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[发明专利]噪声消除器装置-CN201680029574.9有效
发明人：串冈洋一;高岛光博 -专利权人： 株式会社日立国际电气
申请日： 2016-04-25 - 公布日： 2019-06-25 - 主分类号： H04B1/10 文献下载
摘要：课题：提供一种能够除去来自其他系统的干扰信号、使希望信号的通信品质提高的噪声消除器装置。解决手段：将由副天线(12)接收到的干扰信号用第1相关值计算部(13)进行互相关的处理，由第1峰值检测部(14)检测干扰信号的峰值，由第1干扰信号信息取得部(15)取得干扰信号信息，由干扰信号合成部(16)将干扰信号合成，由第2相关值计算部(18)进行由主天线(11)接收到的信号与合成后的干扰信号的相关处理，第2峰值检测部(19)检测合成后的干扰信号的峰值，由第2干扰信号信息取得部(20)取得干扰信号信息，由干扰信号复制品生成部(21)生成干扰信号复制品，由干扰信号除去部(23)从由主天线(11)接收到的信号中将干扰信号复制品减去。
噪声消除装置

[发明专利]半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置-CN201710764181.9在审
发明人：水口靖裕 -专利权人： 株式会社日立国际电气
申请日： 2017-08-30 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法、记录介质及衬底处理装置。要解决的问题为能够容易地掌握处理室的状态。为解决上述问题，提供一种具有下述工序的技术：预热工序，在处理室中不存在衬底的状态下，对设置于处理室的加热部、和控制处理室的气氛的气氛控制部进行控制，并且对表示处理室的状态的第一处理室数据进行检测；和衬底处理工序，在处理室中存在衬底的状态下，控制加热部和气氛控制部，对衬底进行处理，并且对表示处理室的状态的第二处理室数据进行检测；在衬底处理工序中，将第一处理室数据及第二处理室数据、与预先取得的预热工序中的第一基准数据及衬底处理工序中的第二基准数据一同在显示画面中显示。
衬底处理衬底衬底处理装置半导体器件第一处理室气氛控制部基准数据预热工序加热部控制处理显示画面检测制造

[发明专利]无线通信系统无线通信装置、无线通信方法、可动栅栏控制系统、通信装置及可动栅栏装置-CN201480078879.X有效
发明人：加岛谦一 -专利权人： 株式会社日立国际电气
申请日： 2014-05-20 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： B61L23/00 文献下载
摘要：一种无线通信系统，具备第1无线通信装置以及在与所述第1无线通信装置之间进行无线通信的第2无线通信装置，所述第1无线通信装置与所述第2无线通信装置中的一个被设置于移动体中，并固定另一个，其中，所述第1无线通信装置具备无线发送接收部，其在与所述第2无线通信装置之间进行数据传送，且进行用于检测所述移动体停止的无线发送接收，在与所述第2无线通信装置之间进行数据传送的同时判定接收信号的接收强度是否在第1值以上的第1模式中，若检测出所述接收强度在第1值以上，则停止与所述第2无线通信装置之间的数据传送并结束所述第1模式，转移到对所述移动体是否已停止进行检测的第2模式，在所述第2模式中检测出所述移动体停止后，结束所述第2模式，并在与所述第2无线通信装置之间进行数据传送。
无线通信系统装置方法栅栏控制系统通信

[发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置-CN201510981900.3有效
发明人：须田敦彦;丰田一行;菊池俊之 -专利权人： 株式会社日立国际电气
申请日： 2015-12-23 - 公布日： 2018-11-20 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。抑制半导体器件的特性偏差。具有下述工序：对在凸结构上具有实施了研磨后的第一含硅层的衬底的所述第一含硅层的膜厚分布数据进行接收的工序；基于膜厚分布数据，运算使衬底的中央面侧的膜厚与外周面侧的膜厚之差减小的处理数据的工序；将衬底搬入处理室的工序；向衬底供给处理气体的工序；和基于处理数据，在衬底上形成规定磁力的磁场、使处理气体活化，从而修正所述第一含硅层的膜厚分布的工序。
半导体器件制造方法衬底处理装置

[发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置-CN201610061520.2有效
发明人：大桥直史;中山雅则;须田敦彦;丰田一行;松井俊 -专利权人： 株式会社日立国际电气
申请日： 2016-01-28 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。可抑制半导体器件的特性偏差。具有下述工序：对具有实施了研磨的第一绝缘膜的衬底的第一绝缘膜的膜厚分布数据进行接收的工序；基于膜厚分布数据，运算使衬底的中心侧的膜厚与外周侧的膜厚之差减小的处理数据的工序；将衬底搬入处理室的工序；向衬底供给处理气体的工序；和基于处理数据，以使生成于衬底的中心侧的处理气体的活性种的浓度与生成于衬底的外周侧的处理气体的活性种的浓度不同的方式使处理气体活化，从而修正第一绝缘膜的膜厚分布的工序。
半导体器件制造方法衬底处理装置

[发明专利]清洁方法、半导体器件的制造方法及衬底处理装置-CN201510367912.7有效
发明人：小仓慎太郎;笹岛亮太 -专利权人： 株式会社日立国际电气
申请日： 2015-06-29 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：清洁方法、半导体器件的制造方法及衬底处理装置，抑制由进行清洁处理导致的排气管的腐蚀。交替地重复：通过向处理衬底的处理室内供给清洁气体，并经由排气管排出处理室内的清洁气体而清洁处理室内的工序；和通过维持实质停止了清洁气体向排气管内的流通的状态而冷却排气管的工序。
清洁方法半导体器件制造衬底处理装置

[外观设计]密封盖外罩-CN201830264294.8有效
发明人：冈岛优作;西堂周平;吉田秀成 -专利权人： 株式会社日立国际电气
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： 08-07 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：密封盖外罩。2．本外观设计产品的用途：本产品为一种密封盖，其用于覆盖在封闭半导体制造装置处理容器开口的密封盖（盖体）上，使其可以从处理气体中保护密封盖。3．本外观设计产品的设计要点：本外观设计产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图1。
外观设计密封盖外罩半导体制造装置处理气体处理容器盖体开口封闭覆盖图片

[外观设计]半导体制造装置的隔热单元用支柱-CN201830262236.1有效
发明人：冈嶋优作;西堂周平;吉田秀成 -专利权人： 株式会社日立国际电气
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2018-11-02 - 主分类号： 08-08 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：半导体制造装置的隔热单元用支柱。2．本外观设计产品的用途：是在对半导体晶片等基板进行处理的反应管内将从基板处理区域向炉口方向的热传导切断的隔热单元用支柱，设置于将基板多级保持的舟皿的下方而使用。3．本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。
外观设计隔热单元半导体制造装置基板半导体晶片基板处理炉口方向反应管热传导舟皿图片

[发明专利]衬底处理装置以及衬底的生产方法-CN201410459438.6有效
发明人：田边光朗;柳泽爱彦;汤浅和宏;境正宪;坪田康寿 -专利权人： 株式会社日立国际电气
申请日： 2014-09-10 - 公布日： 2018-10-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理装置以及衬底的生产方法，解决了如下问题：衬底载置部外周的热由构成气体分散通道的壁吸收，结果，难以使衬底面内的温度均匀。具有：腔室盖部，具有第一加热机构；衬底载置部，靠近该腔室盖部，并具有用于加热衬底的第二加热机构；处理容器，至少由所述腔室盖部和所述衬底载置部构成；控制部，在所述第二加热机构加热所述衬底载置部时，控制所述第一加热机构从而抑制来自所述第二加热机构的热能从所述衬底载置部向所述腔室盖部热传递。
衬底处理装置以及生产方法

[发明专利]衬底支承件、衬底处理装置及半导体器件的制造方法-CN201810214323.9在审
发明人：野野村一树;山崎裕久 -专利权人： 株式会社日立国际电气
申请日： 2018-03-15 - 公布日： 2018-10-23 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及衬底支承件、衬底处理装置及半导体器件的制造方法。目的在于，提供在维持衬底支承件的强度的同时、减小对处理结果的影响。解决手段为提供一种构成，所述构成上下隔开间隔地水平支承多个衬底，并且具有：主支柱，其设置有支承衬底的衬底保持部；和辅助支柱，其直径比主支柱的直径大且比衬底保持部的长度小，并且，辅助支柱与衬底的端部的距离设置为比衬底的端部与在设置于主支柱的相邻的衬底保持部间构成的主支柱的表面的距离短，并且构成为不与衬底接触。
主支柱衬底衬底保持部衬底支承件衬底处理装置半导体器件辅助支柱衬底接触隔开间隔距离设置水平支承减小支承制造

[外观设计]基板处理装置用气体供给喷管-CN201830202248.5有效
发明人：冈嶋优作;加贺谷彻;平松宏朗;江端慎也 -专利权人： 株式会社日立国际电气
申请日： 2018-05-07 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： 23-01 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：基板处理装置用气体供给喷管。2．本外观设计产品的用途：是使用于对在反应管内部沿垂直方向多级保持的基板进行处理的基板处理装置的气体供给喷管。3．本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。
外观设计基板处理装置喷管气体供给反应管基板图片

[发明专利]衬底处理装置、光刻用模板的制造方法及记录程序的记录介质-CN201710697329.1在审
发明人：大桥直史 -专利权人： 株式会社日立国际电气
申请日： 2017-08-15 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种能够抑制产生微粒的衬底处理装置、光刻用模板的制造方法、记录程序的记录介质。根据本发明的一个方案，提供如下技术，具有：衬底载置台，其具有支承衬底中的非接触区域的背面的凸部、和与上述凸部一起构成空间的底部，该衬底在中央具有图案形成区域且在外周具有上述非接触区域；处理室，其具有上述衬底载置台；处理气体供给部，其向上述处理室供给处理气体；和热气体供给部，其向上述空间供给热气体。
衬底衬底处理装置非接触区域记录程序热气体载置台光刻凸部处理气体供给部图案形成区域处理气体供给部外周支承制造

[外观设计]基板处理装置用气体供给喷管-CN201830202247.0有效
发明人：冈嶋优作;加贺谷彻;平松宏朗;江端慎也 -专利权人： 株式会社日立国际电气
申请日： 2018-05-07 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： 23-01 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：基板处理装置用气体供给喷管。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品是使用于对在反应管内部沿垂直方向多级保持的基板进行处理的基板处理装置的气体供给喷管。3．本外观设计产品的设计要点：在于产品的形状。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图。
外观设计基板处理装置喷管气体供给反应管基板图片

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置、气体供给系统-CN201510707965.9有效
发明人：森谷敦;中矶直春;渡桥由悟;村上孝太郎 -专利权人： 株式会社日立国际电气
申请日： 2015-10-27 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置、气体供给系统、立体闪存、动态随机存储器及半导体器件。本发明的课题在于在表面的至少一部分露出有绝缘膜的衬底上形成Si膜时，提高所形成的Si膜的膜质。本发明的技术手段为具有：衬底，由单晶硅构成；绝缘膜，形成于衬底的表面；第一硅膜，通过在单晶硅上以单晶硅为基底进行同质外延生长而形成；和第二硅膜，形成于绝缘膜上，且晶体结构与第一硅膜不同。
半导体器件制造方法衬底处理装置气体供给系统立体闪存动态随机存储器

[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及气体整流部-CN201510397751.6有效
发明人：野内英博 -专利权人： 株式会社日立国际电气
申请日： 2015-07-08 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种使形成于衬底上的膜的特性和对衬底面内的处理均匀性提高、并使制造生产能力提高的衬底处理装置、半导体器件的制造方法以及气体整流部。所述衬底处理装置包括：处理室，收纳衬底；衬底支承部，载置所述衬底；第一气体供给部，向所述衬底供给第一气体；第二气体供给部，向所述衬底供给第二气体；以及流导调节部，具有使从多处供给的吹扫气体压力均衡的气体均压部，向所述衬底支承部的外周端侧供给由该气体均压部进行压力均衡后的吹扫气体，并至少调节所述第一气体或第二气体中任一方的排气流导。
衬底衬底处理装置半导体器件衬底支承部气体供给部气体整流部吹扫气体压力均衡均压制造处理均匀性收纳衬底面排气流外周端流导载置生产能力

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