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[发明专利]去除方法和处理方法-CN201811574685.5有效
发明人：板谷刚司;石坂忠大;康达巴拉塔皮里;尤凯鸿;朴玩哉 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-12-21 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种去除方法和处理方法。一种去除方法，其是选择性地去除在处理容器内的基板上形成的多个凹部内的多种金属氧化膜的方法，其中，该去除方法包括反复多次进行如下工序的内容：使所述多种金属氧化膜暴露于BCl3气体或导入BCl3气体而生成的等离子体的工序；使BCl3气体的导入停止而进行吹扫的工序；使所述多种金属氧化膜暴露于导入非活性气体而生成的等离子体的工序；以及使非活性气体的导入停止而进行吹扫的工序，在使所述多种金属氧化膜暴露于所述等离子体的工序中，使所述多种金属氧化膜暴露于由单一气体生成的至少1个的不同的等离子体。
去除方法处理

[发明专利]蚀刻方法及蚀刻装置-CN201910309894.5有效
发明人：坂本雅人;石坂忠大;板谷刚司 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明涉及蚀刻方法及蚀刻装置。本发明的课题是提供能够提高异种氧化膜间的蚀刻选择比的技术。本发明的蚀刻方法具备吸附工序和蚀刻工序。在吸附工序中，将包含BCl3气体的处理气体和H2气供给至配置有作为蚀刻对象的被处理体的处理空间，在停止H2气的供给的同时，对处理空间施加规定频率的电力，从而在处理空间产生等离子体，使被处理体吸附基于处理气体的吸附物。在蚀刻工序中，在处理空间产生惰性气体的等离子体而将吸附物活化，从而对被处理体进行蚀刻。
蚀刻方法装置

[发明专利]用于互连的钌金属特征部填充-CN201680040035.5有效
发明人：尤凯鸿;赫里特·J·勒斯因克;考利·瓦吉达;石坂忠大;袴田隆宏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-06-03 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：提供了一种用于至少部分地填充基底中的特征部的方法。该方法包括提供包括特征部的基底，沉积钌(Ru)金属层以至少部分地填充所述特征部，和热处理所述基底以使所述特征部中的Ru金属层回流。
用于互连金属特征填充

[发明专利]处理装置-CN201880074074.6有效
发明人：藤里敏章;石坂忠大;望月隆;鸟屋大辅 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：在未形成等离子体的气氛下对基板进行处理时，能够可靠性较高地对该基板进行吸附，在基板的面内进行均匀性较高的处理。构成具备以下构件的装置：直流电源(35)，其正极侧与静电卡盘(3)的电极(32)和导电构件(4)中的一者连接，负极侧与静电卡盘(3)的电极(32)和导电构件(4)中的另一者连接，用于在处理容器(11)内未形成等离子体的状态下向位于与基板(W)相接的处理位置的导电构件(4)和电极(32)之间施加电压，利用由此产生的静电吸附力使基板(W)吸附于静电卡盘(3)的电介质层(31)；以及处理气体供给部(28)，在使基板(W)吸附于电介质层(31)的状态下，向该基板(W)供给处理气体并进行处理。
处理装置

[发明专利]TiN系膜及其形成方法-CN201711112450.X有效
发明人： 石坂忠大;小泉正树;佐野正树;洪锡亨 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-11-13 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L29/49 文献下载
摘要：本发明提供一种TiN系膜及其形成方法，该TiN系膜即便薄膜化也能够作为阻挡膜保持高阻挡性，或者能够作为栅极金属抑制阈值电压的偏差。TiN系膜(201)由氧含量为50at％以上的TiON膜(202)和TiN膜(203)在基板(200)上交替叠层而成的叠层膜形成。TiON膜(202)和TiN膜(203)通过ALD法成膜。
tin 及其形成方法

[发明专利]硬掩模、基板处理方法以及基板处理装置-CN202010413378.X在审
发明人：守屋刚;石坂忠大;森贞佳纪 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-05-15 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明提供一种硬掩模、基板处理方法以及基板处理装置，该硬掩膜进行了应力调整。所述硬掩模形成于在基板形成的对象膜之上，并且是通过将一个以上的具有第一方向的应力的第一膜和一个以上的具有与所述第一方向相反的第二方向的应力的第二膜交替地层叠而成的硬掩模。
硬掩模处理方法以及装置

[发明专利]DRAM电容器的下部电极及其制造方法-CN201611191916.5有效
发明人： 石坂忠大;小泉正树;佐野正树;洪锡亨 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2019-12-24 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明的课题在于提供一种能够同时达到对于氟酸的耐性高并且对于由氧系气体导致的压力变化小的DRAM电容器的下部电极。其解决方法为，一种在DRAM电容器中设置在电介体膜的下层并且由TiN系材料构成的下部电极204，上述下部电极由具有设置在两个外侧的氧浓度相对低的两层的第一TiON膜241、在它们的内侧各自形成的氧浓度相对高的第二TiON膜242和设置在第二TiON膜242的内侧的成为中心层的TiN膜243的5层的叠层结构而成。
dram 电容器下部电极及其制造方法

[发明专利]TiON膜的成膜方法-CN201610847749.9有效
发明人： 石坂忠大;小泉正树;佐野正树;洪锡亨 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-09-23 - 公布日： 2019-09-27 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明的课题在于，提供一种能够成膜平滑性优越的TiON膜的TiON膜的成膜方法。其解决方法在于，在成膜初期阶段中，将重复含Ti气体和氮化气体的交替供给X1次后、供给氧化剂的循环进行Y1循环，在之后的成膜阶段中，将重复含Ti气体和氮化气体的交替供给X2次后、供给氧化剂的循环进行Y2循环直至成为所要求的膜厚。此时，成膜初期阶段的重复数X1和之后的成膜阶段的重复数X2被设定为X1＞X2。
tion 方法

[发明专利]成膜方法和成膜装置-CN201180027424.1无效
发明人： 石坂忠大;佐久间隆;波多野达夫;横山敦;五味淳;安室千晃;福岛利彦;户岛宏至;川又诚也;水泽宁;加藤多佳良 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2011-09-26 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明提供一种成膜方法，在处理容器内利用等离子体从金属靶产生金属离子，然后通过偏压引入，由此在形成有凹部的被处理体上沉积金属的薄膜，该成膜方法包括：基膜形成工序，从靶生成金属离子，通过偏压将该金属离子引入到被处理体，在凹部内形成基膜；蚀刻工序，在不产生金属离子的状态下，通过偏压将稀有气体电离，并且将生成的离子引入到被处理体，对基膜进行蚀刻；和成膜回流工序，对靶进行等离子体溅射从而生成金属离子，通过偏置电力将该金属离子引入到被处理体，沉积由金属膜构成的主膜，使该主膜加热回流。
方法装置

[发明专利]Cu配线的形成方法-CN201080018603.4无效
发明人：五味淳;水泽宁;波多野达夫;横山敦;石坂忠大;安室千晃;加藤多佳良 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-08-27 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/3205 文献下载
摘要：一种实施有伴随500℃以上的温度的处理的后续工序的Cu配线的形成方法，其具有：在表面具有沟槽和/或孔的基板上的至少沟槽和/或孔的底面和侧面，形成由具有与Cu的晶格面间距的差为10％以内的晶格面间距的金属构成的密接膜的工序；在密接膜上以填埋沟槽和/或孔的方式形成Cu膜的工序；在Cu膜形成后的基板进行350℃以上的退火处理的工序；研磨Cu膜仅使Cu膜的对应于沟槽和/或孔的部分残留的工序；和在研磨后的Cu膜形成盖而成为Cu配线的工序。
cu 形成方法

[发明专利]用于形成钌金属覆盖层的方法-CN200980138541.8有效
发明人：水野茂;弗兰克·M·切里奥;石坂忠大 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2009-09-29 - 公布日： 2011-08-24 - 主分类号： H01L21/44 文献下载
摘要：本发明提供了用于将钌(Ru)金属沉积结合于半导体器件制造中以改善铜(Cu)金属中的电迁移和应力迁移的方法。本发明的实施例包括用NHx(x≤3)自由基和H自由基处理包括金属层和低k电介质材料的图案化衬底，以提高Ru金属层在金属层上相对于在低k电介质材料上的选择沉积。
用于形成金属覆盖层方法

[发明专利]膜前驱体蒸发系统和使用方法-CN200780005070.4有效
发明人：铃木健二;以马利·P·盖德帝;格利特·J·莱乌辛克;原正道;黑岩大祐;石坂忠大 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2007-01-16 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： C23C16/448 文献下载
摘要：本发明描述了与高传导率蒸汽传输系统(40)相耦合的多盘膜前驱体蒸发系统(1)，其用于通过增大膜前驱体的暴露表面积来增大沉积速率。多盘膜前驱体蒸发系统(50)包括一个或多个盘(340)。每个盘被配置为支撑并保持例如固态粉末形式或固态片形式的膜前驱体(350)。另外，每个盘被配置为在加热膜前驱体的同时提供膜前驱体上方的载气的高传导率流动。例如，载气在膜前驱体上方向内流动，并且竖直地向上经过可堆叠盘内的流动通道(318)，并经过固态前驱体蒸发系统中的出口(322)。
前驱蒸发系统使用方法

[发明专利]用于热增强和等离子体增强气相沉积的装置及操作方法-CN200610168334.5有效
发明人：李一成;石坂忠大;山本薰;五味淳;原正道;藤里敏章;雅克·法盖特;水泽宁 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-12-18 - 公布日： 2008-06-25 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：本发明公开了在衬底上进行气相沉积的方法、计算机可读介质以及系统：将衬底布置在处理系统的处理空间中，处理空间与处理系统的传递空间真空隔离；在处理空间中的第一位置或第二位置对衬底进行处理，同时保持与传递空间的真空隔离；在第一位置或第二位置在所述衬底上沉积材料。同样，该系统包括第一组件，第一组件设置有便于材料沉积的处理空间；第二组件，连接到第一组件并具有便于将衬底传递进出沉积系统的传递空间；衬底载台，连接到第二组件并设置为支撑衬底以及将衬底在传递空间中的第一位置到处理空间中的第二位置之间进行平移。该系统包括密封组件，密封组件设置为在衬底在处理空间中平移的过程中阻挡气体在处理空间与传递空间之间的流动。
用于增强等离子体沉积装置操作方法

[发明专利]用于检测元数据的篡改的方法和装置-CN200680013795.3有效
发明人：佐伯圭子;二上元政;石坂忠大 -专利权人：索尼电子有限公司;索尼株式会社
申请日： 2006-04-25 - 公布日： 2008-04-16 - 主分类号： G06F17/30 文献下载
摘要：本发明公开了用于处理文件(包括媒体文件)中的元数据以使得对元数据的修改或篡改可以被检测到的方法和系统(以及相关的数据结构)。根据某些实施例，元数据包括由内容服务器生成的散列值和数字签名。这些散列值和数字签名可被客户端设备用来认证元数据。
用于检测数据篡改方法装置

[发明专利]等离子体增强原子层沉积系统和方法-CN200680009167.8有效
发明人： 石坂忠大;柳本熏 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2006-03-15 - 公布日： 2008-03-19 - 主分类号： H01L21/44 文献下载
摘要：一种用于利用等离子体增强原子层沉积(PEALD)工艺在衬底上沉积膜的方法包括将衬底放置在被配置为促进PEALD工艺的工艺室中。向工艺室中引入第一处理材料，并且向工艺室中引入第二处理材料。在第二处理材料的引入期间高于600W的电磁功率被耦合到工艺室，以生成加速在衬底表面处的第一和第二处理材料之间的还原反应的等离子体。通过交替引入第一处理材料和第二处理材料在衬底上形成膜。
等离子体增强原子沉积系统方法

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