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[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置以及记录介质-CN201910886619.X在审
发明人：水口靖裕;大桥直史;高崎唯史;松井俊 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-09-19 - 公布日： 2019-12-06 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置的制造方法、基板处理装置以及记录介质。能提供用于实现进行维护处理的定时的合理化的技术。该技术具有：将基板从储存有多个基板的储存容器搬运到处理室并进行处理的工序；受理处理室的维护预约信息的工序；以及在受理维护预约信息后，在与维护预约信息相关的处理室中的基板处理完成之前继续进行基板处理，在完成基板处理后停止向处理室的基板搬运并使处理室成为可维护状态的工序。
预约信息基板处理维护基板处理装置半导体装置储存容器多个基板基板搬运完成基板维护状态受理基板合理化搬运储存制造

[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质-CN201910710017.9在审
发明人：大桥直史;菊池俊之;松井俊;高崎唯史 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2019-11-08 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供衬底处理装置、半导体器件的制造方法及记录介质，使生产率提高。具有：加载端口，其载置多个收容有多个衬底的储存容器；能够收容衬底的多个处理室；搬送部，其将储存于储存容器的多个衬底分别向多个处理室搬送；运算部，其在从多个储存容器中的一个分别向多个处理室以规定顺序搬送多个衬底并对其进行处理、且在处理室内无衬底的状态下进行了处理时，计算与处理室对应的数据表的第一计数数据；存储数据表的存储部；和控制部，其对具有数据表中最大的第一计数数据的处理室的表赋予第一搬送标志数据，在搬送储存于一个储存容器的下一个储存容器内的多个衬底时，以基于第一搬送标志数据以规定顺序搬送多个衬底的方式控制搬送部。
衬底储存容器衬底处理装置半导体器件标志数据计数数据搬送部收容储存方式控制加载端口存储部运算部载置制造存储室内赋予

[发明专利]基板处理系统、半导体装置的制造方法及记录介质-CN201811097521.8在审
发明人：大桥直史;菊池俊之;松井俊;高崎唯史 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2018-09-19 - 公布日： 2019-10-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理系统、半导体装置的制造方法及记录介质，能够提高具有多个处理室的处理装置的生产率。基板处理系统具有：载置多个收容有多个基板的容纳容器的装载口；能够处理基板的多个处理室；将在容纳容器内容纳的多个基板按照预定顺序向多个处理室分别搬送的搬送部；生成对应于多个处理室的各自的第一计数数据的计算部；存储第一计数数据的存储部；以及控制搬送部的控制部，以使得在向对应于第一计数数据中最大计数数的处理室的下一个处理室赋予搬送标识数据、搬送容纳容器的下一个容纳容器所容纳的多个基板时，将多个基板基于搬送标识数据按照预定顺序来进行搬送。
多个基板容纳容器基板处理系统计数数据半导体装置标识数据搬送部处理基板处理装置存储部计算部装载口载置制造收容存储容纳赋予

[发明专利]衬底处理装置-CN201811618910.0在审
发明人：八幡橘;大桥直史;松井俊 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理装置。本发明的课题为能够使对衬底的处理的品质(例如，成膜而得的膜的品质)良好。本发明的解决手段为提供下述技术，其具有：处理室，其对衬底进行处理；衬底支承部，其支承衬底；升降部，其使衬底支承部升降；气体供给口，其向衬底供给气体；和控制部，其以使得从气体供给口供给气体时的气体供给口与支承于衬底支承部的衬底的间隔可变的方式控制升降部的升降动作。
衬底衬底支承部气体供给口升降衬底处理装置供给气体支承方式控制升降动作可变的成膜

[发明专利]基板处理装置及系统、半导体装置的制作方法、记录介质-CN201910101203.2在审
发明人：水口靖裕;大桥直史;高崎唯史;松井俊 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-01-31 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种基板处理装置。本发明的课题是用于对基板处理装置实现高效的管理的技术。具备：处理室，其对基板进行处理；位置信息取得部，其取得处理室的位置信息；存储部，其保存位置信息；信息控制部，其将位置信息取得部取得的位置信息保存在存储部中，并且根据需要输出存储部所保存的位置信息。
位置信息取得部基板处理装置存储部对基板保存位置信息位置信息保存半导体装置处理装置输出存储信息控制保存制作管理

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质-CN201811034110.4在审
发明人：镰仓司;盛满和广;板谷秀治;西谷英辅;松井俊 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2018-09-05 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。本发明的课题在于提供：在对衬底交替供给第一处理气体和第二处理气体的等离子体的循环处理的情况下，能够良好地实施对该衬底的处理的技术。本发明的解决手段为提供下述技术，该技术具有下述工序：第一工序，向收容有衬底的状态的处理空间供给第一处理气体、并且作为第一处理气体的载气而使用非活性气体；和第二工序，向收容有衬底的状态的处理空间供给第二处理气体的等离子体、并且作为第二处理气体的载气而使用活性辅助气体。
处理气体衬底等离子体衬底处理装置半导体器件处理空间载气收容非活性气体辅助气体交替供给循环处理制造

[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法-CN201510997486.5有效
发明人：大桥直史;菊池俊之;松井俊;高崎唯史 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2015-12-25 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法。能够提高具有多个处理室的处理装置的生产率。具有：腔室，对衬底进行处理；处理单元，具备多个腔室；真空搬送室，连接有多个处理单元；加载互锁室，与真空搬送室连接；装载端口，能够载置多个容纳有多片衬底的容纳容器；大气搬送室，设置于加载互锁室与装载端口之间，具有第一搬送机械装置；第二搬送机械装置，设置于真空搬送室，在加载互锁室与腔室之间搬送衬底；和控制部，控制第一搬送机械装置和第二搬送机械装置，以便将收纳于第X(X为自然数)个容纳容器的最后的衬底搬送至第m(m为自然数)个处理单元中处于无衬底状态的多个腔室中的一个腔室，将收纳于第X+1个容纳容器的多个衬底中最先搬送的衬底搬送至第m+1个处理单元中的多个所述腔室中的任一个。
衬底处理装置半导体器件制造方法

[发明专利]衬底处理系统及装置、半导体器件的制造方法及记录介质-CN201810169199.9在审
发明人：水口靖裕;菊池俊之;大桥直史;高崎唯史;松井俊 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2018-02-28 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理系统及装置、半导体器件的制造方法及记录介质。目的在于提供实现高效的生产管理的技术。衬底处理系统，具有衬底处理装置和共用移动终端，所述衬底处理装置具备：处理衬底的反应器；与所述反应器邻接的搬送室；检测部，其检测所述搬送室或所述反应器的状态作为装置监测器信息；共用移动终端认证部，其对来自所述共用移动终端的信息进行认证；和第一发送接收部，其将包含装置管理编号与所述装置监测器信息的装置信息发送至所述共用移动终端；所述共用移动终端具备：接收所述装置信息的第二发送接收部、和显示所述装置信息的显示部。
移动终端衬底处理系统装置信息反应器监测器衬底处理装置半导体器件发送接收部搬送室移动终端认证装置管理邻接生产管理检测衬底制造发送认证

[发明专利]半导体装置的制造方法、存储介质及基板处理装置-CN201910173482.3在审
发明人：镰仓司;田边光朗;大桥直史;西谷英辅;高崎唯史;松井俊 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供半导体装置的制造方法、存储介质及基板处理装置，解决因在基板上形成的器件结构而导致基板的处理品质降低的问题。半导体装置的制造方法包括如下工序，即：接收基板数据的工序，该基板数据包含形成在基板上的器件的层数及结构的任一方或双方；设定与基板数据对应的装置参数的工序；在基板载置台的上方支撑与基板数据对应的基板的工序；在从基板载置台的表面远离的状态下基于装置参数使基板升温的第一升温工序；在第一升温工序之后使基板载置于基板载置台的工序；以及在处理室内对基板进行处理的工序。
基板半导体装置基板载置台基板数据基板处理装置存储介质升温工序装置参数制造接收基板器件结构对基板室内支撑

[发明专利]衬底处理装置、半导体器件的制造方法-CN201610804113.6有效
发明人：油谷幸则;松井俊 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2016-09-06 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种衬底处理装置、以及半导体器件的制造方法，能够抑制流体供给装置内的流体的温度因处理室的状况而发生变动。衬底处理装置具有：处理室，其处理衬底；流体供给部，其向处理室供给规定温度的流体；流体供给管，其从流体供给部向处理室供给流体；第一流体排出管，其从处理室向流体供给部排出流体；第二流体排出管，其设置有热交换部，从流体供给管向流体供给部排出流体；流路切换部，其设置在流体供给管与第二流体排出管的连接部；以及控制部，其与流体供给部和流路切换部连接。
衬底处理装置半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理系统及衬底处理装置-CN201510568466.6有效
发明人：大桥直史;中山雅则;须田敦彦;丰田一行;松井俊 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2015-09-08 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及抑制半导体器件特性偏差的半导体器件制造方法、衬底处理系统及衬底处理装置。该方法具有：研磨衬底的工序，衬底在具有多个布线用槽的第一绝缘膜上形成有金属膜；在衬底上形成第二绝缘膜的工序；第二绝缘膜研磨工序；接收第二绝缘膜的衬底面内的膜厚分布数据的工序；基于膜厚分布数据计算处理数据的工序，所述处理数据通过调节形成于研磨后的第二绝缘膜上的第三绝缘膜的膜厚分布来修正由研磨后的第二绝缘膜和第三绝缘膜形成的层合绝缘膜的膜厚分布；和基于处理数据、以使得生成于衬底中心侧的处理气体的活性种浓度和生成于衬底外周侧的处理气体的活性种浓度不同的方式使处理气体活化并形成第三绝缘膜、修正层合绝缘膜膜厚分布的工序。
半导体器件制造方法衬底处理系统装置

[发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置-CN201610061520.2有效
发明人：大桥直史;中山雅则;须田敦彦;丰田一行;松井俊 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2016-01-28 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。可抑制半导体器件的特性偏差。具有下述工序：对具有实施了研磨的第一绝缘膜的衬底的第一绝缘膜的膜厚分布数据进行接收的工序；基于膜厚分布数据，运算使衬底的中心侧的膜厚与外周侧的膜厚之差减小的处理数据的工序；将衬底搬入处理室的工序；向衬底供给处理气体的工序；和基于处理数据，以使生成于衬底的中心侧的处理气体的活性种的浓度与生成于衬底的外周侧的处理气体的活性种的浓度不同的方式使处理气体活化，从而修正第一绝缘膜的膜厚分布的工序。
半导体器件制造方法衬底处理装置

[发明专利]衬底处理装置和半导体器件的制造方法-CN201410504987.0有效
发明人：丰田一行;松井俊 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2014-09-26 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明的课题在于使形成在衬底上的膜厚和膜的特性在衬底面内不同，并使生产能力提高。本发明涉及衬底处理装置及半导体器件的制造方法，衬底处理装置具有：收纳衬底的处理室；从衬底上方供给第一处理气体的第一处理气体供给部；从衬底上方供给第一反应气体的第一反应气体供给部；从衬底侧方供给第二处理气体的第二处理气体供给部；从衬底侧方供给第二反应气体的第二反应气体供给部；和控制部，其以如下方式控制：在处理气体供给工序和反应气体供给工序中的任一工序或者两个工序中，使向衬底中心侧供给的处理气体供给量与向衬底外周侧供给的处理气体供给量不同、或者使向衬底中心侧供给的反应气体供给量与向衬底外周侧供给的反应气体供给量不同。
衬底处理装置半导体器件制造方法

[发明专利]衬底处理装置及半导体器件的制造方法-CN201610109193.3有效
发明人：大桥直史;丰田一行;松井俊 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2016-02-26 - 公布日： 2018-05-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：衬底处理装置及半导体器件的制造方法，为了抑制形成在衬底上的膜的面内均匀性的降低而能够局部调整处理区域的等离子体分布。衬底处理装置，包括：衬底载置部，供衬底载置；分割构造体，在与衬底载置部相对的空间形成处理区域；气体供给部，向分割构造体所形成的处理区域供给处理气体；等离子体生成部，将气体供给部向处理区域供给的处理气体形成为等离子体状态并生成处理气体的活性种，并在形成等离子体状态时，按处理区域的部分而分别独立控制活性种的活性度。
衬底处理装置半导体器件制造方法

[发明专利]衬底处理装置、气体整流部、半导体器件的制造方法-CN201510461468.5有效
发明人： 松井俊;盛满和广;丰田一行 -专利权人：株式会社日立国际电气
申请日： 2015-07-30 - 公布日： 2017-11-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：衬底处理装置、气体整流部、半导体器件的制造方法，抑制衬底的温度分布变得不均匀且处理均匀性下降。具有处理衬底的处理室；衬底载置台，设置于处理室内，并载置衬底；加热衬底的加热部；气体整流部，向衬底供给处理气体；密封部，设置于气体整流部；隔热部，设置于密封部与气体整流部的上游侧表面之间；以及第一压力调整部，与隔热部连接。
衬底处理装置气体整流半导体器件制造方法