专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]exposed lead从顶部引出的QFN/LGA的封装结构及其制造方法-CN202111199466.5有效
  • 陈勇;汪婷;张怡;梁大钟;王晓斌;熊丽萍;高爽 - 广东气派科技有限公司
  • 2021-10-14 - 2023-06-13 - H01L23/495
  • 本发明提供了一种exposed lead从顶部引出的QFN/LGA的封装结构及其制造方法,其中,封装结构包括内核、散热片和铜柱,所述铜柱与内核电连接,所述散热片位于QFN/LGA的封装后的底部且与内核贴合,所述铜柱由与内核电连接处延伸至QFN/LGA的封装后的顶部。制造方法包括:在QFN/LGA的散热片周边间隔布置铜柱,且铜柱向散热片外侧暴露面的相反方向延伸第一距离;将内核贴合在散热片的内侧;将内核与铜柱进行电连接;将散热片、内核和铜柱封装成一体;进行抛光处理,使得散热片与铜柱分别暴露在QFN/LGA封装后的底部和顶部。本发明的散热片与exposed lead不在同一面,可以原将PCB板的散热片区域节省下来,使PCB板小型化和集成化程度更高,让PCB板在大小不变的情况下实现更多的功能。
  • exposedlead顶部引出qfnlga封装结构及其制造方法
  • [发明专利]一种改善Flip chip晶圆电路层裂纹的方法-CN202210012117.6有效
  • 陈勇;梁大钟;饶锡林;张怡;程浪;蔡择贤 - 广东气派科技有限公司
  • 2022-01-07 - 2023-02-10 - H01L23/498
  • 本发明公开了一种改善Flip chip晶圆电路层裂纹的方法,包括:基板改进和FC bump的工艺改进。本发明可以分为主动回避和被动降压两种方法,其中关于主动回避采用的是在对基板的unit设计时,主动加大pad之间的距离,从而使得芯片在进行bump的过程中,金球之间的距离增大,散热面积加大,从而使得电路层散热加快,进而使得电路层出现裂纹的几率减少,关于被动降压则是在芯片的制程中,被动降低芯片对于低介电常数材料的压力,在保证连接稳定性和电路连通的前提下,对于低介电常数材料的压力减小,使得金球受压变形后与电路层之间的接触面积减小,从而降低电路层的受热面积和压力,进而降低电路层出现裂纹的几率,以达到提高产品封装良率和可靠性的效果。
  • 一种改善flipchip电路裂纹方法
  • [发明专利]一种阻止底部填充胶溢胶的基板设计方法-CN202210012116.1有效
  • 陈勇;饶锡林;梁大钟;张怡;程浪;蔡择贤 - 广东气派科技有限公司
  • 2022-01-07 - 2022-12-27 - H01L23/24
  • 本发明公开了一种阻止底部填充胶溢胶的基板设计方法,包括:在基板上设置挡墙,所述挡墙位于芯片的外部,并且所述挡墙与芯片之间预留有注胶区。本发明为了阻止底部填充胶溢胶,在基板上设置挡墙,挡墙采用固定式的设计,在进行bump的时候将芯片焊接在环形封闭的挡墙内,然后通过挡墙和芯片之间的注胶区用胶枪进行注胶,在毛细管现象的作用下胶液会填满芯片下方的bump区域并向外扩散,随后被挡墙拦截,因为挡墙的高度位于芯片的顶部和底部之间,所以溢出的胶液会被挡墙遮挡,通过挡墙使胶液的端面变为水平面,在张力作用下可以有效避免胶液溢出,从而避免胶液向其他功能区域扩散造成污染,既有利于工艺的生产管控,同时还能提高产品的可靠性。
  • 一种阻止底部填充胶溢胶设计方法

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