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[发明专利]半导体装置、半导体结构及其形成方法-CN201711077497.7有效
发明人：彭士玮;陈志良;杨超源;杨惠婷;曾健庭;林威呈 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-11-06 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种半导体装置或结构包括第一图案金属层，所述第一图案金属层设置在第一供电金属区与第二供电金属区之间，所述第一图案金属层包括内部路线及电源路线。跟随引脚将第一供电金属区耦合到电源路线。第二供电金属区比第一供电金属区宽。第一供电金属区具有与第一图案金属层实质上相同的厚度。第一供电金属区包含第一金属且跟随引脚包含第二金属。
半导体装置结构及其形成方法

[发明专利]集成电路及制造半导体元件的方法-CN201710669088.X有效
发明人：彭士玮;王中兴;陈志良;杨超源;曾健庭;邱奕勋;侯元德 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-08-08 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种集成电路包括衬底以及形成于所述衬底上的第一组功能胞单元(functional cell unit)。每一所述功能胞单元包括具有不同阈值电压的一对功能单元以及位于其所述功能单元(functional cell)之间的填充单元(filler cell)。所述第一组功能胞单元中的所述功能胞单元的数目等于或大于第二组功能胞单元的数目，每一所述第二组功能胞单元包括具有不同阈值电压且彼此贴靠(abut)的一对功能单元。如此一来，能够减小所述集成电路的泄漏电流(leakage current)。
集成电路制造半导体元件方法

[发明专利]制造半导体装置的方法-CN201710695218.7有效
发明人：陈志良;赖志明;杨超源;曾健庭;萧锦涛;刘如淦;吴伟豪;周雷峻 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-08-15 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L21/8232 文献下载
摘要：一种制造半导体装置的方法包括在衬底上方提供材料并在所述材料的两个相对的侧壁上分别形成单独的栅极电极线。因此，可使所述栅极电极线之间的切口的宽度最小化。这会缩短所述半导体装置的单元的高度，从而增加所述半导体装置的单元密度。
制造半导体装置方法

[发明专利]具有混合掺杂区的绝缘体上硅半导体器件-CN201811396073.1有效
发明人：刘逸群;杨超源 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：在一些实施例中，提供了一种半导体器件。半导体器件包括：半导体衬底，包括通过绝缘层与第二半导体材料层分离的第一半导体材料层。源极区和漏极区设置在第一半导体材料层中并且间隔开。栅电极设置在源极区和漏极区之间的第一半导体材料层上方。具有第一掺杂类型的第一掺杂区设置在第二半导体材料层中，其中，栅电极直接位于第一掺杂区的上面。具有与第一掺杂类型不同的第二掺杂类型的第二掺杂区设置在第二半导体材料层中，其中，第二掺杂区在第一掺杂区下方延伸并接触第一掺杂区的相对两侧。本发明实施例涉及具有混合掺杂区的绝缘体上硅半导体器件。
具有混合掺杂绝缘体半导体器件

[发明专利]集成电路及其设计系统-CN201811432814.7有效
发明人：萧锦涛;曾健庭;刘逸群;蔡逸群;方上维;杨超源;黄星凯 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-28 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种集成电路结构，包括：在第一方向上延伸的第一多个单元行，第一多个单元行的每个均具有第一行高度并且包括设置在其中的多个第一单元；以及在第一方向上延伸的第二多个单元行，第二多个单元行的每个均具有与第一行高度不同的第二行高度，并且包括设置在其中的多个第二单元。多个第一单元包括第一多个有源区域，第一多个有源区域的每个均在第一方向上连续地延伸横跨多个第一单元，并且，多个第二单元包括第二多个有源区域，第二多个有源区域的每个均在第一方向上连续地延伸横跨多个第二单元。本发明的实施例还提供了集成电路结构的设计系统。
集成电路及其设计系统

[发明专利]半导体开关结构-CN201710235870.0有效
发明人：萧锦涛;陈志良;杨超源;余和哲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-04-12 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H03K17/687 文献下载
摘要：一种半导体开关结构的实施例，包含源极接触、漏极接触、栅极与鳍片。接触与栅极沿着第一方向延伸并且在垂直第一方向的第二方向上彼此间隔。栅极散布于接触之间。鳍片位于接触与栅极两者之下。鳍片沿第二方向延伸并且在第一方向上彼此间隔。接触柱延伸穿过接触之一，并且未碰触栅极或鳍片。栅极柱延伸穿过栅极之一，并且未碰触接触或鳍片。接触‑栅极柱与接触与栅极碰触，但未与鳍片碰触。
半导体开关结构

[发明专利]半导体结构及其形成方法及标准单元结构-CN201810614521.4有效
发明人：林威呈;庄正吉;陈志良;杨超源;杨惠婷;赖韦安 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-06-14 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：本发明实施例是有关于一种半导体结构及其形成方法及标准单元结构，尤其是有关于形成通孔轨和深通孔结构以减少标准单元结构中的寄生电容。通孔轨结构形成在与导线不同的级中。通孔轨结构可以减少导线数量和在相同互连级上的导线之间提供较大的间距，从而减少导线之间的寄生电容。
半导体结构及其形成方法标准单元

[发明专利]非平面半导体结构及其形成方法-CN201811446592.4有效
发明人：陈志良;赖志明;蔡庆威;杨超源;曾健庭;江国诚;刘如淦;吴伟豪;林义雄;张家豪;周雷峻 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明的实施例描述了非平面半导体器件及其制造方法，非平面半导体器件诸如为具有一个或多个金属轨导体的鳍式场效应晶体管(finFET)。在一些情况下，一个或多个金属轨导体可以电连接至这些非平面半导体器件的栅极、源极和/或漏极区域。在这些情况下，可以利用一个或多个金属轨导体将各个非平面半导体器件的栅极、源极和/或漏极区域电连接至各种非平面半导体器件和/或其它半导体器件的其它栅极、源极和/或漏极区域。然而，在其它情况下，一个或多个金属轨导体可以与这些各个非平面半导体器件的栅极、源极和/或漏极区域隔离。这种隔离防止了一个或多个金属轨导体与这些非平面半导体器件的栅极、源极和/或漏极区域之间的电连接。
平面半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201811440548.2有效
发明人：刘逸群;曾健庭;陈志良;杨超源;黄星凯;黄靖方 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本揭露涉及半导体装置及其制造方法。一种半导体装置，其包含衬底、一对晶体管装置及隔离区。所述对晶体管装置安置于所述衬底上。所述对所述晶体管装置中的每一者包含沟道、在所述沟道上方的栅极电极，及在所述栅极电极旁边的源极/漏极区。所述隔离区安置于所述对所述晶体管装置的所述源极/漏极区之间。所述隔离区具有第一掺杂类型，所述第一掺杂类型与所述源极/漏极区的第二掺杂类型相反。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]非平面半导体结构及其形成方法-CN201811446625.5有效
发明人：陈志良;杨超源;杨惠婷;曾健庭;萧锦涛;彭士玮;林威呈;周雷峻 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-11-29 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明的实施例描述了非平面半导体器件及其制造方法，非平面半导体器件诸如为具有一个或多个金属轨导体的鳍式场效应晶体管(finFET)。在一些情况下，一个或多个金属轨导体可以电连接至这些非平面半导体器件的栅极、源极和/或漏极区域。在这些情况下，可以利用一个或多个金属轨导体将各个非平面半导体器件的栅极、源极和/或漏极区域电连接至各种非平面半导体器件和/或其它半导体器件的其它栅极、源极和/或漏极区域。然而，在其它情况下，一个或多个金属轨导体可以与这些各个非平面半导体器件的栅极、源极和/或漏极区域隔离。这种隔离防止了一个或多个金属轨导体与这些非平面半导体器件的栅极、源极和/或漏极区域之间的电连接。
平面半导体结构及其形成方法

[发明专利]在基板上形成鳍片的方法-CN201611093056.1有效
发明人：周雷峻;陈志良;赖志明;杨超源;曾晋沅;曾健庭;萧锦涛;刘如淦;林纬良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-12-02 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种在基板上形成鳍片的方法被提出。此方法包括沉积第一鳍片间隔与第二鳍片间隔在具有一硬遮罩的基板的多个位置上，其中第一鳍片间隔包括所需第一鳍片间隔与虚设第一鳍片间隔，且第二鳍片间隔包括所需第二鳍片间隔与虚设第二鳍片间隔。此方法还包括在第一鳍片间隔与第二鳍片间隔之下的基板上形成鳍片。鳍片包括多个虚设鳍片与多个所需鳍片。此方法还包括个别地移除虚设第一鳍片间隔，而不移除虚设第二鳍片间隔，移除虚设第二鳍片间隔，以及移除虚设鳍片。
基板上形成方法

[发明专利]集成电路结构、布局图方法和系统-CN201910308673.6有效
发明人：彭士玮;赖志明;杨超源;曾健庭;林威呈 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-04-17 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L23/482 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了集成电路结构、布局图方法和系统。IC结构包括第一金属层中的第一多个金属区段，位于第一金属层上方的第二金属层中的第二多个金属区段，以及位于第二金属层上方的第三金属层中的第三多个金属区段。第一多个金属区段和第三多个金属区段中的金属区段在第一方向上延伸，以及第二多个金属区段的金属区段在与第一方向垂直的第二方向上延伸。第三多个金属区段的节距小于第二多个金属区段的节距。
集成电路结构布局方法系统

[实用新型]磁铁吸盘式安全装置-CN202120390117.0有效
发明人：时宇鹏;王茂国;贾晓磊;孟俊龙;侯国欣;张强;杨超源;李永;戴东;李海瑞;李海滨;许博 -专利权人：包头钢铁（集团）有限责任公司
申请日： 2021-02-22 - 公布日： 2021-11-19 - 主分类号： B66C1/04 文献下载
摘要：本实用新型提供了磁铁吸盘式安全装置，属于安全装置技术领域。该安全装置，包括连接于缓降器一端的安全带、设置于组合式吸盘内的行程开关和一端连接于行程开关，另一端连接于缓降器另一端的传动杆；组合式吸盘内设置有电磁吸盘和永久磁铁吸盘；行程开关分别与设置于组合式吸盘内的电源开关和电磁吸盘电连接，电源开关与外部电源电连接。本实用新型提供的磁铁吸盘式安全装置，采用电磁吸盘和永久磁铁吸盘相结合，为安全装置提供了可靠的挂点。
磁铁吸盘安全装置

[发明专利]制造鳍的方法和包括鳍的半导体器件-CN201710298768.5有效
发明人：陈志良;赖志明;杨超源;曾晋沅;曾健庭;萧锦涛;刘如淦;林纬良;周雷峻 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-04-27 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种制造包括FinFET的半导体器件的鳍的方法，包括：形成包括半导体衬底和加盖半导体鳍的结构，加盖半导体鳍被组织成至少第一集合和第二集合，第一集合的每个构件包含具有第一蚀刻灵敏度的第一盖，并且第二集合的每个构件包含具有第二蚀刻灵敏度的第二盖，第二蚀刻灵敏度不同于第一蚀刻灵敏度；以及从结构去除消除第一集合的选择构件和第二集合的选择构件。本发明的实施例还提供了一种包括鳍的半导体器件。
制造方法包括半导体器件

[发明专利]一种低成本、高产能冶炼镍铁水的方法-CN202110824448.5在审
发明人：梁国燊;陈海涛;吴杰阳;杨超源;陈峰;李胜群;何丛珍;刘光勇 -专利权人：广东广青金属科技有限公司;广东省高端不锈钢研究院有限公司
申请日： 2021-07-21 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： C22C33/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种低成本、高产能冶炼镍铁水的方法，涉及钢铁冶金技术领域。包括以下步骤：S1破碎混合：将大块红土镍矿石头进行破碎、筛分以及混合搅拌，使其混合均匀；S2干燥：利用干燥窑对步骤S1的原矿进行干燥，使原矿的水份控制在23‑26％；S3配料：对原矿进行配比，使其满足以下要求：入炉品位＝1.45‑1.64％，配铁TFe＝18.5‑20％，硅镁比Si/Mg＝1.50‑1.55，炉渣碱度R＝0.65；S4锻烧：将步骤S3中配比好的生料，放入回转窑内进行锻烧，使生料烧成孰料，得到红热的焙砂；S5冶炼：矿热炉熔炼焙砂，得出合格的镍铁水产品。本发明的方法既能保证耐材寿命安全，又能扩大产能、提高生产效率，并能综合控制生产成本。
一种低成本产能冶炼铁水方法

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