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- [发明专利]半导体封装的制造方法-CN201810058502.8有效
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张秉得;金永奭
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株式会社迪思科
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2018-01-22
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2023-09-19
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H01L23/552
- 提供半导体封装的制造方法，对于半导体封装有效地形成规定的膜厚的屏蔽层。该半导体封装(10)的制造方法利用密封剂对布线基板(11)上的半导体芯片(12)进行密封，准备按照围绕半导体芯片的安装部位的方式立设有立设围绕部(21)的布线基板，在该立设围绕部(21)中埋设有侧面屏蔽层(17)，在布线基板上在立设围绕部的内侧安装半导体芯片，对立设围绕部的内侧提供密封树脂而形成密封基板(15)，沿着分割预定线对密封基板进行分割而单片化成各个半导体封装(10)，在半导体封装上形成隔断电磁波的上表面屏蔽层(18)。
- 半导体封装制造方法
- [发明专利]等离子蚀刻方法-CN201810144558.5有效
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千东谦太
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株式会社迪思科
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2018-02-12
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2023-09-19
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H01L21/3065
- 提供等离子蚀刻方法，抑制带与保持面之间产生气泡，防止带焦糊。该等离子蚀刻方法在对下表面上粘贴有带(T)的晶片(W)进行了磨削加工之后，对晶片的被磨削面进行等离子蚀刻，该等离子蚀刻方法包含如下的工序：干燥工序，对带赋予热量而将带内的水分去除；静电保持工序，在干燥工序之后，对静电卡盘(4)的电极(44)提供直流电力而产生静电，对晶片进行静电保持；以及蚀刻工序，在静电保持工序之后，对减压室(C)进行减压，利用等离子化后的反应气体对晶片的被磨削面进行等离子蚀刻。
- 等离子蚀刻方法
- [发明专利]半导体晶片的加工方法-CN201910564922.8有效
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若原匡俊;F·韦
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株式会社迪思科
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2019-06-27
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2023-09-19
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H01L21/3065
- 提供半导体晶片的加工方法，在激光加工槽形成之后且在半导体晶片的分割之前，不追加掩模层形成工序而去除变质层和应变层。该半导体晶片的加工方法具有如下步骤：将半导体晶片、保护层以及功能层部分地去除而使半导体晶片露出，从而形成激光加工槽；利用掩模层将残留在激光加工槽以外的保护层中的除了金属电极上的区域以外的区域覆盖；第1蚀刻步骤,隔着掩模层而对保护层进行使用了第1气体的等离子蚀刻，使金属电极露出；第2蚀刻步骤,隔着第1蚀刻步骤后的掩模层而对激光加工槽进行使用了第2气体的等离子蚀刻，使激光加工槽扩展；以及分割步骤，沿着在第2蚀刻步骤中进行了扩展的激光加工槽将半导体晶片分割成器件芯片。
- 半导体晶片加工方法
- [发明专利]搬运系统-CN201910613908.2有效
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关家一马
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株式会社迪思科
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2019-07-09
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2023-09-19
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B62D63/02
- 提供被加工物自动搬运车，能够检测碰撞等事故。该被加工物自动搬运车被包含在对多个加工装置分别搬运被加工物的搬运系统中，其中，该被加工物自动搬运车包含：被加工物支承部，其对被加工物进行支承；行驶机构，其设置于被加工物支承部；振动检测单元，其检测被加工物支承部的振动并作为振动数据进行记录；以及接收机，其接收从搬运系统所包含的控制单元发送的控制信号，该控制信号指示将被加工物向加工装置进行搬运。
- 搬运系统
- [发明专利]被加工物的加工方法-CN202010030425.2有效
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广泽俊一郎;三谷修三;松冈祐哉
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株式会社迪思科
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2020-01-13
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2023-09-19
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B24B7/22
- 提供被加工物的加工方法，效率良好。被加工物的加工方法在对板状的被加工物进行加工时使用，包含如下步骤：保护部件粘贴步骤，在被加工物的正面侧粘贴保护部件；保持步骤，按照被加工物的背面侧露出的方式隔着保护部件利用卡盘工作台的保持面对被加工物的正面侧进行保持；磨削步骤，一边从磨削水提供用喷嘴向卡盘工作台所保持的被加工物的背面侧提供磨削水一边使固定有包含磨粒的磨削磨具的磨削磨轮旋转而使磨削磨具与被加工物的背面侧接触，将被加工物的背面侧磨削而使被加工物变薄；和处理步骤，在磨削步骤之后，在停止从磨削水提供用喷嘴提供磨削水的状态下使磨削磨轮旋转而使磨削磨具与被加工物的背面侧接触，对被加工物或磨削磨具进行处理。
- 加工方法
- [发明专利]晶片的加工方法-CN201910613278.9有效
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原田成规;冈村卓;赵金艳
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株式会社迪思科
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2019-07-09
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2023-09-15
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H01L21/683
- 提供晶片的加工方法，在将晶片分割成各个器件芯片时，不会使器件的品质降低。该晶片的加工方法将由相互交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个器件的晶片分割成各个器件芯片，其中，该晶片的加工方法包含如下的工序：晶片配设工序，在对晶片进行支承的基质的上表面上敷设聚烯烃系片或聚酯系片中的任意的片，将晶片的背面定位在片的上表面上而进行配设；片热压接工序，在密闭环境内对隔着片而配设于基质的晶片进行减压并对片进行加热，并且按压晶片，从而隔着片将晶片热压接在基质上；以及分割工序，将切削刀具定位于晶片的正面而对分割预定线进行切削，从而将晶片分割成各个器件芯片。
- 晶片加工方法
- [发明专利]卷取单元-CN201811471060.6有效
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吉村宽;大沼广希;岩濑宽和;木崎清贵
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株式会社迪思科
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2018-12-04
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2023-09-15
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H01L21/683
- 提供卷取单元，在带粘贴装置中连续地形成工件组，并将所卷取的保护膜废弃。卷取单元(5)具有：按照相向的方式配设的卷取部(50A、50B)，它们具有对带状的保护膜(21)进行把持的把持部(500)；旋转机构(51A、51B)，它们使卷取部旋转；以及进退构件(52A、52B)，它们使一方的卷取部相对于另一方的卷取部接近或远离，在对膜进行卷取时，利用把持部对膜(21)进行把持，利用旋转机构(51A、51B)使卷取部旋转而对膜(21)进行卷取，在要将所卷取的膜(21)废弃时，各把持部(500)将膜(21)放开，利用进退构件(52A、52B)使卷取部(50A、50B)按照它们之间的距离变得比膜(21)的宽度大的方式远离，将膜(21)拔下而废弃。
- 卷取单元
- [发明专利]扩展方法和扩展装置-CN201811132831.9有效
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木川有希子;藤泽晋一;松原政幸
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株式会社迪思科
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2018-09-27
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2023-09-15
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H01L21/67
- 提供扩展方法和扩展装置，无需根据片材的种类及个体来设定扩展量，能够适当地对片材进行扩展。扩展方法具有如下步骤：夹持步骤，利用第一夹持组件(3A)和第二夹持组件(3B)对片材(4)进行夹持，并利用第三夹持组件(3C)和第四夹持组件(3D)对片材进行夹持；和扩展步骤，使第一夹持组件和第二夹持组件在第一方向上向相互远离的方向相对移动，并使第三夹持组件和第四夹持组件在第二方向上向相互远离的方向相对移动，在扩展步骤中，对片材的张力进行检测，根据所检测到的片材(4)的张力情况，对第一夹持组件(3A)～第四夹持组件(3D)的移动进行控制，因此无需根据片材的种类及个体来设定扩展量，能够适当地对片材进行扩展。
- 扩展方法装置
- [发明专利]封装器件的制造方法-CN202310215787.2在审
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寺西俊辅
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株式会社迪思科
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2023-03-01
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2023-09-12
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H01L21/56
- 本发明提供封装器件的制造方法，能够降低搭载于基板的器件芯片的位置的偏差。该封装器件的制造方法具有如下的步骤：第1基板准备步骤，准备在多个搭载区域中分别搭载有器件芯片的第1基板；第2基板准备步骤，准备具有能够收纳器件芯片的多个凹部的第2基板；贴合步骤，按照将器件芯片收纳于凹部的方式将第1基板与第2基板贴合；磨削步骤，将第2基板磨削至凹部露出为止；树脂模制步骤，向多个凹部提供树脂而利用树脂覆盖器件芯片；以及分割步骤，将第1基板和第2基板分割，由此制造分别具有器件芯片的多个封装器件。
- 封装器件制造方法
- [发明专利]加工装置的使用方法-CN202010036199.9有效
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三谷修三
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株式会社迪思科
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2020-01-14
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2023-09-12
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B24B7/06
- 提供加工装置的使用方法，按照相同的加工条件利用磨削装置来磨削不同种类的被加工物，节省按照被加工物的种类更换盒的工夫。加工装置的使用方法具有如下步骤：被加工物准备步骤，将集合盒载置于第一盒载置台，将第一种类区分盒载置于第二盒载置台，该集合盒包含分别对以相同的加工条件进行加工的多个种类的被加工物进行收纳的多个层，该第一种类区分盒收纳加工后的被加工物中的第一种类的被加工物；登记步骤，将第一种类的被加工物被收纳于集合盒的第几层的信息登记于控制单元；磨削步骤，利用磨削单元对从集合盒中搬出的第一种类的被加工物进行磨削；和收纳步骤，将磨削后的第一种类的被加工物根据登记于控制单元的信息而收纳于第一种类区分盒。
- 加工装置使用方法
- [发明专利]加工装置-CN202010097118.6有效
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山中聪
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株式会社迪思科
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2020-02-17
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2023-09-12
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B24B7/22
- 提供加工装置，其缩短加工装置的待机时间。早期通知设定部(31)在第1盒(51)所收纳的所有的晶片(W)的加工结束之前，例如在第1盒(51)内的晶片(W)的剩余数量成为规定数量以下时、或在特定的晶片(W)从第1盒(51)中被取出之后，根据所加工的晶片(W)的位置使指示灯(60)通知规定的信号。即，能够在对于所有的晶片(W)的加工的结束前向作业者通知例如对于所有的晶片(W)的加工即将结束。由此，作业者能够根据指示灯(60)所通知的信号而进行作业。由此，作业者能够缩短磨削装置(1)的待机时间。
- 加工装置
- [发明专利]半导体封装的制造方法-CN201810337040.3有效
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金永奭;张秉得
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株式会社迪思科
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2018-04-16
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2023-09-12
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H01L21/78
- 提供半导体封装的制造方法，在拾取半导体封装时抑制飞边的产生。该半导体封装的制造方法是利用密封剂对布线基板(11)上的半导体芯片(12)进行了密封的半导体封装(10)的制造方法，利用V刀具(28)从半导体封装基板(15)的树脂层(13)侧沿着分割预定线形成V槽(29)，沿着V槽将布线基板分割而分割成各个半导体封装，在封装侧面(23)形成斜面(25)和铅直面(26)，在封装上表面(22)和封装侧面上形成屏蔽层(16)。此时，通过在封装间隔的铅直面侧调整高宽比，从而在封装上表面上和封装斜面上形成适当的屏蔽层来确保屏蔽效果，并且在封装的铅直面和封装之间的槽底上较薄地形成屏蔽层来抑制飞边的产生。
- 半导体封装制造方法
- [发明专利]分割装置-CN202310166320.3在审
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有贺真也;小林弘明
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株式会社迪思科
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2023-02-24
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2023-09-05
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H01L21/67
- 本发明提供分割装置，其能够将晶片在分割预定线处可靠地分割。在分割装置中设置有第2相机，该第2相机形成用于判定是否在第1分割预定线处将晶片分割的第2图像。即，在该分割装置中，能够根据第2图像，确认是否在第1分割预定线处将晶片分割。因此，在该分割装置中，即使在晶片的一部分在第1分割预定线处残留而晶片未被分割的情况下，也能够按照在该第1分割预定线处将晶片分割的方式使分割单元再次进行动作。其结果是，在该分割装置中，能够将晶片在第1分割预定线处可靠地分割。
- 分割装置
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