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[发明专利]用于卫星上的空间光电成像元件的热管理装置及方法-CN202310640188.5在审
发明人：李林;王立;袁利;朱飞虎;付伟纯;郭绍刚;柯尊贵;张运方;郑然;史广青;张恒康;赵琴;尹路 -专利权人：北京控制工程研究所
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H05K7/20 文献下载
摘要：本发明涉及卫星光电测量与感知技术领域，尤其涉及一种用于卫星上的空间光电成像元件的热管理装置及方法，热管理装置包括支架、金属壳、电路板、二级TEC制冷组件、热沉、微型热管和传热固定底板，通过二级TEC制冷组件制冷，并与热沉、微型热管以及卫星舱体恒温板的串联设计，热沉、微型热与传热固定底板形成一整体热传导链，卫星舱体恒温板内部预埋有大型热管，通过热管内部工质循环将传热固定底板的热导出，完成光电成像元件的全流程热管理。实现大面阵单光子成像元件的热管理和轻小型化设计，通过传热固定底板的设置使热管理装置具备抗空间力学环境能力，适用于航天工程应用。热管理方法整体热管理过程简单、方便操作、热管理效果可靠。
用于卫星空间光电成像元件管理装置方法

[实用新型]一种用于蝶形探测器件封装的工装夹具-CN202223395336.1有效
发明人：姚梦麒;庞树帅;黄海华;呙长东;何永攀;刘期斌;柯尊贵;陈剑 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： B25H3/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于蝶形探测器件封装的工装夹具，包括下底座、置物台；将蝶形激光探测器主壳体放入置物台中的掏空结构中，I/O引脚放入台阶结构中；工装夹具定位孔用于蝶形激光探测器件定位，定位孔还可在夹取激光探测器件时使用，避免镊子等夹取工具损伤壳体金属镀层。此工装夹可大批量放置蝶形探测器件，用于封装工艺和储存运输，且具有便于夹取探测器件的定位孔，提高探测器件的大批量生产的效率和使用可靠性。整个工装夹具采用工程塑料材料，优点是坚固耐用、可耐高温冲击、成本低。本实用新型具有成本低、结构简单、可重复使用等特点。
一种用于蝶形探测器件封装工装夹具

[发明专利]一种用于高In组分InGaAs探测器的纺锤型缓冲层结构-CN202211707653.4在审
发明人：潘旭;刘绍斌;柯尊贵;陈剑;代千;覃文治;谢骞 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于高In组分InGaAs探测器的纺锤型缓冲层结构，包括在半导体衬底上外延In组分呈纺锤型递变的InGaAs外延层作为缓冲层。该缓冲层结构适用于半导体衬底上制备高In组分的InGaAs红外探测器，特别是波长大于1.7μm的InxGa1‑xAs(x0.53)探测器的制备，提高了制备高In组分InGaAs探测器在衬底选择上的自由度和结构选择上的多样性。由于纺锤型缓冲层呈现上下对称的结构，所以缓冲层中的应力状态可以更有效的阻止穿透位错等缺陷往缓冲层以上的器件有源区蔓延，有望提高吸收层的结晶质量，改善器件性能。纺锤型缓冲层思想对于其他较大失配材料体系的生长同样具有借鉴意义，具有很好的通用性，减小了失配材料生长对于衬底的束缚。
一种用于 in 组分 ingaas 探测器纺锤缓冲结构

[发明专利]一种二维半导体材料光电探测器及其制备方法-CN202211690373.7在审
发明人：郝昕;王超;王泽高;罗国凌;姚梦麒;柯尊贵;代千 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/103 文献下载
摘要：本发明公开了一种二维半导体材料光电探测器，其包括导电基片(1)、形成在导电基片(1)表面的电介质(2)、形成在电介质(2)表面两端的一对电极(3)；一对电极(3)之间及其表面上形成第一二维半导体材料分区(4)和第二二维半导体材料分区(5)，第一二维半导体材料分区(4)覆盖其中一个电极(3)和该其中一个电极(3)相邻区域，第二二维半导体材料分区(5)覆盖另一个电极(3)和该另一个电极(3)相邻区域；第一二维半导体材料分区(4)和第二二维半导体材料分区(5)中注入离子，形成载流子浓度不同的两个二维半导体材料分区。本发明适配现有硅COMS工艺，易于大规模生产，且易于调控探测器的载流子浓度，提升探测器的成品率及性能。
一种二维半导体材料光电探测器及其制备方法

[发明专利]铟镓砷盖革雪崩二极管自淬灭环结构制备方法-CN202211690411.9在审
发明人：代千;李宛励;袁菲;谢修敏;刘绍斌;梁丕刚;舒域鑫;陈庆敏;孔繁林;路小龙;梁晨宇;袁鎏;郑博仁;柯尊贵;郭雨航;李潇;宋海智 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2022-12-27 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明属于半导体光电器件技术领域，公开了一种铟镓砷盖革雪崩二极管自淬灭环结构制备方法，采用表面浅层Zn扩散工艺，在铟镓砷盖革雪崩二极管表面的i InP顶层上直接进行浅层Zn扩散，制备Zn掺杂自淬灭环结构，作为铟镓砷盖革雪崩二极管自身的被动淬灭电阻。本发明解决自由模式光子计数用铟镓砷盖革雪崩二极管存在的后脉冲高、死时间长的问题，通过实现低寄生效应的原位被动淬灭，有效提升铟镓砷盖革雪崩二极管的最大计数率，满足单光子计数探测需求。
铟镓砷盖革雪崩二极管自淬灭环结构制备方法

[发明专利]一种盖革模式三维激光成像焦平面阵列探测器成像性能测试系统-CN201811584566.8有效
发明人：孔繁林;柯尊贵;周小燕;钱煜;袁鎏;郝昕;邓世杰;梁晨宇;袁菲;黄海华;路小龙 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： G01S7/497 文献下载
摘要：本发明属于光电探测技术领域，具体涉及一种盖革模式三维激光成像焦平面阵列探测器成像性能测试系统。该系统采用窄脉冲半导体激光器光源，相比于外场成像试验用的大功率固体激光器，其体积小，功率低，成本低，输出光功率可调，是实现目标极微弱光照射的非常理想的激光光源；采用暗箱隔绝箱体外环境的杂散光，使进行单光子成像探测的准确性得到保证；通过调节窄脉冲半导体激光器的激光输出延迟和调节探测器与标靶距离，可实现室内模拟远距离目标的成像探测；通过调节错位标靶中两标靶之间的距离，可实现探测器的极限距离分辨率成像探测。本发明无需外场，在室内即可完成盖革模式三维激光成像焦平面阵列探测器成像性能的测试。
一种模式三维激光成像平面阵列探测器性能测试系统

[发明专利]小型化焦平面阵列测试数据采集和显示系统设计方法-CN202011592466.7有效
发明人：袁鎏;李潇;黄海华;孔繁林;路小龙;柯尊贵;周小燕 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G06F30/327 文献下载
摘要：本发明涉及一种小型化焦平面阵列测试数据采集和显示系统设计方法，其中，包括：S1、确定焦平面阵列测试数据采集和显示系统的总体架构；S2、在下位机中，对SoC芯片中的FPGA部分进行数字逻辑设计，提供焦平面阵列所需的工作时序并采集焦平面阵列获取的数据，工作时序信号与主时钟同步；S3、在下位机中，对SoC芯片中的ARM部分进行高级语言程序设计，采用双中断技术处理分别来自FPGA和上位机的中断请求，实现上位机与下位机的数据交换；S4、在上位机中，采用.NET框架设计图形界面对下位机进行控制，实现数据接收和解码，利用OpenTK以三维或二维模式对解码后的数据进行实时显示。
小型化平面阵列测试数据采集显示系统设计方法

[发明专利]基于实值降阶的单基地FDA-MIMO雷达距离角度联合估计方法-CN202111630154.5在审
发明人：杨赟秀;刘润东;舒勤;高军;童静;呙长冬;陈剑;柯尊贵;寇先果;余丽波 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2021-12-28 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： G01S7/41 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于实值降阶的单基地FDA‑MIMO雷达距离角度联合估计方法，属于FDA‑MIMO雷达研究技术领域。本发明基于实值降阶方法，利用正反向平均和酉变换技术将复值接收模型转化为实值接收模型，把原本复杂的复数运算转化成了实值运算，相比其他方法降低了计算复杂度，之后根据最大似然估计准则，计算出实值接收信号的协方差矩阵，并采用EVD，对实值协方差矩阵进行特征值分解，选取较小特征值对应的特征向量构成实值噪声子空间，再利用实值噪声子空间估计角度和距离。角度与距离估计方法，通过利用Kronecker积的性质，将角度和距离的二维搜索代价函数分解为两个一维搜索，在保证搜索精度的前提下，极大的减少了计算量。
基于实值降阶基地 fda mimo 雷达距离角度联合估计方法

[发明专利]一种用于硅基光敏芯片减薄的方法-CN202111491478.5在审
发明人：杨瑞雨;罗国凌;邓杰;谢修敏;刘永;王泽源;陈剑;柯尊贵 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于硅基光敏芯片减薄的方法，包括：硅片背面蒸铝、光刻掩模、磷酸腐铝、局部刻蚀减薄、后续工艺以及硅片划片分离得到光敏芯片。本发明不同于传统的在芯片级对单个光敏芯片减薄的方法，而是在晶圆级对硅片采用正面保护和背面局部减薄相结合的方式，既保证了硅基光敏芯片的减薄工艺，又确保了局部减薄硅片的机械强度还可以支持后续加工工艺。该方法简化了后续芯片级减薄的工艺流程，降低了光敏芯片在工艺制造过程碎片率，提高了芯片制备的成品率，降低了工艺成本。
一种用于光敏芯片方法

[发明专利]一种象限类光电探测器通电振动试验工装-CN201811594505.X有效
发明人：钱煜;蒲勋;周小燕;柯尊贵;袁鎏;孔繁林;刘从吉 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2018-12-25 - 公布日： 2021-01-08 - 主分类号： G01D18/00 文献下载
摘要：本发明属于光电探测器测试技术领域，具体涉及一种象限类光电探测器通电振动试验工装。该工装包括器件工装座、器件连接器和器件压环。本发明在原有不可通电振动试验工装的基础上进行改进，加入器件连接器装置，并用导线将各插针引出。将器件光窗朝下放入工装孔中，器件背面引脚插入连接装置，并用压环固定在器件工装座上，使其实现通电振动试验的功能。器件压环为中空结构，可将引线由压环中心引出，并不影响压环的压接使用。
一种象限光电探测器通电振动试验工装

[发明专利]一种微纳级半导体光电特性三维检测系统-CN201610712826.X有效
发明人：苏中;余丽波;赵旭;张昊;刘洪;付国栋;柯尊贵 -专利权人：北京信息科技大学
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：一种微纳级半导体光电特性三维检测系统，根据本发明的微纳级半导体光电特性三维检测系统包括：光信号激励源/CCD显微镜1，用于为晶圆4提供光激励输入信号，并提供机器视觉；IV/CV/脉冲/噪声测量装置12，用于对晶圆4提供激励信号并采集被测晶圆4输出信号；超低温环境水汽检测循环除湿装置13，用于检测并降低低水汽含量；大跨层温度控制装置14，为被测晶圆提供宽温环境；微弱信号提取单元11，用于测量被测晶圆输出的微弱信号；双重针压检测装置3及探针2，用于接触晶圆并对准位置及接触面；卡盘5，用于承载被测晶圆；四轴移动台体6，用于XYZ轴线性移动和R轴旋转移动；密封屏蔽暗箱7，用于为被测晶圆提供稳定的光暗、温湿度测试环境；控制计算机和数据分析软件15，用于实现系统的一体化协调控制，被测晶圆检测数据的处理及分析。根据本发明的微纳级半导体光电特性三维检测系统可实现高精度、高可靠的高低温条件下自动化的半导体光电特性三维检测。
一种微纳级半导体光电特性三维检测系统

[发明专利]一种用于焦平面探测器测试的开关机试验系统-CN201811584569.1在审
发明人：袁鎏;柯尊贵;孔繁林;王鸥;周小燕 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明属于属于电子产品自动化测试技术领域，具体涉及一种用于焦平面探测器测试的开关机试验系统。该系统根据焦平面探测器开关机可靠性试验需求，利用可编程时间继电器编程产生特定的时序关系，经由继电器转接PCB反复进行开关步骤，从而对制冷机电源与制冷机之间、FPGA开发板电源与FPGA开发板之间、低压和高压电源与待测焦平面探测器之间的通路进行自动通断控制，实现待测产品的自动反复开关机控制功能。
焦平面探测器开关机试验系统继电器可编程时间继电器自动化测试技术反复开关机可靠性试验制冷机电源测试待测产品高压电源开关步骤控制功能时序关系自动通断转接制冷机电子产品编程电源

[发明专利]公共极进光半导体光电二极管阵列芯片测试用工装夹具-CN201518011198.9有效
发明人：孔繁林;柯尊贵;李龙;邓世杰;袁菲 -专利权人：西南技术物理研究所
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： G01R1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种公共极进光半导体光电二极管阵列芯片测试用工装夹具，包括：水平底座、积分球、方形固定架、玻璃板；方形固定架设置在水平底座上，方形固定架内部放置积分球；方形固定架顶部开宽槽，宽槽内中心开圆孔，圆孔与积分球出光孔对应；积分球和方形固定架侧壁开小孔，通过螺丝固定安装光纤FC接头卡座，用以积分球进光；玻璃板固定在所述宽槽内，玻璃板上表面中心开有方孔，方孔区域外的玻璃板表面上镀金；所述宽槽两侧设置有压片，压片通过螺丝固定在方形固定架顶部，两压片的尖端分别套上软塑料套用以固定压紧玻璃板。本发明稳定好、可靠性强。
公共极进光半导体光电二极管阵列芯片测试用工夹具

[实用新型]一种APD组件动态测试装置-CN201820954618.5有效
发明人：尹力;柯尊贵;孔繁林;孟伟杰;赵新华 -专利权人：四川西物数码有限责任公司
申请日： 2018-06-20 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： G01R31/26 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种APD组件动态测试装置，其可以尽量测试多种APD组件的参数，满足APD组件的生产测试需求。该APD组件动态测试装置包括：可调光源模块，用于为雪崩光电二极管APD提供测试光信号；可调偏压模块，与所述APD的输入端连接，用于向所述APD输出电压信号；输出调节模块，与所述APD的输出端连接，用于调节所述APD的输出信号的幅度值及调节所述APD的增益；测试模块，与所述APD连接，用于在所述APD输入的所述测试光信号的参数的情况下，测试输出所述APD的第一工作电压，以及所述APD在所述第一工作电压的最小可探测功率。
测试装置组件动态测试光信号工作电压雪崩光电二极管输出电压信号输出调节模块本实用新型输出端连接输入端连接测试测试模块可调光源偏压模块生产测试输出信号探测功率可调输出

[发明专利]一种直线电机大行程位移精度精密控制方法-CN201610714612.6在审
发明人：余丽波;赵旭;柯尊贵;李连鹏;刘洪;苏中;付国栋 -专利权人：北京信息科技大学
申请日： 2016-08-24 - 公布日： 2016-12-14 - 主分类号： H02P25/06 文献下载
摘要：一种直线电机大行程位移精度精密控制方法，该方法包括以下步骤：（1）研究直线电机工作原理，建立直线电机数学模型；（2）在建立直线电机数学模型的基础上，针对系统的动态品质要求进行内膜控制器设计；（3）面对实际控制对象模型误差及驱动器饱和效应对控制器的约束，在内模控制的基础上对控制器结构加以改进建立模型状态反馈控制器；（4）建立直线电机精密位移移动平台轨迹跟踪控制器。本发明应用于直线电机驱动控制系统，在建立直线电机动态数学模型及设计多个控制器基础上，克服了控制直驱伺服系统的非线性、不确定性和动态复杂性，实现了大行程下位移精度精密控制，为微纳级半导体光电特性三维检测仪等大行程、高精度检测提供精准移动平台。
一种直线电机行程位移精度精密控制方法

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