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[发明专利]柔性混合电子基板及包含其的电子织物-CN202111579758.1在审
发明人：江奕宏;柯宏宪;梁闵雄;林德勋;杨镇在;余皓媁 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H05K1/02 文献下载
摘要：本发明公开一种柔性混合电子基板及包含其的电子织物。所述柔性混合电子基板，包括：第一区；以及第二区，所述第一区与所述第二区之间具有接合处，其中所述第一区以及所述第二区各自包括选自由以下结构特征所组成的组中的至少一种：多层结构特征、非均向性结构特征以及预应变结构特征。
柔性混合电子包含织物

[发明专利]多模感知协同训练系统及多模感知协同训练方法-CN202211326934.5在审
发明人：柯宏宪;陈恒殷;杨镇在 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2022-10-25 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： A61B5/11 文献下载
摘要：本公开涉及一种多模感知协同训练系统及多模感知协同训练方法，该多模感知协同训练系统包括体态传感器、传感模块、运算模块和显示模块。体态传感器感测与使用者的训练动作相关的体态数据和肌电数据。传感模块根据体态数据输出肢体扭力数据，并根据肌电数据输出肌群启动时间数据。运算模块根据骨架坐标系统分别将肢体扭力数据和肌群启动时间数据转换为力矩‑骨架坐标系统和肌力特征值‑骨架坐标系统，对力矩‑骨架坐标系统和肌力特征值‑骨架坐标系统进行融合演算，根据融合演算的结果对训练动作计算评估数据，根据评估数据判定训练动作对应已知运动动作之一。显示模块显示评估数据和已知运动动作。
感知协同训练系统方法

[发明专利]重布线结构及其形成方法-CN202110016793.6在审
发明人：郭书玮;杨镇在;郑惟元;朱建勋;郑少斐 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2021-01-07 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种重布线结构及重布线结构的形成方法，包括：在衬底上形成彼此电性绝缘的第一重布线层与第一补偿线路层，所述第一补偿线路层环绕在所述第一重布线层的周围；在所述第一重布线层与所述第一补偿线路层上形成第一介电层；以及在所述第一介电层上形成彼此电性绝缘的第二重布线层与第二补偿线路层，所述第二补偿线路层环绕在所述第二重布线层的周围，所述第二补偿线路层与所述第一补偿线路层连接，且所述第二重布线层与所述第一重布线层连接。
布线结构及其形成方法

[发明专利]芯片封装结构-CN201911374394.6在审
发明人：林德勋;杨镇在;吴观竹;颜劭安 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开一种芯片封装结构，其包括基板、重布线层、芯片以及包封体。所述重布线层设置于所述基板上。所述芯片设置于所述重布线层上且与所述重布线层电连接。所述包封体设置于所述重布线层上且包封所述芯片。所述芯片封装结构具有高应力区与低应力区，且自俯视方向来看，所述芯片位于所述高应力区中，所述低应力区围绕所述高应力区。所述重布线层包括位于所述高应力区中的至少一第一元件，且自俯视方向来看，所述至少一第一元件的延伸方向与其位置处的应力方向平行。
芯片封装结构

[发明专利]软性混合电子系统及降低此软性混合电子系统冲击的方法-CN202010103892.3在审
发明人：彭昱铭;吴观竹;张凯铭;杨镇在 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2020-02-20 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明公开一种软性混合电子系统及降低此软性混合电子系统冲击的方法，其中该软性混合电子系统包括：载板、第一重布线结构、第一元件以及包封层。第一重布线结构位于载板上。所述载板具有第一杨氏系数Y1。所述第一重布线结构具有第二杨氏系数Y2。第一元件位于所述第一重布线结构上。包封层包封所述第一元件。所述第一重布线结构的顶面至所述第一元件的所述顶面之间的所述第一元件以及部分所述包封层为第一部分，具有第三杨氏系数Y3。所述第一元件的所述顶面至所述包封层的顶面的另一部分所述包封层为第二部分具有第四杨氏系数Y4。Y3/Y4的比例介于1.62至1.98之间；Y3/Y2的比例介于0.18至0.22之间；以及Y3/Y1的比例介于280.62至342.98之间。
软性混合电子系统降低冲击方法

[发明专利]半导体封装重布线层结构-CN201711399770.8有效
发明人：林玠模;郭书玮;郑惟元;杨镇在 -专利权人：财团法人工业技术研究院;创智智权管理顾问股份有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2020-09-18 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体封装重布线层结构。包括介电层、上导线、下导线以及多个通孔。介电层具有厚度，上导线位于介电层上方，下导线位于介电层下方。该多个通孔贯穿该介电层且连结于该上导线与该下导线，每个通孔在第一导线上有截面，具有第三宽度，其中这些截面的第三宽度与介电层的厚度的比值为小于或等于1，且各个这些通孔的截面间的间距与该些通孔的第三宽度的比值至少为0.5以上。
半导体封装布线结构

[发明专利]电子元件封装结构及其制造方法-CN201910163010.X在审
发明人：庄瑞彰;杨镇在;郑惟元 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2019-03-05 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L23/29 文献下载
摘要：本揭露公开一种电子元件封装结构及其制造方法。电子元件封装结构包含第一电子元件层、第二电子元件层以及设置于第一电子元件层与第二电子元件层之间的填充层，其中第二电子元件层的杨氏系数小于或等于第一电子元件层的杨氏系数，且填充层的杨氏系数小于第二电子元件层的杨氏系数，第一电子元件层与填充层的杨氏系数比值为10～1900，第二电子元件层与填充层的杨氏系数比值为7.6～1300。
电子元件封装结构及其制造方法

[发明专利]芯片封装结构-CN201910052581.6在审
发明人：郑惟元;杨镇在 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2019-01-21 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明公开一种芯片封装结构，其包括重分布线路结构层、至少一芯片、及封装材料。重分布线路结构层包括至少一晶体管。芯片设置于重分布线路结构层上，并且与重分布线路结构层电连接。封装材料设置于重分布线路结构层上，并且包覆至少一芯片。在芯片封装结构包括一个或是多个芯片时，芯片的位置被作为至少一晶体管位置配置的参考。
芯片封装结构

[发明专利]半导体封装结构-CN201711223474.2在审
发明人：郭书玮;郑惟元;杨镇在;林玠模 -专利权人：财团法人工业技术研究院;创智智权管理顾问股份有限公司
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2019-03-22 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开一种半导体封装结构，包括重布线路结构、半导体芯片、上介电层、多个导电件以及封装胶层。重布线路结构包括重布线路层以及配置于重布线路层上的第一介电层。上介电层配置于半导体芯片与重布线路结构的第一介电层之间，其中第一介电层与上介电层为有机材料。多个导电件配置于重布线路层与半导体芯片之间，各导电件具有邻近于半导体芯片的第一端以及邻近于重布线路结构的第二端，其中各导电件的第一端与上介电层接触且各导电件的第二端与第一介电层接触。
导电件重布线路结构半导体芯片上介电层介电层重布线路层半导体封装结构第一端配置邻近封装胶层有机材料

[发明专利]分离装置及分离方法-CN201711468567.1在审
发明人： 杨镇在;杨克勤;陈世昌;王正苡;吴彦葶 -专利权人：财团法人工业技术研究院;创智智权管理顾问股份有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2019-03-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明公开一种分离装置及分离方法。该分离装置，适于将可挠薄膜从基板分离。分离装置包括分离单元及离形纹调整单元。分离单元适于施加拉力于可挠薄膜及基板的至少其中之一，以使可挠薄膜与基板相互分离。在可挠薄膜与基板相互分离的过程中，可挠薄膜的尚未分离于基板的部分与可挠薄膜的已分离于基板的部分之间形成离形纹。离形纹调整单元包括至少一位移感测元件及至少一施压元件。位移感测元件适于感测可挠薄膜与基板的相对位移状态以判断离形纹的分布。施压元件适于施加下压力于可挠薄膜或基板并依据相对位移状态而增加或减少下压力，以调整离形纹的分布。
可挠薄膜基板离形分离装置位移感测元件调整单元分离单元施压元件相对位移下压力施加基板分离感测

[发明专利]芯片封装结构-CN201711431909.2在审
发明人： 杨镇在;杨克勤;庄瑞彰;吴彦葶;吕嘉华 -专利权人：财团法人工业技术研究院;创智智权管理顾问股份有限公司
申请日： 2017-12-26 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本发明公开一种芯片封装结构，包括芯片封装层及至少一导电结构层。芯片封装层包括至少一芯片及封装胶体，其中芯片具有上表面，封装胶体包覆芯片且暴露上表面。导电结构层包括多个第一导电柱及多个第二导电柱，其中这些第一导电柱配置于上表面上，这些第二导电柱配置于上表面上，这些第二导电柱位于上表面的边缘与这些第一导电柱之间，这些第二导电柱沿边缘的延伸方向的密度大于或等于这些第一导电柱沿边缘的延伸方向的密度的1.2倍。
导电柱上表面芯片封装结构导电结构层封装胶体芯片封装芯片包覆芯片延伸配置暴露

[实用新型]真空平面玻璃结构-CN201020186201.2有效
发明人： 杨镇在;何明俊;黄昶仁;陈国华;萧世坚;高正杰;郭志彻;杨国志;王水泉 -专利权人：东元奈米应材股份有限公司
申请日： 2010-04-28 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： C03C27/10 文献下载
摘要：一种真空平面玻璃结构，包含有两片维持有一间隙的平板玻璃、黏着于两平板玻璃的周缘而密接两平板玻璃的玻璃胶。平板玻璃与玻璃胶共同构成一密封的真空腔体，平板玻璃的周缘处设有容纳缺口，且平板玻璃的内表面更凹设形成有与真空腔体连通的气室，及设有容纳一抽气管的玻管凹槽。抽气管可设于容纳缺口中，抽气管的内端部自容纳缺口经玻管凹槽伸入至气室，并且与气室连通。抽气管的外端部不超出于形成容纳缺口的几何空间外且成密封。通过气室的结构设计，能利于先前制程作业中提升空气传导效率与防止阻塞抽气管等的疑虑，以提升产品的品质。
真空平面玻璃结构

[实用新型]空间玻璃平面化的结构-CN200920178806.4有效
发明人： 杨镇在;何明俊;萧世坚;王水泉 -专利权人：东元奈米应材股份有限公司
申请日： 2009-09-17 - 公布日： 2010-07-14 - 主分类号： C03C27/06 文献下载
摘要：一种空间玻璃平面化的结构，包括两块平板玻璃、一玻璃管及一密封部。该两块平板玻璃之间相隔一间距，该两块平板玻璃分别于一周缘位置凹设一相对应的缺口，该两个缺口之间的区域形成一容置空间。该玻璃管设置于该两个缺口处，该玻璃管的外端位于该容置空间中，且未超出于形成该容置空间的几何空间外，该玻璃管的内端位于该两块平板玻璃之间。该密封部附着并封闭于该两块平板玻璃及该两个缺口的周缘，在该两块平板玻璃之间形成一腔体，该玻璃管的内端位于该腔体中。本实用新型将使平板玻璃能够维持全平面的几何形状，有利于产品的应用及设计。
空间玻璃平面化结构

[发明专利]场发射显示组件支撑结构的接合方法-CN200710088203.0无效
发明人：陈国华;杨镇在 -专利权人：东元电机股份有限公司
申请日： 2007-03-15 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： H01J9/24 文献下载
摘要：一种场发射显示组件支撑结构的接合方法，用于固定支撑结构和阴阳极板的相对位置，包括：提供承载盘，该承载盘上具有多个平行间隔排列的沟槽，用于预先放置放支撑结构；在阴极与阳极的基板上设有一层金属接合面；将承载有多个支撑结构的承载盘与基板对应并定位，使该多个支撑结构与该金属接合面压合；最后，将基板与承载盘同时送进真空炉中进行高温烧结，使该支撑结构与基板经由该金属接合面形成共晶结构，以固定两者的相对位置。
发射显示组件支撑结构接合方法

[发明专利]具有凸型支撑体的网罩结构-CN200710000720.8无效
发明人： 杨镇在 -专利权人：东元电机股份有限公司
申请日： 2007-01-10 - 公布日： 2008-07-16 - 主分类号： H01J1/46 文献下载
摘要：一种具有凸型支撑体的网罩结构，设置在阳极板及阴极板间以构成闸极电极层，其中该网罩上设有多个孔隙，该多个孔隙呈间隔排列，而在该网罩的板面上设有多个凸型支撑体，以间隔排列的方式设置在该网罩板面上，并与阴极板相贴合，以作为网罩与阴极板间的支撑而形成间隔，最后与该凸型支撑体的表面上设置电极层，并与阴极板形成电性连接，以提供作为闸极电极层的网罩所需电源，通过此单一构成的网罩结构与阴阳极板进行封装，除了降低制作程序上的成本外，还可避免在高温烧结时阴极电子发射源的氧化风险。
具有支撑网罩结构

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