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[发明专利]包括硫属元素化合物的半导体器件和包括其的半导体装置-CN202111268571.X在审
发明人：梁祐荣;具本原;金充满;朴洸珉;成河俊;安东浩;李昌承;崔旻雨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明涉及包括硫属元素化合物的半导体器件和包括其的半导体装置。提供硫属元素化合物层、包括其的开关器件、半导体器件、和/或半导体装置，所述硫属元素化合物层呈现出双向阈值开关特性。所述开关器件和/或所述半导体器件可包括两个或更多个具有不同能带隙的硫属元素化合物层。替代地，所述开关器件和/或半导体器件可包括在其厚度方向上具有如下的元素的浓度梯度的硫属元素化合物层：硼(B)、铝(Al)、钪(Sc)、锰(Mn)、锶(Sr)、和/或铟(In)。所述开关器件和/或半导体器件可在具有低的关断电流值(泄漏电流值)的同时呈现出稳定的开关特性。
包括元素化合物半导体器件半导体装置

[发明专利]包括数据存储材料图案和选择器材料图案的半导体装置-CN202110918866.0在审
发明人：李䈘傧;吴哲;金充满;朴洸珉;安东浩;俞承根;李镇宇;崔昭娟 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-08-11 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：半导体装置包括覆盖半导体衬底上的电路元件的下绝缘结构和下绝缘结构上的上结构。上结构包括第一导线与第二导线之间的存储器单元结构。第一导线在第一水平方向上延伸，第二导线在第二水平方向上延伸。存储器单元结构包括在竖直方向上重叠的至少三个电极图案、数据存储材料图案和选择器材料图案。选择器材料图案包括阈开关材料和金属材料。阈开关材料包括锗(Ge)、砷(As)和硒(Se)，并且金属材料包括钨(W)、钛(Ti)、铝(Al)和铜(Cu)中的至少一种。金属材料的含量大于0原子％且小于2原子％。
包括数据存储材料图案选择器半导体装置

[发明专利]可变电阻存储装置-CN202110400679.3在审
发明人：郑载琥;朴洸珉;金钟旭;崔铜成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种可变电阻存储装置包括：第一导电线，所述第一导电线在第一方向上延伸；第二导电线，所述第二导电线在第二方向上延伸并且在所述可变电阻存储装置的俯视图中与所述第一导电线交叉；以及单元结构，所述单元结构在所述俯视图中分别设置在所述第一导电线与所述第二导电线的交叉点处。每个所述单元结构包括开关图案、可变电阻图案以及设置在所述开关图案和所述第一导电线之间的第一电极，所述第一电极包含碳。每条所述第一导电线包括位于其上部的上图案，所述上图案包含金属氮化物。所述上图案与所述第一电极的底表面接触。
可变电阻存储装置

[发明专利]制造交叉点型半导体存储器件的方法-CN202010284475.3在审
发明人：郑载琥;高永珉;金钟旭;朴洸珉;崔铜成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-04-13 - 公布日： 2021-02-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本公开提供了制造交叉点型半导体存储器件的方法。一种制造交叉点型半导体存储器件的方法包括：形成字线和单元堆叠，间隙在单元堆叠之间；在该间隙中形成下间隙填充绝缘体；在下间隙填充绝缘体上形成上间隙填充绝缘体；固化下间隙填充绝缘体和上间隙填充绝缘体以形成间隙填充绝缘体；以及在单元堆叠和间隙填充绝缘体上形成位线。下间隙填充工艺可以使用包括第一前驱体和第二前驱体的第一源气体执行，上间隙填充工艺可以使用包括第一前驱体和第二前驱体的第二源气体执行，在第一源气体中第一前驱体与第二前驱体的体积比可以大于15：1，在第二源气体中第一前驱体与第二前驱体的体积比可以小于15：1。
制造交叉点半导体存储器件方法

[发明专利]包括数据存贮材料图案的半导体器件及其制造方法-CN202010423728.0在审
发明人：朴正熙;朴洸珉;朴志镐;吴圭焕;李政武;堀井秀树 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2020-12-08 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括：基体结构，包括半导体基底；第一导电结构，设置在基体结构上，并且在第一方向上延伸，第一导电结构包括下层，并且下层之中的至少一个下层包括碳；数据存贮材料图案，设置在第一导电结构上。所述半导体器件还包括：中间导电图案，设置在数据存贮材料图案上并且包括中间层，中间层之中的至少一个中间层包括碳；开关材料图案，设置在中间导电图案上；以及开关上电极图案，设置在开关材料图案上并且包括碳。所述半导体器件还包括：第二导电结构，设置在开关上电极图案上，并且在与第一方向交叉的第二方向上延伸；以及孔间隔件，设置在数据存贮材料图案的侧表面上。
包括数据存贮材料图案半导体器件及其制造方法

[发明专利]可变电阻存储器件-CN201910534229.6在审
发明人：金钟旭;高永珉;金秉柱;朴洸珉;朴正熙;崔熙成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种可变电阻存储器件可以包括：存储单元，包括设置在衬底上的第一电极、设置在第一电极上的可变电阻图案和设置在可变电阻图案上的第二电极；选择图案，设置在存储单元上；以及覆盖结构，覆盖选择图案的侧壁。覆盖结构可以包括顺序堆叠在选择图案的至少一个侧壁上的第一覆盖图案和第二覆盖图案。第一覆盖图案可以是硅图案，第二覆盖图案可以包括氮化物。
可变电阻存储器件

[发明专利]可变电阻存储器件及其制造方法-CN201910782346.4在审
发明人：金秉柱;高永珉;金钟旭;朴洸珉;朴正熙;崔铜成 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种可变电阻存储器件可以包括：沿第一方向延伸的多条第一导线；沿第二方向延伸的多条第二导线；多个存储单元，相对于自上而下的视图，每个存储单元在第一导线中的相应一条与第二导线中的相应一条之间的各交叉点处，每个存储单元包括夹在顶部电极和底部电极之间的可变电阻结构和开关元件；和第一电介质层，填充存储单元的开关元件之间的空间。第一电介质层的顶表面设置在存储单元的顶部电极的底表面和顶表面之间。
可变电阻存储器件及其制造方法

[发明专利]可变电阻式存储器装置-CN201910604163.3在审
发明人：金秉柱;高永珉;金钟旭;朴洸珉;朴正熙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-07-05 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L21/764 文献下载
摘要：提供了一种可变电阻式存储器装置，包括：第一电极线层，包括在第一方向上延伸并在衬底上彼此间隔开的第一电极线；第二电极线层，位于第一电极线层上方，并包括在与第一方向正交的第二方向上延伸并彼此间隔开的第二电极线；和存储器单元层，包括位于第一电极线层和第二电极线层之间的存储器单元。存储器单元的每一个包括选择装置层、中间电极层和可变电阻层。第一绝缘层位于第一电极线之间，第二绝缘层位于存储器单元之间，第三绝缘层位于第二电极线之间。第二绝缘层包括在存储器单元的侧表面上的气隙。
可变电阻存储器装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201310412779.3有效
发明人： 朴洸珉;金秉柱;尹柱美;安宰永 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-09-11 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L27/11582 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体装置和一种制造该半导体装置的方法。所述半导体装置具有竖直沟道并包括：第一隧道绝缘层，邻近于阻挡绝缘层；第三隧道绝缘层，邻近于沟道柱；第二隧道绝缘层，位于第一隧道绝缘层和第三隧道绝缘层之间。第三隧道绝缘层的能带间隙小于第一隧道绝缘层的能带间隙并大于第二隧道绝缘层的能带间隙。
隧道绝缘层半导体装置能带间隙沟道邻近阻挡绝缘层竖直制造

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