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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]硫属化物材料、开关器件、和存储器件-CN202310376723.0在审
发明人：成河俊;康永宰;具本原;朴用永;安东浩;梁基延;梁祐荣;李昌承;崔旻雨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明涉及硫属化物材料、开关器件、和存储器件。根据一种实施方式的硫属化物材料包括：锗(Ge)；砷(As)；硫(S)；硒(Se)，以及选自铟(In)、镓(Ga)和铝(Al)的至少一种III族金属，其中Ge的含量可大于约10原子％且小于或等于约30原子％，As的含量可大于约30原子％且小于或等于约50原子％，Se的含量大于约20原子％且小于或等于约60原子％，S的含量大于约0.5原子％且小于或等于约10原子％，且所述III族金属的含量可大于约0.5原子％且小于或等于约10原子％。
硫属化物材料开关器件存储

[发明专利]基于硫属化物的材料、以及包括其的开关元件和存储器件-CN202210773794.X在审
发明人：梁基延;权世甲;成河俊;安东浩;李昌承 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-07-01 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：提供基于硫属化物的材料、以及包括其的开关元件和存储器件。所述基于硫属化物的材料包括：硫属化物材料和掺杂剂。所述硫属化物材料包括Ge、Sb和Se。所述掺杂剂包括选自In、Al、Sr和Si的至少一种金属或准金属元素、所述金属或准金属元素的氧化物、或者所述金属或准金属元素的氮化物。
基于硫属化物材料以及包括开关元件存储器件

[发明专利]开关器件、制造其的方法以及包括其的存储器件-CN202210367881.5在审
发明人：崔旻雨;具本原;朴用永;成河俊;安东浩;梁基延;梁祐荣;李昌承 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-08 - 公布日： 2023-02-17 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：提供一种开关器件、制造其的方法以及包括其的存储器件。开关器件包括第一电极和第二电极以及提供在第一电极和第二电极之间并包括硫族化物的开关材料层。开关材料层包括芯部分和覆盖芯部分的侧表面的壳部分。壳部分包括具有比芯部分的电阻大的电阻的材料，例如在芯部分和壳部分中的至少一个中。
开关器件制造方法以及包括存储

[发明专利]电阻式存储器装置-CN202210423496.8在审
发明人：金充满;具本原;安东浩;梁基延;吴哲;李昌承 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：电阻式存储器装置，其包括电阻式存储器图案；和电连接至所述电阻式存储器图案的选择元件图案，所述选择元件图案包括硫属化物开关材料和至少一种金属材料，所述硫属化物开关材料包括锗、砷和硒，且所述至少一种金属材料包括铝、锶或铟，其中所述选择元件图案包括非均匀材料层，在所述非均匀材料层中所述至少一种金属材料在所述选择元件图案中的含量根据在所述选择元件图案内的位置是可变的。
电阻存储器装置

[发明专利]半导体装置-CN202110935795.5在审
发明人：梁基延;安东浩;李昌承 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：提供了一种包括多个半导体单元器件的半导体装置。每个半导体单元器件可以布置于在垂直于衬底的方向上彼此分开的第一绝缘层和第二绝缘层之间。每个半导体单元器件可以包括在平行于衬底的方向上并排延伸的选择器件层和相变材料层。相变材料层可以具有类超晶格结构。相变材料层可以沿着由第一绝缘层、第二绝缘层和选择器件层形成的凹陷部分布置。
半导体装置

[发明专利]硫属元素化合物、半导体器件、和半导体装置-CN202110775864.0在审
发明人：梁基延;具本原;权世甲;金充满;朴用永;安东浩;俞承根;李昌承 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：提供硫属元素化合物、半导体器件、和半导体装置。所述硫属元素化合物包括五种或更多种元素并且可具有稳定的开关特性和低的关断电流值(泄漏电流值)。所述硫属元素化合物包括：硒(Se)和碲(Te)；包括铟(In)、铝(Al)、锶(Sr)、和钙(Ca)的至少一种的第一元素；以及包括锗(Ge)和/或锡(Sn)的第二元素，并且可进一步包括砷(As)、锑(Sb)、和铋(Bi)的至少一种。
元素化合物半导体器件半导体装置

[发明专利]包括硫属元素化合物的半导体器件和包括其的半导体装置-CN202111268571.X在审
发明人：梁祐荣;具本原;金充满;朴洸珉;成河俊;安东浩;李昌承;崔旻雨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及包括硫属元素化合物的半导体器件和包括其的半导体装置。提供硫属元素化合物层、包括其的开关器件、半导体器件、和/或半导体装置，所述硫属元素化合物层呈现出双向阈值开关特性。所述开关器件和/或所述半导体器件可包括两个或更多个具有不同能带隙的硫属元素化合物层。替代地，所述开关器件和/或半导体器件可包括在其厚度方向上具有如下的元素的浓度梯度的硫属元素化合物层：硼(B)、铝(Al)、钪(Sc)、锰(Mn)、锶(Sr)、和/或铟(In)。所述开关器件和/或半导体器件可在具有低的关断电流值(泄漏电流值)的同时呈现出稳定的开关特性。
包括元素化合物半导体器件半导体装置

[发明专利]包括二维材料结构的装置及形成该二维材料结构的方法-CN201610102164.4有效
发明人：梁基延;李昌承;金南定;金琏熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-02-24 - 公布日： 2021-10-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明涉及包括二维材料结构的装置及形成该二维材料结构的方法。其中一种晶体管包括：基板；包括基本上垂直地排列在基板上的至少一层的二维材料结构，使得所述至少一层的边缘在基板上并且所述至少一层基本上垂直于基板延伸；源电极和漏电极，连接到二维材料结构的相反端；栅绝缘层，在源电极和漏电极之间的二维材料结构上；和在栅绝缘层上的栅电极。所述至少一层的每个包括具有二维晶体结构的半导体。
包括二维材料结构装置形成方法

[发明专利]非互易光传输器件及包括其的光学装置-CN201711283653.5有效
发明人：梁基延;崔永铣;宋锡虎;尹载雄;韩喆雄;金容诚;李政烨;李昌承 -专利权人：三星电子株式会社;汉阳大学校产学协力团
申请日： 2017-12-07 - 公布日： 2021-03-19 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：提供了非互易光传输器件及包括该非互易光传输器件的光学装置。一种非互易光传输器件包括光输入部分、光输出部分、以及插置在光输入部分与光输出部分之间并包括光波导的中间连接部分。光波导中的任何一个或任何组合的复折射率在光输入部分与光输出部分之间变化，并且经过非互易光传输器件的光的传输方向由复折射率的变化控制。
非互易光传输器件包括光学装置

[发明专利]相移器件以及包括该相移器件的色差光学器件-CN201910579002.3在审
发明人：李政烨;金梨香;辛锺和;梁基延;金容诚;金材官;李昌承;N.韩 -专利权人：三星电子株式会社;韩国科学技术院
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：提供一种相移器件以及包括该相移器件的色差光学器件，该相移器件包括：多个金属层和多个第一电介质层，所述多个金属层中的金属层和所述多个第一电介质层中的第一电介质层在第一方向上交替地堆叠；以及第二电介质层，在第二方向上设置在堆叠结构的侧表面上，其中第一电介质层包括具有第一介电常数的第一材料，第二电介质层包括具有第二介电常数的第二材料，并且其中第二介电常数大于第一介电常数。
相移器件以及包括色差光学

[发明专利]多层薄膜结构和使用多层薄膜结构的相移器件-CN201910378158.5在审
发明人：李政烨;金容诚;金材官;李昌承 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-05-07 - 公布日： 2020-03-31 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：提供了一种多层薄膜结构和使用多层薄膜结构的相移器件。多层薄膜结构包括交替堆叠的至少一个结晶防止层和至少一个电介质层。至少一个结晶防止层包括非晶材料，并且至少一个结晶防止层的厚度小于至少一个电介质层的厚度。
多层薄膜结构使用相移器件

[发明专利]图像传感器、制造其的方法和包括其的成像装置-CN201811086256.3在审
发明人：朴敬培;鲜于文旭;具本原;卢卓均;李昌承 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-09-18 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L27/30 文献下载
摘要：提供了图像传感器、制造其的方法和包括其的成像装置。图像传感器可以包括：多个光检测元件，布置为与多个像素区域对应；滤色器层，在所述多个光检测元件上并且包括布置为与所述多个光检测元件对应的多个滤色器；以及光电二极管器件部分，在滤色器层上。光电二极管器件部分可以具有弯曲结构。光电二极管器件部分可以包括基于有机材料的光电二极管层、在光电二极管层与滤色器层之间的第一电极、以及在光电二极管层上的第二电极。光电二极管器件部分可以具有分别对应于所述多个滤色器的弯曲凸起结构。
光电二极管器件光电二极管层光检测元件图像传感器滤色器层成像装置滤色器第二电极第一电极弯曲结构弯曲凸起像素区域有机材料制造

[发明专利]石墨烯电子器件及其制造方法-CN201310534898.6有效
发明人：金容诚;李昌承;李周浩 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-11-01 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开提供一种石墨烯电子器件及其制造方法。该石墨烯电子器件包括在石墨烯层上的第一栅极结构和第二栅极结构，因此可以在一个器件中形成具有石墨烯晶体管和石墨烯二极管的特性的开关器件或存储器器件。
石墨烯电子器件栅极结构存储器器件二极管开关器件石墨烯层晶体管制造

[发明专利]晶体管及其制造方法-CN201310007163.8有效
发明人： 李昌承;李周浩;金容诚;金俊成;文彰烈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-01-09 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本公开提供了晶体管及其制造方法。该晶体管可以包括：在基板上的栅极；沟道层，具有覆盖栅极的至少一部分的三维（3D）沟道区域；源极电极，接触沟道层的第一区域；以及漏极电极，接触沟道层的第二区域。
沟道层晶体管第二区域第一区域沟道区域漏极电极源极电极基板制造三维覆盖

[发明专利]石墨烯器件制造装置和使用该装置的石墨烯器件制造方法-CN201310124248.4有效
发明人：李周浩;郑镛席;金容诚;李昌承;文彰烈 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-04-11 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种石墨烯器件制造装置和使用该装置的石墨烯器件制造方法。该石墨烯器件制造装置包括电极；石墨烯结构，包括基板、形成在基板上的金属催化剂层、形成在金属催化剂层上的石墨烯层、以及形成在石墨烯层上的保护层；电源单元，在电极和金属催化剂层之间施加电压；槽，容纳电极和石墨烯结构；以及在槽中准备的电解液。
石墨器件制造装置使用方法

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