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- [发明专利]一种一次性可编程存储器和电子设备-CN202210415932.7在审
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何世坤;张楠;黄张英
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浙江驰拓科技有限公司
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2022-04-20
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2023-10-27
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G11C11/16
- 本申请公开了一次性可编程存储器和电子设备，属于磁旋存储领域，包括比较器、参考电阻、至少一个存储单元，存储单元包括磁性随机存储器和晶体管；磁性随机存储器中磁隧道结的第一端与晶体管的第一端连接，磁隧道结的第二端与位线连接；晶体管的第二端分别与源极线、比较器的第一端连接，比较器的第一端与源极线连接；磁隧道结的读电压由源极线处施加，读电压大于磁隧道结由平行态翻转到反平行态的电压。磁隧道结的读电压由源极线处施加，且大于由平行态翻转到反平行态的电压，所以读取的电阻为击穿态电阻或反平行态电阻，参考电阻的窗口即为反平行态电阻和击穿态电阻间的距离，窗口增大，且无需对磁隧道结的生产工艺做任何调整，非常简单。
- 一种一次性可编程存储器电子设备
- [发明专利]一种磁隧道结和磁性随机存储器-CN202210378927.3在审
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宫俊录;高扬
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浙江驰拓科技有限公司
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2022-04-12
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2023-10-27
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H10N50/10
- 本申请公开了一种磁隧道结，涉及磁性存储器领域，用于磁性随机存储器。磁隧道结包括种子层、钉扎层，钉扎层包括在远离种子层方向上交替层叠的磁性单元层和金属单元层；距离种子层最近的金属单元层的厚度大于其余任一金属单元层的厚度，且具有[111]晶体结构。本申请钉扎层中包括多个交替层叠的磁性单元层和金属单元层，对于所有的金属单元层，距离种子层最近的金属单元层的厚度最厚，且具有[111]晶体结构，可以增强钉扎层的垂直磁各向异性，其余金属单元层的厚度较薄，可以减弱金属单元层中金属材料向势垒层的扩散，降低薄膜粗糙度，减少界面缺陷，改善势垒层薄膜质量，从而提升磁隧道结的耐擦写次数。本申请还提供一种磁性随机存储器。
- 一种隧道磁性随机存储器
- [发明专利]一种存储器及其制作方法-CN202210213392.4在审
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于志猛;何世坤
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浙江驰拓科技有限公司
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2022-03-04
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2023-09-15
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H10B61/00
- 本申请公开了一种存储器及其制作方法，包括在底电路层的上表面同时形成存储阵列区的底电极以及逻辑区的第一顶部接触体；在存储阵列区待处理存储单元层的上表面和逻辑区形成图形化介质层；在图形化介质层的通孔中同时形成硬掩膜层和第二顶部接触体；硬掩膜层对应底电极，第二顶部接触体与第一顶部接触体接触连接；刻蚀待处理存储单元层形成存储单元层，得到存储器。本申请在形成存储阵列区的底电极的同时形成逻辑区的第一顶部接触体，在形成存储阵列区的硬掩膜层的同时形成逻辑区的第二顶部接触体，即逻辑区的顶部接触体分两次制作，且每次制作与存储阵列区中的结构同时完成，简化存储器的制作工艺，同时减少光罩的使用，降低成本。
- 一种存储器及其制作方法
- [发明专利]一种阻式存储器及其制作方法-CN202210204154.7在审
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于志猛;何世坤
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浙江驰拓科技有限公司
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2022-03-02
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2023-09-15
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H10N50/01
- 本申请公开了一种阻式存储器及其制作方法，包括在底电路层的上表面依次沉积底电极层和硬掩膜层；采用反应离子刻蚀方式刻蚀硬掩膜层，得到图形化硬掩膜层；以图形化硬掩膜层作为掩膜，采用离子束刻蚀方式刻蚀底电极层，形成预处理底电极；底电极层未被刻穿；在预处理底电极上形成电极介质侧壁层；刻蚀电极介质侧壁层并刻穿电极层未被刻穿的区域，形成底电极；在底电极的上表面依次形成存储单元层和顶电路层，得到阻式存储器。本申请用反应离子刻蚀和离子束刻蚀相结合的方式制作底电极，解决制作小尺寸底电极过程中对设备的严格要求，能够在工艺设备或尺寸控制水平不佳情况下，满足阻式存储器对底电极的苛刻要求，降低制作难度。
- 一种存储器及其制作方法
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