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- [发明专利]半导体器件-CN202010106539.0在审
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郑揟珍;赵真英;金锡勋;柳廷昊;李承勋;李始炯
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三星电子株式会社
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2020-02-21
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2020-12-08
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H01L29/78
- 一种半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上的器件隔离层，所述器件隔离层限定第一有源图案；位于所述第一有源图案上的成对的第一源极/漏极图案，所述成对的第一源极/漏极图案在第一方向上彼此间隔开，并且所述成对的第一源极/漏极图案中的每个第一源极/漏极图案在所述第一方向上具有最大第一宽度；位于所述成对的第一源极/漏极图案之间的第一沟道图案；位于所述第一沟道图案上并在与所述第一方向相交的第二方向上延伸的栅电极；以及位于所述第一有源图案中的第一非晶区，所述第一非晶区位于所述成对的第一源极/漏极图案中的至少一个第一源极/漏极图案下方，并且所述第一非晶区在所述第一方向上具有小于所述最大第一宽度的最大第二宽度。
- 半导体器件
- [发明专利]管式热交换器-CN99103114.8无效
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赵真英
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大宇电子株式会社
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1999-03-24
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2000-01-12
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F28D7/00
- 一种通过高温的室内供热水和常温下冷水之间的热交换而获取热水的热交换器。该热交换器包括一室内供热水供水腔,它与一室内供热水供水管相连;一室内供热水出水腔,它与一室内供热水出水管相连;多个室内供热水管道,它们与室内供热水供水腔和室内供热水出水腔相连接;和一热交换腔,它围绕所述室内供热水管道,并与一冷水供水管和热水出水管相连。
- 热交换器
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