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[发明专利]一种垂直结构LED芯片、反射电极及其制备方法-CN201811235636.9有效
发明人：陈芳;王光绪;刘军林;李树强;吴小明;杨梦琳;郭醒;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2018-10-23 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L33/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直结构LED芯片及其制备方法，所述芯片从下至上依次包括：基板、键合金属层、第一电极、发光层、粗化层、第二电极接触层、第二电极。本发明还公开了该LED芯片的反射电极及其制备方法，反射电极由第一电极和第二电极共同构成，第一电极依次包括第一电极接触层、低折射率介质层和高光反射金属层，低折射率介质层和高光反射金属层之间具有二者复合的特定排列的导电小孔，第一电极还包括可减少第二电极对其正下方区域发光遮挡的区域。本发明有效减少了第二电极正下方区域的电流注入，减少第二电极对正下方区域发光的遮挡，且该反射电极结构可以同时兼顾高光反射率和低欧姆接触，最终提高了AlGaInP薄膜LED芯片的光提取效率。
一种垂直结构 led 芯片反射电极及其制备方法

[发明专利]一种具有掩膜层的反极性LED芯片及其制备方法-CN201810937533.0有效
发明人：郭醒;王光绪;刘军林;李树强;陈芳;吴小明;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2018-08-16 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有掩膜层的反极性LED芯片，所述芯片包括基板层、键合层、粘结保护层、复合结构层、外延层、掩膜层、N电极和钝化层；基板层的上面依次从下至上为键合层、粘结保护层、复合结构层；外延层在复合结构层的上面，外延层依次从下至上为p型层、发光层、n型层、粗化层、欧姆接触层；在外延层上面设有掩膜层、N电极和钝化层，掩膜层在欧姆接触层之上，且与N电极图形对应，环绕在N电极周围。本发明还提出一种具有掩膜层的反极性LED芯片的制备方法。本发明可以解决粗化工艺中，欧姆接触层湿法腐蚀过程侧钻导致的N电极脱落问题，有效地提高了LED芯片的制备良率。
一种具有掩膜层极性 led 芯片及其制备方法

[发明专利]一种用于N面出光AlGaInP LED薄膜芯片的外延材料及其制备方法-CN201811234462.4有效
发明人：李树强;江风益;刘军林;王光绪;陈芳;郭醒 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2018-10-23 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于N面出光AlGaInP LED薄膜芯片的外延材料，自下而上依次包括N型GaAs衬底、N型GaAs缓冲层、第一腐蚀阻挡层、第二腐蚀阻挡层、第一N型粗化层、第二N型粗化层、N型限制层、N侧空间层、多量子阱发光区、P侧空间层、P型限制层、P型电流扩展层、P型欧姆接触层。本发明还公开了一种用于N面出光AlGaInP LED薄膜芯片的外延材料的制备方法。通过本发明可直接在第一N型粗化层上制备N电极，消除了欧姆接触层的光吸收问题，还可提高N电极的粘附性，简化N面出光AlGaInP LED薄膜芯片制备工艺，有效提高芯片指标并降低成本。
一种用于面出光 algainp led 薄膜芯片外延材料及其制备方法

[发明专利]一种消除Ⅲ族氮化物材料中掺Mg记忆效应的外延生长方法-CN202310369558.6在审
发明人：张建立;杨小霞;王小兰;高江东;李丹;潘拴;吴小明;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2023-04-07 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种消除Ⅲ族氮化物材料中掺Mg记忆效应的外延生长方法，采用金属有机源TMIn清洗和InGaN阻挡层相结合的方法，可以消除MOCVD外延生长Ⅲ族氮化物材料中掺Mg的记忆效应，阻挡Mg扩散至下一层影响光电性能。清洗MOCVD反应环境的主要特征是在TMIn的作用下，长时间吹扫MOCVD反应室和反应管道，清除反应环境中的Mg，并分解MOCVD反应室中已沉积的易分解的掺Mg氮化物，消除反应环境中Mg的记忆效应。InGaN阻挡层或InGaN/GaN超晶格阻挡层的主要特征是在合适的温度和缓慢的生长速率下生长，阻挡P型氮化物材料内部或表面的Mg扩散至下一层。通过本发明的两步法结合，能完全消除Mg的记忆效应，从而增加了Ⅲ族氮化物材料掺杂Mg后界面的陡峭性，提高材料性能。
一种消除氮化物材料 mg 记忆效应外延生长方法

[发明专利]一种用于制备氮化物材料的装置-CN201711006984.4有效
发明人： 江风益;刘军林;张建立;徐龙权;丁杰;全知觉 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2017-10-25 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于制备氮化物材料的装置，包括腔体、气体离化器、金属源产生装置、真空系统、样品台、腔体加热装置、真空计、温度计和膜厚仪和控制系统，其中：腔体由相互分离且能合为一体的上腔体与下腔体组成，金属源产生装置包括坩埚、线圈和金属保护装置，金属保护装置由坩埚底座和阻挡盖构成，真空系统包括干泵、分子泵和低温泵，样品台包括载片架、衬底冷却装置和样品台旋转装置，传动装置、气体离化器、真空泵系统、真空计等分别通过导线与控制系统连接。本发明制备氮化物的方式为阴离子阳离子逐层堆积模式，具有较好的材料质量和较快的氮化物制备速率。本发明具有能耗低、材料质量高、碳污染低、无组分偏析以及产能大等诸多优点。
一种用于制备氮化物材料装置

[发明专利]一种兼具响应度和响应速度的InGaN可见光探测器外延结构-CN202310083226.1在审
发明人：王小兰;刘梦宇;张建立;高江东;郑畅达;莫春兰;潘拴;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了一种兼具响应度和响应速度的InGaN可见光探测器外延结构，生长全过程是在MOCVD设备中进行的，外延结构包括衬底、依次形成于衬底之上的缓冲层、n型GaN层、V形坑开启层、InGaN/GaN量子阱层、p型AlxGa1‑xN层和p型GaN层；其中，在V形坑开启层沿着位错线开启V形坑，V形坑包含平台和侧壁，InGaN/GaN量子阱层在V形坑侧壁的In组分小于平台。InGaN量子阱层在V形坑侧壁的厚度相比平台更薄，可以缩短光生载流子的传输距离，并且光生载流子在V形坑的有源区中更容易分离，可以加快光生载流子离开有源区的速度，从而达到提高响应速度的目的，同时，V形坑的存在使得耗尽层加厚，增加了对光的有效吸收和光生载流子的收集效率，光电流增大，进而提高响应度。
一种兼具响应速度 ingan 可见光探测器外延结构

[发明专利]一种大功率垂直结构LED芯片结构及其电流阻挡层的制备方法-CN202310203891.X在审
发明人：吴小明;林前英;江风益;陈芳;莫春兰;王立;黄超;夏邦美 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2023-03-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明提供一种大功率垂直结构LED芯片结构及其电流阻挡层的制备方法，所述LED芯片从下到上依次包括导电基板、金属键合层、第一电极、第一半导体层、有源层、第二半导体层、电流阻挡层、第二电极；所述互补层与电流阻挡层的位置上下对应；所述电流阻挡层形成于第二半导体层的表面；所述第二电极形成于电流阻挡层的表面；所述第二电极包括焊盘、传输电极和传输注入电极，焊盘和传输电极的宽度均小于焊盘和传输电极下方的电流阻挡层的宽度，传输注入电极的宽度大于传输注入电极下方的电流阻挡层宽度，通过对第二电极与电流阻挡层的宽度设计，减小电极下方电流拥挤，提高了大功率LED电流扩展均匀性，提高了大电流下芯片的亮度。
一种大功率垂直结构 led 芯片及其电流阻挡制备方法

[发明专利]一种氮极性Ⅲ族氮化物粗化方法-CN202010661636.6有效
发明人：莫春兰;朱凯;陈芳;吴小明;李新华;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2020-07-10 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮极性Ⅲ族氮化物粗化方法，方法包括在硅衬底上生长Ⅲ族氮化物叠层，接着在氮化物叠层上制备包括高反射金属的金属叠层，在基板的正反面制备金属叠层，并采用晶圆热压键合方法将所述制备金属叠层的Ⅲ族氮化物叠层与基板键合在一起，之后用湿法腐蚀的方法去除所述硅衬底，露出氮极性Ⅲ族氮化物叠层的缓冲层AlN，从基板的上方对所述的Ⅲ族氮化物叠层表面进行干法刻蚀，采用氧等离子体对干法刻蚀后的表面进行处理，然后对该表面进行湿法粗化。本发明具有先进行表面处理再进行粗化、在不增加外延成本的情况下得到均匀的氮极性Ⅲ族氮化物粗化表面、工艺简单、最终提高产品可靠性的优点。
一种极性氮化物方法

[发明专利]一种多色Micro LED发光模组制备方法-CN202010601783.4有效
发明人：王立;吴小明;刘虎;李璠;赵婕;田婷芳;饶郑刚;莫春兰;江风益 -专利权人：南昌大学
申请日： 2020-06-29 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多色Micro LED模组制备方法，包括：S1在不同发光颜色的硅基InxGayAl1‑x‑yN(0≤x≤1，0≤y≤1)外延片上定义发光像素单元阵列，刻蚀除去每个像素单元中部分InxGayAl1‑x‑yN外延层直至暴露衬底，使留在衬底上的外延层面积不超过转移次数分之一，并将每个像素区域剩余的发光层制成Micro LED发光单元；S2将第一种颜色的Micro LED发光单元阵列一次性键合到驱动电路基板，并去除硅衬底，以实现Micro LED发光单元阵列从外延基板到驱动电路的整体转移；S3重复S2，将其他颜色的Micro LED发光单元阵列转移到驱动电路基板。本发明基于目前现有的外延生长、刻蚀、分选和组合键合技术，在发光结构之间形成金属连接层，将不同颜色发光结构连接在一起，实现多色Micro LED的制备，具有结构稳定、易于操作等特点。
一种多色 micro led 发光模组制备方法

[发明专利]一种薄膜LED芯片结构-CN201710862656.8有效
发明人：李树强;陈芳;施维;王光绪;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2017-09-20 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种薄膜LED芯片结构，该芯片结构包括：基板底面金属层、键合基板、键合及光反射金属层、绝缘介质层、下电极、下掺杂层、非掺杂发光层、上掺杂层、粗化面、上欧姆接触层、上电极，特征是：上电极与下电极呈交错排列，上掺杂层的厚度大于下掺杂层的厚度。上掺杂层的厚度与下掺杂层的厚度之比r满足2≤r≤6，两个相邻上电极的分支间距w满足50微米≤w≤120微米。本发明能够使芯片上掺杂层和下掺杂层注入的载流子最大限度地在上电极对应的非掺杂发光区之外产生辐射复合发光，可以减少光传输到上电极下方区域的几率，从而减少上电极的光遮挡效应，可有效提高薄膜LED芯片的电光转换效率。
一种薄膜 led 芯片结构

[发明专利]一种硅衬底氮化铝薄膜的制备方法-CN202110272273.1有效
发明人：郑畅达;张建立;高江东;王小兰;王旋;李丹;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅衬底氮化铝薄膜的制备方法，它是在高温下向反应室通入NH3和TMIn，对硅衬底表面进行预处理，可有效地降低AlN中的位错密度，减小AlN表面粗糙度，然后进行铺铝，最后生长AlN层，获得表面平整、无孔洞高质量的AlN薄膜。本发明的制备方法易于实现，便于大规模生产，可广泛应用于制造硅衬底III族氮化物LED以及电力电子器件等半导体器件领域。
一种衬底氮化薄膜制备方法

[发明专利]一种清洗InGaN基LED V型坑侧壁In的方法-CN202211141166.6在审
发明人：张建立;李丹;王小兰;高江东;杨小霞;吴小明;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2022-09-20 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种清洗InGaN基LED V型坑侧壁In的方法，该LED由衬底、N层、准备层、量子阱InGaN/GaN发光层、P层组成，量子阱InGaN/GaN发光层分为量子阱InGaN层、GaN盖层、量子垒GaN，GaN盖层包括平台区域和V型坑区域，GaN盖层分为两个生长阶段，即：第一生长阶段通入不含H2的气体生长GaN盖层，第二生长阶段通入含H2的气体进行清洗。这种生长方法达到清洗了量子阱InGaN层V型坑侧壁的中的In同时又保护量子阱InGaN层平台区域的In，清洗量子阱InGaN层V型坑侧壁的中的In后V型坑侧壁的禁带宽度增大，减少了电子向V型坑泄露，提高了LED发光效率。
一种清洗 ingan led 侧壁 in 方法

[外观设计]LED放大镜-CN202130630126.8有效
发明人：郭醒;付江;徐龙权;王光绪;王都阳;赵贺琦;王立;张建立;江风益 -专利权人：郭醒;付江;徐龙权;王光绪;王立;张建立;江风益
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： 16-06 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：LED放大镜。2.本外观设计产品的用途：用于自带照明条件下放大观察物体。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图1。5.指定设计1为基本设计。6.A、B部为透明材料。
led 放大镜

[发明专利]AlInGaN基单pn结多色探测器及信号检测方法-CN202210470285.X在审
发明人：全知觉;吴佳楠;曹盛;高江东;王立;江风益 -专利权人：南昌大学
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明涉及半导体光电子技术领域，具体涉及一种AlInGaN基单pn结多色探测器及信号检测方法。该探测器自下向上依次包括：n型层、层叠结构和p型层；其中，所述层叠结构包括交替层叠的吸收层和隔离层，吸收层的数量为多个；各吸收层彼此之间禁带宽度不同，所述隔离层的禁带宽度大于所有吸收层的禁带宽度。该探测器结构在光照条件下的J‑V特性曲线具有明显台阶或拐点，使单pn结构实现多色选择性探测或同步探测成为可能。通过对该探测器测得的J‑V特性曲线进行数学处理，从中提取入射光的各波段信息，能够有效实现紫外‑红外范围内的多色选择性探测或同步探测。
alingan pn 多色探测器信号检测方法

[发明专利]一种减少硅衬底上AlN薄膜微孔洞的制备方法-CN202110583269.7有效
发明人：张建立;杨小霞;郑畅达;王小兰;高江东;李丹;江风益 -专利权人：南昌大学;南昌硅基半导体科技有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种减少硅衬底上AlN薄膜微孔洞的制备方法，包括硅衬底预处理和在经过预处理的硅衬底上生长AlN薄膜，生长AlN薄膜过程中掺杂原子半径比Al原子半径大的Mg原子。本发明一方面利用Mg原子在生长过程中对AlN薄膜形成压应力，使AlN薄膜不易形成微孔洞，另一方面利用Mg原子在AlN中易团聚形成间隙原子填充微孔洞，从而大幅降低硅衬底上AlN薄膜微孔洞的生成。本发明的制备方法工艺简单，可实现高稳定性、高重复性的硅衬底AlN外延材料制备，解决了现有技术中AlN薄膜由于Al原子迁移弱、AlN与硅衬底之间的张应力大等导致孔洞多的问题。
一种减少衬底 aln 薄膜微孔制备方法

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