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[发明专利]反应腔室的下电极机构及反应腔室-CN201710465809.5有效
发明人：黄亚辉;李一成;韦刚;高志民 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2022-09-16 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种反应腔室的下电极机构及反应腔室，其包括用于承载被加工工件的基座以及采用绝缘材料制作的转接盘，该转接盘设置在基座的底部，且在转接盘中设置有多条走线通道，多条走线通道的输入端汇聚至转接盘的底面中心位置处，多条走线通道的输出端分散布置在转接盘的顶面，且与基座中的不同功能的导电部件接口的位置一一对应。本发明提供的反应腔室的下电极机构，其不仅可以提高不同功能的导电部件的走线一致性，从而可以提高不同腔室中的基座对地电容的一致性，而且还可以避免生成偏斜的电磁场，从而可以提高工艺均匀性。
反应电极机构

[发明专利]静电卡盘和工艺腔室-CN201810579971.4有效
发明人：郭士选;李一成 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-06-07 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明公开了一种静电卡盘和工艺腔室，静电卡盘包括基座、接口盘和支撑组件；基座包括相对设置的第一表面和第二表面，第一表面用于承载晶圆，第二表面连接接口盘；支撑组件包括相连接的顶针结构和驱动结构，顶针结构可移动地穿设在基座中，至少部分驱动结构固定在接口盘中；接口盘通过电荷释放组件选择性地与接地端电连接，当顶针结构升起并与晶圆接触时，接口盘能够将晶圆和基座上的残余电荷释放到接地端。本发明的静电卡盘，当晶圆经吸附‑释放工艺后，即便晶圆和基座存在残余电荷，当顶针结构与晶圆接触时，仍然可以将该部分残余电荷传递至接地端，可以将晶圆和基座的残余电荷接地消除，避免晶圆发生粘片现象。
静电卡盘工艺

[发明专利]等离子体加工设备-CN201710131459.9有效
发明人： 李一成;侯文潭 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体加工设备，包括反应腔室、基座、线圈和射频电源，线圈位于反应腔室的顶壁上方，射频电源用于通过线圈激发反应腔室内的气体形成等离子体；基座位于反应腔室内，基座用于支撑衬底并向衬底加载射频偏压；反应腔室的侧壁上设有进气口；等离子体加工设备还包括气路组件和喷嘴组件，气路组件设置在进气口中形成非直线气路，喷嘴组件包括喷嘴，喷嘴设置在进气口中，喷嘴内设有喷嘴气路，喷嘴气路包括第一气孔和第二气孔，第二气孔的直径小于第一气孔的直径，用于减少等离子体进入喷嘴气路中的数量。本发明提供的等离子体加工设备不容易出现气体放电打火问题。
等离子体加工设备

[发明专利]工件的加工方法和工艺腔室-CN201710963394.4有效
发明人：黄亚辉;李一成;刘建;曹永友 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-10-17 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种工件的加工方法和工艺腔室。所述方法包括：提供工件的毛坯；对所述毛坯进行粗加工处理，获得初步半成品；精加工处理所述初步半成品的表面，获得中间半成品，其中，所述中间半成品的表面粗糙度值Ra11.6；对所述中间半成品的表面进行预定处理，获得所述工件，其中，所述工件的表面粗糙度值符合预设粗糙度值。在应用该工件的加工方法所形成的工件的工艺腔室结构中，其可以有效减少晶圆表面所产生的颗粒杂质，提高晶圆的加工良率，降低制作成本，提高经济效益。
工件加工方法工艺

[发明专利]中转腔室及半导体加工设备-CN201711204368.X有效
发明人：黄亚辉;李一成;高志民;茅兴飞 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-11-27 - 公布日： 2021-09-17 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明提供一种中转腔室及半导体加工设备，该中转腔室包括腔体、加热装置和排风装置，其中，在腔体内设置有承载装置，用于承载被加工工件；加热装置用于对被加工工件进行加热，以使被加工工件表面的残留气体挥发；排风装置用于排出腔体内的气体。本发明提供的中转腔室，其可以避免被加工工件表面的残留气体腐蚀前端腔室，从而可以提高前端腔室内部零部件的寿命，减少设备运行维护成本。
中转半导体加工设备

[发明专利]进气管路及半导体加工设备-CN201710524031.0有效
发明人：刘建;张宇;李一成 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： F17D1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种进气管路及半导体加工设备，其包括主路管道和与之连接的第一支路管道，该第一支路管道用于传输高沸点气体，在主路管道的内壁上，且位于与第一支路管道的交汇处设置有混气结构，用以减小主路管道在所述交汇处的横截面积。本发明提供的进气管路，通过借助混气结构减小主路管道在交汇处的横截面积，可以降低该交汇处的气体压力，有利于后续气体的流出和气体流量的稳定，从而可以提高高沸点气体的流量稳定性。
管路半导体加工设备

[发明专利]一种晶片支撑结构、预热腔室和半导体处理设备-CN201710610276.5有效
发明人： 李一成;郭士选;聂淼 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-07-25 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片支撑结构、预热腔室和半导体处理设备，通过在预热腔室内设置晶片支撑结构，晶片支撑结构包括至少一个第一支撑架和一个第二支撑架，其中第一支撑架设置在第二支撑架正上方，且第一支撑架的边缘与第二支撑架的边缘接触，不同的晶片分别放置在第一支撑架和第二支撑架的上表面，由于第一支撑架和第二支撑架的外轮廓的形状与预热腔室内周壁的形状相同，可实现晶片与第一支撑架和第二支撑架的接触面积均较大，晶片升温速度较快，提高热传导效率和预热效率。
一种晶片支撑结构预热半导体处理设备

[发明专利]卡盘装置以及半导体加工设备-CN201710117073.2有效
发明人： 李一成;彭宇霖;曹永友 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-03-01 - 公布日： 2021-03-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供的卡盘装置以及半导体加工设备，其包括基座、基环、聚焦环和热边缘环，基座包括用于承载晶片的承载面；基环环绕设置在基座的侧壁上；聚集环设置在基环上；热边缘环设置在基环与基座之间，且靠近承载面的边缘处；并且，热边缘环包括金属本体，以及包覆所述金属本体的外表面的绝缘层。本发明提供的卡盘装置，其可以在改善在晶圆边缘区域的温度分布不均匀和电场陡峭的前提下，减少晶片的金属污染和颗粒污染。
卡盘装置以及半导体加工设备

[发明专利]反应腔室及半导体加工设备-CN201710934610.2有效
发明人：王伟;李一成 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-10-10 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种反应腔室及半导体加工设备，其包括腔体、介质窗、用于将介质窗固定在腔体顶部的支撑件，以及用于向腔体内部输送气体的进气机构，该进气机构包括设置在支撑件中的进气通道；该进气机构还包括第一管路和第二管路，其中，第一管路设置在腔体上，且与进气通道一端可拆卸的密封连接，该第一管路用于通过进气通道向第二管路输送气体；第二管路设置在支撑件上，且与进气通道另一端固定密封连接，该第二管路用于将气体输送至腔体内。本发明提供的反应腔室，其不仅可以简化开腔维护流程，降低维护成本，而且可以减少反应副产物在进气管路中的沉积，减少金属污染，从而可以保证工艺结果和产品良率。
反应半导体加工设备

[发明专利]一种反应腔室-CN201710257592.9有效
发明人： 李一成;彭宇霖;王雅菊 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-04-19 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种反应腔室。该反应腔室，所述反应腔室内部设置有基座，所述反应腔室上部设置有内衬，还包括与所述内衬连接的内衬下接地机构，所述内衬下接地机构包括上连接块、下连接块和中间结构，所述中间结构包括位于所述上连接块和所述下连接块之间、且相对所述上连接块与所述下连接块的中轴线对称设置的两条连接条，每一所述连接条包括至少一个弯曲件；所述上连接块的端面连接所述内衬的底部，所述下连接块的端面连接所述基座的接地部分。该反应腔室内衬电压分布均匀，射频回路稳定，不容易产生溅射；并且，安装过程中接地块能够产生弹性变形，吸收O型密封圈变形量以及其他加工、安装误差，从而保证内衬不变形。
一种反应

[发明专利]反应腔室-CN201710218945.4有效
发明人：黄亚辉;李一成;刘建 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-04-05 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种反应腔室，其包括腔体、调整支架、介质窗、上保护环和下保护环，其中，在调整支架的上表面与介质窗的下表面之间具有第一间隙，且在第一间隙中设置有第一密封圈；在调整支架的下表面与腔体的上表面之间具有第二间隙，且在第二间隙中设置有第二密封圈。上保护环安装在调整支架内侧，且在上保护环与介质窗相对的两个表面之间形成第三间隙，用以延长第一间隙与腔体的内部空间之间的距离；下保护环安装在腔体的内侧，且在下保护环与调整支架相对的两个表面之间形成第四间隙，用以延长第二间隙与腔体的内部空间之间的距离。本发明提供的反应腔室，其不仅可以降低产生金属污染的风险，而且可以避免密封圈直接暴露在等离子体环境中。
反应

[发明专利]反应腔室部件结构及其制备方法、反应腔室-CN201810190001.5在审
发明人： 李一成;彭宇霖;曹永友 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-03-08 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种反应腔室部件结构，包括部件本体和氧化膜层，其中，部件本体采用5系铝合金材料制成；氧化膜层通过部件本体氧化形成。本发明还提供反应腔室部件结构的制备方法及反应腔室。本发明可提高反应腔室部件的抗腐蚀性，从而可以提高反应腔室的使用寿命。
反应腔室部件部件本体反应腔室氧化膜层制备铝合金材料使用寿命

[发明专利]反应腔室的下电极机构及反应腔室-CN201710464985.7有效
发明人：黄亚辉;韦刚;李一成;茅兴飞 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2017-06-19 - 公布日： 2019-05-31 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供的反应腔室的下电极机构及反应腔室，其包括用于承载被加工工件的基座，以及设置在基座下方的下电极腔，该下电极腔包括相互隔离的电磁屏蔽空间和非电磁屏蔽空间，二者分别通过贯穿下电极腔的腔体与反应腔室的侧壁的第一引入通道和第二引入通道与外界连通；以防止电磁屏蔽空间内的第一部件受到来自非电磁屏蔽空间内的第二部件的干扰。本发明提供的下电极机构，其不仅可以避免因射频干扰导致的电场均匀性受到影响，而且还可以减少射频泄漏。
反应电极机构

[实用新型]反应腔室部件结构及反应腔室-CN201820317132.0有效
发明人： 李一成;彭宇霖;曹永友 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-03-08 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本实用新型提供一种反应腔室部件结构，包括部件本体和氧化膜层，其中，部件本体采用5系铝合金材料制成；氧化膜层通过部件本体氧化形成。本实用新型还提供反应腔室。本实用新型可提高反应腔室部件的抗腐蚀性，从而可以提高反应腔室的使用寿命。
反应腔室部件本实用新型部件本体反应腔室氧化膜层铝合金材料使用寿命

[实用新型]反应腔室用观察窗组件及反应腔室-CN201820606095.5有效
发明人： 李一成;茅兴飞 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： G01N21/01 文献下载
摘要：一种反应腔室用观察窗组件和反应腔室，反应腔室用观察窗组件包括：主观察窗，包括相对设置的安装表面和观察表面；套筒，套筒设于主观察窗的安装表面，且套筒的轴向垂直于安装表面；次观察窗，次观察窗设于套筒的内部空间中，沿着套筒的轴向将套筒的内部空间分隔为相互隔离的第一空间和第二空间，第二空间靠近安装表面。该反应腔室用观察窗组件能够有效防止等离子体轰击主观察窗，对主观察窗起到保护作用，更换时，只需整体取出套筒，更换次观察窗即可，无需更换主观察窗，操作方便，也不会引起由于拆卸主观察窗而导致的密封性降低或者需要重新进行密封的问题。
套筒反应腔室主观察窗观察窗组件安装表面观察窗第二空间等离子体轰击第一空间观察表面相对设置轴向垂直密封性分隔轴向拆卸密封取出隔离

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