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- [发明专利]载置单元和处理装置-CN201910874896.9有效
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佐藤耕一;藤里敏章;鸟屋大辅
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东京毅力科创株式会社
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2019-09-17
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2023-09-29
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H01L21/67
- 本发明提供减少微粒的载置单元和处理装置。载置单元包括：载物台，其载置基板；支承构件，其自载置基板的载置面的背面侧支承载物台；调温构件，其能够调整温度，具有自下表面固定载物台的板部、自板部向下方延伸的轴部以及自板部贯穿轴部且收容支承构件的孔部；隔热构件，其配置于载物台与调温构件之间；以及抵接构件，其与载置于载物台的基板抵接，载物台具有：气体流路，其具有喷出气体的至少一个开口部；载置凹部，其收容并载置基板；以及至少一个深掘部，其形成于比载置凹部靠外周侧的位置，与载置凹部连通，自开口部喷出的气体穿过在基板的侧面和深掘部的侧面之间形成的空间，气体在载物台与抵接构件之间的空间内向半径外侧流动。
- 单元处理装置
- [发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN201910410303.3有效
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望月隆;藤里敏章
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东京毅力科创株式会社
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2019-05-16
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2023-06-13
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H01L21/02
- 本发明提供基板处理方法和基板处理装置。本公开的基板处理方法包括以下工序：第一处理工序，将基板载置台调温至第一温度来对基板进行处理；以及第二处理工序，将所述基板载置台调温至比所述第一温度高的第二温度来对所述基板进行处理，其中，在将所述基板载置台从所述第一温度向所述第二温度进行调温时，使维持所述冷却器的设定温度的第一流量的所述制冷剂从所述冷却器向所述制冷剂流路流通，并且使所述加热器工作，在将所述基板载置台从所述第二温度向所述第一温度进行调温时，使流量比所述第一流量多的第二流量的所述制冷剂从所述冷却器向所述制冷剂流路流通，并且使所述加热器工作、或者使所述加热器停止工作。
- 处理方法装置
- [发明专利]处理装置-CN201880074074.6有效
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藤里敏章;石坂忠大;望月隆;鸟屋大辅
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东京毅力科创株式会社
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2018-10-12
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2022-05-27
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C23C16/458
- 在未形成等离子体的气氛下对基板进行处理时，能够可靠性较高地对该基板进行吸附，在基板的面内进行均匀性较高的处理。构成具备以下构件的装置：直流电源(35)，其正极侧与静电卡盘(3)的电极(32)和导电构件(4)中的一者连接，负极侧与静电卡盘(3)的电极(32)和导电构件(4)中的另一者连接，用于在处理容器(11)内未形成等离子体的状态下向位于与基板(W)相接的处理位置的导电构件(4)和电极(32)之间施加电压，利用由此产生的静电吸附力使基板(W)吸附于静电卡盘(3)的电介质层(31)；以及处理气体供给部(28)，在使基板(W)吸附于电介质层(31)的状态下，向该基板(W)供给处理气体并进行处理。
- 处理装置
- [发明专利]基板处理装置的控制方法和基板处理装置-CN202010078725.8在审
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鸟屋大辅;古屋雄一;藤里敏章
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东京毅力科创株式会社
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2020-02-03
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2020-08-07
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H01L21/67
- 本发明提供一种恰当地控制传热气体的供给的基板处理装置的控制方法和基板处理装置。具备用于在主体容器内载置基板的载置台、环状构件、气体导入部、排气部、以及向背面空间供给传热气体或将传热气体排出的传热气体供给排气部的基板处理装置的控制方法包括以下工序：将基板载置于载置台，将环状构件载置于基板进行按压；在传热气体供给排气部中，准备向背面空间供给的传热气体的压力；从传热气体供给排气部向背面空间供给传热气体；从气体导入部向主体容器内导入气体来对基板实施处理；第一排气工序，经由节流孔从背面空间排出传热气体；以及第二排气工序，在第一排气工序之后，从背面空间排出传热气体；以及从基板拆卸环状构件。
- 处理装置控制方法
- [发明专利]基板保持机构和成膜装置-CN201911173253.8在审
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藤里敏章;望月隆;鸟屋大辅;铃木公贵;鲁和俊
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东京毅力科创株式会社
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2019-11-26
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2020-06-02
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C23C16/458
- 本发明提供基板保持机构和成膜装置。该基板保持机构能够在利用等离子CVD或等离子ALD成膜导电性膜时静电吸附被处理基板，该成膜装置使用了该基板保持机构。基板保持机构包括：载物台，其由电介质构成，用于支承被处理基板；吸附电极，其设于载物台内；以及加热器，其加热载物台，利用约翰逊·拉别克力将被处理基板静电吸附于载物台的表面，载物台具有：密合区域，其呈环状，位于载物台的表面的与被处理基板的外周相对应的位置，与被处理基板密合，而具有阻止用于成膜导电性膜的原料气体迂回到所述被处理基板的背面侧的功能；以及槽部，其呈环状设于载物台的表面的比密合区域靠外侧的部分，能够累积由原料气体生成的导电性沉积膜。
- 保持机构装置
- [发明专利]载置台构造以及等离子体成膜装置-CN201080018904.7无效
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藤里敏章;林志郎;横原宏行
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东京毅力科创株式会社
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2010-09-21
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2012-04-11
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C23C14/34
- 本发明提供一种载置台构造，其载置用于通过等离子体溅射形成金属膜的被处理体，并且外周侧隔着绝缘用的间隙被与接地侧连接的保护罩部件包围。本发明的载置台构造包括：由导电性材料构成，将上述被处理体载置于其上表面一侧且兼用作电极的载置台主体；离开上述载置台主体的下方配置且相对上述载置台主体以绝缘状态设置的由导电性材料构成的基台；支承上述基台且与接地侧连接的支柱；与上述载置台主体连接且供给偏压用的高频电力的高频供电线；和在施加有高频电力的热侧与接地侧之间形成的功率稳定用电容器部。上述功率稳定用电容器部的静电电容被设定为大于在上述载置台主体与上述保护罩部件之间形成的杂散电容的静电电容。
- 载置台构造以及等离子体装置
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