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[发明专利]处理外延片的方法和装置以及检测外延片的方法-CN202210138588.1在审
发明人：王晓;于源源;温雅楠;汪军 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2022-02-15 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本申请的实施例提供处理外延片的方法和装置以及检测外延片的方法。该外延片包括衬底和外延层。该方法包括：在第一工艺下，对外延片衬底进行退火达第一时间，以控制该衬底的体微缺陷密度。方法还包括：在第二工艺下，使衬底生长外延层，第二工艺的温度高于第一工艺的温度。此外，处理外延片的另一种方法包括：在第一时间内对该外延片进行退火，退火的温度为第一温度，在第二时间内对该外延片进行退火，退火的温度为高于该第一温度的第二温度，第一温度、第二温度、第一时间和第二时间基于调节函数来确定，该调节函数指示退火的该温度和时间的关联性。利用本申请的实施例，可以调节体微缺陷密度和均匀性。
处理外延方法装置以及检测

[发明专利]一种基于温度与偏压闭环反馈的APD灵敏度控制装置-CN202210981512.5有效
发明人：郑岩;王立;朱飞虎;张运方;郭绍刚;华宝成;王晓磊;胡彦旭;温雅楠;陈志玲 -专利权人：北京控制工程研究所
申请日： 2022-08-15 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于温度与偏压闭环反馈的APD灵敏度控制装置，包括电源、限流电阻、采样电阻、采样放大电路、比较电路、定时电路、开关管、反向偏置电容以及温控电路。其中电源、限流电阻、采样电阻、采样电路、比较电路、定时电路、开关管、反向偏置电容组成偏压控制限流保护模块，确保APD偏置电压随杂光无变化、无过流损坏且保持高灵敏度；温控电路基于自适应闭环控制技术，结合软启动及驱动限流设计，实现APD结温的精确恒定控制，保证复杂环境条件下，APD高灵敏度、高精度探测。
一种基于温度偏压闭环反馈 apd 灵敏度控制装置

[发明专利]一种基于GPU混合精度加速均匀网格Stencil计算方法及系统-CN202211230414.4在审
发明人：杨海龙;温雅楠;刘笑妍;李云春 -专利权人：北京航空航天大学
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： G06T1/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于GPU混合精度加速均匀网格Stencil计算方法及系统，其方法包括：S1：将计算区域划分为矩形块，初始化每个矩形块对应的高、低精度数据矩阵；S2：启动精度检测器提取矩形块的特征值，当特征值大于等于阈值时，将其设为高精度块，反之设为低精度块；S3：根据矩形块边界点精度与其邻居点的位置和精度进行精度转换；S4：对矩形块中所有点使用该矩形块精度类型进行计算；S5：检查迭代次数是否达到预设次数，如果是，则程序结束，否则，检查是否达到精度检测器检测周期，如果是，将每个矩形块的计算结果同步到高和低精度数据矩阵中，并转至S2；否则转至S3。本发明提供了一种基于分块且能自适应调整精度加速均匀网格Stencil的计算方法。
一种基于 gpu 混合精度加速均匀网格 stencil 计算方法系统

[发明专利]晶棒生长控制方法以及控制系统-CN202010107769.9有效
发明人： 温雅楠;金光勲 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2020-02-21 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： C30B15/20 文献下载
摘要：本发明提供一种晶棒生长控制方法以及控制系统，所述晶棒生长温度优化方法至少包括：设定目标晶棒直径、目标提拉速度以及目标生长温度；检测实际晶棒直径并根据所述实际晶棒直径调整提拉速度，形成实际提拉速度，并将所述实际提拉速度与所述目标提拉速度进行比较；当所述实际提拉速度与所述目标提拉速度的差值超出偏差范围时，对目标生长温度进行调整，形成新目标生长温度；重复以上步骤，直至完成晶棒生长。本发明通过在晶棒生长过程中对晶体生长温度的实时校正，减小实际生长温度与目标温度之间的差距，实现晶体生长过程中的精细化控制，有助于提高晶体生长质量以及产量。
生长控制方法以及控制系统

[实用新型]单晶炉导流筒及单晶炉-CN202121904826.2有效
发明人： 温雅楠;金光勳 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种单晶炉导流筒及单晶炉，所述单晶炉导流筒包括外热屏及套装于所述外热屏内的内热屏，所述外热屏和所述内热屏均呈环状结构，且外热屏和内热屏靠近晶棒的一侧分别设置有导通方向平行的第一排气孔和第二排气孔，所述第一排气孔和所述第二排气孔相对旋转，以调节第一排气孔和第二排气孔相对位置，改变气体的流速。本实用新型通过调节第一排气孔和第二排气孔的相对位置改变气体流速，从而调整晶棒的晶体氧含量。此外，第一排气孔和第二排气孔导通时单晶炉内的气体流动由单方向改变为两个方向，降低了气体对熔体表面温度的影响，减小了生长界面处熔体的温度波动，从而提高单晶成晶率，改善单晶径向电阻率的均匀性。
单晶炉导流

[发明专利]一种适用于深空探测彩色相机图像传感器筛选测试方法及装置-CN202111116409.6在审
发明人：曹中祥;梁潇;王立;陈建新;李志平;郑岩;吕伟振;宋玉志;李全良;李丹凤;张琳;温雅楠 -专利权人：北京控制工程研究所
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H04N17/00 文献下载
摘要：本发明一种适用于深空探测彩色相机图像传感器筛选测试方法及装置，针对深空探测彩色相机应用需要的各颜色通道在各个温度下的准确定量测试，以及大批量快捷测试，采用基于温控暗室、电机可控RGBD滤光片及自动曝光方式的光电参数测试，包括积分球，温控暗室，暗室具有玻璃开窗，玻璃开窗后为RGBD滤光片，待测试芯片与积分球、玻璃开窗及滤光片处于同轴放置，待测待测试芯片安装在芯片测试底板，暗室内电机及芯片测试底板通过测试线缆与测试计算机连接。通过计算机控制RGBD滤光片及芯片测试底板的自动曝光，实现在各个温度下对彩色相机图像传感器的三个颜色通道的明暗及暗场图像进行自动化快捷测试，从而满足深空探测任务的准确性及高可靠要求。
一种适用于探测彩色相机图像传感器筛选测试方法装置

[发明专利]一种用于激光雷达的MEMS扫描镜在线训练及标定方法-CN202111175988.1在审
发明人：朱飞虎;王立;王晓磊;吴奋陟;张运方;郑岩;郭绍刚;华宝成;赵宇;张琳;田玉松;徐李佳;蒋媛媛;温雅楠 -专利权人：北京控制工程研究所
申请日： 2021-10-09 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： G01S7/497 文献下载
摘要：一种用于激光雷达的MEMS扫描镜在线训练及标定方法，将靶板放置于激光雷达前方，激光雷达基准镜置于激光雷达上方，高速相机放在激光雷达侧方，红光照明光源发出红色将靶板照亮。经纬仪系统对激光雷达基准镜进行准直建立激光雷达基准镜坐标系。通过将靶板放置在两个不同位置，利用靶板和经纬仪系统配合分别建立相机像面坐标与激光雷达基准镜系下位置之间的关系，采用高速相机分别测量两个不同位置处像面坐标扫描轨迹，由此获得激光雷达基准镜坐标系到扫描本体系的关系。在此基础上，获取其中一位置处的激光雷达扫描轨迹，计算其与目标扫描轨迹之间的误差，通过PID控制使得误差满足规定的阈值。本发明较传统方法具有高精度、高效率的特点。
一种用于激光雷达 mems 扫描在线训练标定方法

[实用新型]一种两夹式可替换刀头的环剥刀-CN202121142626.8有效
发明人： 温雅楠;蘧莹 -专利权人： 温雅楠
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： A01G3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种两夹式可替换刀头的环剥刀，由动夹和定夹组成，动夹和定夹设有分别通孔，销轴依次贯穿动夹、定夹的一侧端面联板的通孔、弹簧和动夹、定夹另侧一端面联板的通孔，将可替换刀头的环切刀连接在一起，回字型刀头沿导轨套于动夹顶端，由挡板和凸起卡槽固定，可灵活替换刀头，刀头与动夹的夹角在100～110°，刀头切入角不变，在定夹设有曲型弧和水平定位弧，曲型弧确保环切刀在环切时水平方向不攒动，水平定位弧确保环切刀在环切时垂直方向不摆动。
一种两夹式可替换刀头环剥刀

[实用新型]一种可折叠可替换刀头的钳型环切刀-CN202121142618.3有效
发明人： 温雅楠;蘧莹 -专利权人： 温雅楠
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： A01G3/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种可折叠可替换刀头的钳型环切刀，由定位活动柄和刀头活动柄组成，穿有弹簧的销轴依次穿过定位活动柄、刀头活动柄端点的旋转孔使其连接，使活动柄打开时受力，力矩更长，更加省力，在定位活动柄上设有定位轮和活动定位轮，活动定位轮上设有U形槽，活动定位轮可在U形槽内运动，刀头活动柄上设有可调定位轮和刀头，刀头由销轴穿过锁紧孔固定，回字形刀头沿导轨套于刀头活动柄的端口，方便替换，可调定位轮由支架和定位孔固定，转动蝴蝶钮可调节可调定位轮和刀头之间的相对深度，使环剥器保持恒定的深度、方向不变的完成环剥。
一种可折叠替换刀头钳型环切刀

[实用新型]一种石英销及单晶硅生长装置-CN202120160695.5有效
发明人： 温雅楠 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种石英销，所述石英销包括杆身，所述杆身沿轴向分为第一部分和第二部分，所述第一部分沿轴向的长度小于所述第二部分沿轴向的长度，且所述第一部分与所述第二部分的轴向不平行，所述第二部分的自由端膨大形成投影部，所述投影部的背离所述第二部分的表面为弧面。所述第一部分用于将石英销固定于反射器的底端，所述投影部会在硅熔体的液面形成有投影，所述投影部背向所述第二部分的一面为弧面，所述弧面能够将光线更好的反射至硅熔体的液面。能够使得所述投影更加清晰，有利于成像单元获取所述投影与所述投影部的图像，有利于获取所述投影与所述投影部之间的距离。相应的，本实用新型还提供了一种单晶硅生长装置。
一种石英单晶硅生长装置

[发明专利]一种可调节导流筒及半导体晶体生长装置-CN202110440189.6在审
发明人： 温雅楠;金光勳 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2021-04-19 - 公布日： 2021-09-03 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种可调节导流筒及半导体晶体生长装置，导流筒包括固定部和调节部，导流筒呈桶状并绕晶棒四周设置，其中，固定部上端向外延伸的部分固定于半导体生长装置上，固定部向下延伸的部分为逐渐向晶体靠近的斜面，固定部底部为靠近液面的平面，以控制与液面的最小距离；调节部位于固定部的斜面上，调节部通过固定装置固定于固定部的斜面上，调节部用于根据需要调整与晶棒之间的最小距离。本发明在不改变其他参数的情况下，改变导流筒的调节部可以调整晶体氧含量，从而控制晶体的质量。
一种调节导流半导体晶体生长装置

[实用新型]一种中药提取贮存罐-CN202021171492.8有效
发明人：邢煜舒;宁鹏飞;萨其拉;贾鑫;李斌鑫;祖文;高震洪;温雅楠;白慧妍 -专利权人：内蒙古医科大学
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2021-04-13 - 主分类号： B65D81/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种中药提取贮存罐，包括壳体，所述壳体的内部活动连接有保温层，所述保温层的内部固定连接有内胆，所述保温层的底部活动连接有支撑板，所述支撑板的两侧均与壳体的内壁活动连接，所述支撑板的底部固定连接有第一减震板，所述第一减震板底部的两侧均固定连接有固定块。本实用新型通过设置支撑板、第一减震板、固定块、活动杆、移动块、导向杆、第一弹簧、支撑块和第二弹簧，能够对内胆进行缓冲减震，通过设置活动块、盖板、挂钩、连接杆、拉伸板、活动板和密封圈，能够对壳体进行密封，使贮存罐的密封效果好，保温效果好，搬运过程中，不会造成贮存罐内部的内胆破碎，有利于人们的使用。
一种中药提取贮存

[发明专利]一种用于航天器电子产品MAPF-PGA封装器件的加固及解焊方法-CN202010687173.0在审
发明人：刘伟;杨淑娟;吴广东;王修利;丁颖;李宾;王鑫华;王春雷;季俊峰;刘晓剑;刘超;任江燕;陈晓东;温雅楠;苑琳;刘英杰;谷强;于方 -专利权人：北京控制工程研究所
申请日： 2020-07-16 - 公布日： 2020-11-06 - 主分类号： H05K3/34 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于航天器电子产品MAPF‑PGA封装器件的加固及解焊方法，属于电子装联工艺技术领域。本发明提出了一种用于MAPF‑PGA封装器件的加固和解焊工艺，通过在器件电装前在本体底部填充环氧胶，在器件电装后在器件本体四边中间位置及四角位置点封环氧胶并在器件底部填充聚氨酯S113胶的加固方式，实现MAPF‑PGA封装器件高可靠性加固。该种加固方式，可以满足产品更加严苛的使用环境要求，保证了产品的可靠性。同时，由于该种加固方式面临着返修困难的难题，本发明也针对该种加固方式，提出了切实可行的解决方案，能够保证印制板组件在返修后，仍处在满足质量要求的状态，继续使用。
一种用于航天器电子产品 mapf pga 封装器件加固方法

[发明专利]一种单晶硅生长炉-CN201610423045.9有效
发明人：郭鸿震;温雅楠 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2016-06-15 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：本发明提供一种单晶硅生长炉，包括：坩埚；支撑所述坩埚并使所述坩埚旋转的底座；收容所述底座的基底腔室，所述基底腔室带有石墨导管，所述底座下部收容在所述石墨导管内；其中，收容在所述石墨导管内的底座下部设有外螺纹。本发明的单晶硅生长炉，通过对坩埚底座进行简单的结构改进，便可有效解决坩埚掉落物在石墨导管中堆积导致的种种问题，减少了坩埚底座磨损、开裂等损坏，减少了因坩埚震动导致的漏液，有效避免了石墨尘埃造成的污染，并大大地减少了由于掉落物造成的底座卡顿事故。
一种单晶硅生长

[发明专利]籽晶夹头及单晶提拉炉-CN201710056545.8在审
发明人：李寅锋;温雅楠 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2017-01-25 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： C30B15/32 文献下载
摘要：本发明提供一种籽晶夹头及单晶提拉炉，所述籽晶夹头为透明夹头，所述籽晶夹头的头部设有气流导向斜面。本发明的籽晶夹头为透明籽晶头，从引晶阶段开始都可以观察到整个过程，可以及时观测和及时修正引晶直径，确保整个拉晶过程正常进行，保证了晶锭生长的质量；通过在所述籽晶夹头的头部设置气流导向斜面，可以更好的引导炉腔体内气流，减少乱流现象的产生，从而保证晶锭生长的质量。
籽晶夹头单晶提拉炉气流导向晶锭引晶阶段开始体内气流头部设置透明夹籽晶头生长夹头拉晶炉腔乱流种籽观测修正保证透明观察

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