。本发明还公开了一种共振隧穿二极管的制作方法。本发明解决了现有的共振隧穿二极管的功率较低的问题。
一种共振二极管及其制作方法

[实用新型]人工光合作用装置-CN201921561442.8有效
发明人：邢志伟;杨文献;黄欣萍;李雪飞;龙军华;边历峰;陆书龙 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： C25B5/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种人工光合作用装置，包括反应槽、光电转换器件、氧化电极、还原电极和蓄电池，氧化电极和还原电极设置于反应槽内，氧化电极电性连接于光电转换器件的正极，还原电极电性连接于光电转换器件的负极，蓄电池的正极分别与氧化电极和光电转换器件的正极，蓄电池的负极分别与还原电极和光电转换器件的负极。本实用新型提高了人工光合作用装置的工作效率。
人工光合作用装置

[实用新型]光合反应装置-CN201920206307.5有效
发明人：邢志伟;杨文献;龙军华;李雪飞;吴渊渊;陆书龙;边历峰 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： B01J19/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种光合反应装置，包括反应槽、质子交换膜、氧化电极、还原电极和导线，质子交换膜设于反应槽内以将反应槽分隔为第一槽和第二槽，氧化电极设于第一槽的底部，还原电极设于第二槽的底部，氧化电极和还原电极通过导线彼此连接，氧化电极包括金属层、光电转换器件和电极反应层，金属层与导线连接，光电转换器件和电极反应层依序叠层于金属层上。本实用新型提高了太阳光的利用率。
氧化电极还原电极金属层光电转换器件本实用新型电极反应层质子交换膜第二槽第一槽反应槽光合反应装置反应槽分隔彼此连接导线连接太阳光叠层

[实用新型]人工光合作用系统-CN201920088811.X有效
发明人：邢志伟;杨文献;龙军华;李雪飞;吴渊渊;陆书龙;边历峰 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2019-01-18 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： C12M1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种人工光合作用系统。所述人工光合作用系统包括相互电连接的光阳极和光阴极，所述光阳极、光阴极分别与第一反应液、第二反应液配合，第一反应液与第二反应液之间经离子交换膜连通，光阳极包括半导体结构及与半导体结构键合的光伏电池单元，光阳极至少能够在第一反应液内促成H₂O的光催化分解，光阴极包括纳米线以及与纳米线接触的生物助催化剂，并且光阴极至少能够在第二反应液内促成CO₂的还原。本实用新型的人工光合作用系统可提高光利用率及载流子传导，进而提高光合作用还原效率；拓宽了半导体材料和生物相结合的光催化领域的应用，可以有效解决常用于光催化的氧化物材料转换效率低和稳定性差的问题。
光阳极光阴极人工光合作用半导体结构本实用新型光催化纳米线光合作用半导体材料光伏电池单元光催化分解离子交换膜氧化物材料载流子传导光利用率还原效率有效解决助催化剂转换效率电连接键合连通还原应用配合

[发明专利]半导体结构及其制备方法-CN201410148441.6有效
发明人：陈俊霞;边历峰;陆书龙 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2014-04-14 - 公布日： 2018-07-03 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构，包括相键合的第一半导体晶片和第二半导体晶片，其中，所述第一半导体晶片和第二半导体晶片之间设有结构层，所述结构层上分布有多个纳米孔。本发明还公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括前述的半导体结构，所述半导体器件为激光器、探测器或太阳能电池。本发明还公开了如前所述的半导体结构的制备方法。本发明通过在键合界面中设置有纳米孔阵列结构层，从而抑制了键合界面光损耗和电损耗，并提高了键合强度。
半导体结构半导体晶片半导体器件键合界面结构层键合制备纳米孔阵列结构太阳能电池激光器电损耗光损耗纳米孔探测器

[发明专利]GaInP/GaAs/InGaAs/Ge四结级联太阳电池及其制作方法-CN201410247480.1有效
发明人：陈俊霞;任昕;边历峰;陆书龙;贾少鹏;王青松;王鑫 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2014-06-05 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本申请公开了一种四结级联太阳电池及其制作方法，将基于倒置结构生长的GaInP/GaAs/InGaAs三结太阳和Ge太阳电池进行单片集成，实现四结带隙能量分别为1.9/1.4/1.0/0.67eV的太阳电池。本发明采用具有特殊结构形态的石墨烯键合面，石墨烯键合面优异的导电性和透光性使其可有效抑制键合界面电损耗和光损耗，其延展性有助于释放应力。因此制备得到的四结单片高效太阳电池可以获得高电压、低电流输出，从而有效降低超高倍聚光太阳电池中的电阻损失，获得较高的转换效率。
gainp gaas ingaas ge 级联太阳电池及其制作方法

[发明专利]全光单片集成光电器件及其制作方法-CN201310676003.2在审
发明人：任昕;陆书龙;边历峰 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2013-12-12 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明提供了一种全光GaN/GaInP/GaAs单片集成器件及其制作方法，所述全光单片集成器件的带隙能量分别为3.5/1.9/1.4ev，在GaAs和GaN之间增加中间层GaInP的带隙为1.9ev波长在红光范围内，所述全光单片集成器件可以吸收利用与其带隙近似的不同能量光谱，分别为蓝光、黄光、红光，从而实现全光范围。
单片集成光电器件及其制作方法

[发明专利]双色光电器件及其制作方法-CN201310675320.2在审
发明人：任昕;陆书龙;边历峰 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2013-12-12 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： H01L33/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种双色光电器件，包括p型GaAs衬底，形成于p型GaAs衬底上的GaInP/AlGaInP有源区量子阱，以及形成于GaInP/AlGaInP有源区量子阱上的n型GaAs接触层，所述双色光电器件为单片集成的单个器件。本发明还公开了一种双色光电器件的制作方法。由于本发明的双色光电器件为单片集成的单个器件，成本低，利于小型化设备的制造。
色光器件及其制作方法

[发明专利]碳纳米管连续生长装置-CN201310398409.9在审
发明人：任昕;边历峰;朱建军 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳纳米管连续生长装置，包括：加热室，具有一加热腔，所述的加热室开设有连通于所述加热腔的通气孔；位于所述加热腔内的基板以及形成于所述基板表面的催化剂薄膜，所述的基板开设有第一通孔，所述的催化剂薄膜包括连通于所述第一通孔的第二通孔；加热装置，对所述的加热腔进行加热。由于多孔基板的多孔和位于其下方的催化剂薄膜的多孔是连通的，反应气体由多孔基板上部通入，经由基板的多孔可以连续流入催化剂薄膜的多孔中，保证了碳纳米管可以不断连续生长。更优地，在改进后的装置中碳纳米管的生长方向变为垂直向下生长，在重力的作用下，生长速度较垂直向上生长时增大，从而达到了连续快速生长的技术效果。
纳米连续生长装置

[发明专利]一种碳纳米管连续生长装置-CN201310398408.4有效
发明人：任昕;边历峰;朱建军 -专利权人：中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
申请日： 2013-09-05 - 公布日： 2015-03-18 - 主分类号： C01B31/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种碳纳米管连续生长装置，包括：加热室，具有一加热腔，所述的加热室开设有连通于所述加热腔的通气孔；位于所述加热腔内的基板以及形成于所述基板表面的催化剂薄膜，所述的催化剂薄膜沿重力方向形成于所述基板的下表面；加热装置，对所述的加热腔进行加热。由于多孔基板的多孔和位于其下方的催化剂薄膜的多孔是连通的，反应气体由多孔基板上部通入，经由基板的多孔可以连续流入催化剂薄膜的多孔中，保证了碳纳米管可以不断连续生长。更优地，在改进后的装置中碳纳米管的生长方向变为垂直向下生长，在重力的作用下，生长速度较垂直向上生长时增大，从而达到了连续快速生长的技术效果。
一种纳米连续生长装置

1
2
下一页»
尾页
共 25 条